Представлена новая модель, позволяющая детально описать статические и динамические характеристки полосковых инжекционных лазеров с учетом поперечной неоднородности тока накачки и оптического поля. На примере полоскового лазера гребневого типа показано, что эффект "выжигания дыры" в поперечном распределении коэффициента оптического усиления определяет величину частоты релаксационных колебаний на больших мощностях. Рассчитанные зависимости скорости затухания релаксационных колебаний от квадрата резонансной частоты хорошо согласуются с экспериментальными данными, которые ранее не могли быть адекватно объяснены в рамках существующих моделей.
Гуревич С.А., Симин Г.С., Шаталов М.С. Влияние поперечной неоднородности тока накачки и распределения поля на динамические характеристики полосковых инжекционных лазеров // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 611

Проведено исследование переходного тока, ограниченного пространственным зарядом в пористом Si приготовленном из кристаллического Si n-типа. Определены значения дрейфовых подвижностей электронов и дырок как из значения времени пролета носителей заряда через образец, так и из величины начального фототока.
Казакова Л.П., Лебедев А.А., Лебедев Э.А. Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом впористом кремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 609

Показано, что при освещении кристаллов CdxHg1-xTe светом с энергией фотонов, меньше ширины запрещенной зоны, возможна фотопроводимость, обусловленная генерацией электронно-дырочных пар на неоднородностях с меньшим значением состава x. Неоднородности смоделированы в виде кластерной сетки малоугловых границ блоков с повышенной скоростью рекомбинации неравновесных носителей заряда. Проведена оценка величины фотоотклика (\overline(Delta p)) от размера кластерной сетки(rc).
Вирт И.С., Цюцюра Д.И. Фотоотклик кристаллов CdxHg1-xTe, обусловленный неоднородностями состава // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 606

Исследуются оптические свойства напряженных квантовых нитей, связанные с неоднородностью распределения упругих деформаций внутри нитей и в окружающем материале барьера. Для расчета этого распределения используется аналитическое приближение. Показывается, что как коротковолновый сдвиг фотолюминесценции, так и ее поляризационная анизотропия в направлении нормали к плоскости нитей в основном определяются отличием упругих деформаций от биаксиальных. Этот вывод подтверждается сравнением расчетных спектров поляризационно-зависимой фотолюминесценции с экспериментальными данными, полученными на InGaAs/GaAs квантовых нитях прямоугольного сечения размером7x 60 нм.
Гуревич С.А., Закгейм Д.А., Соловьев С.А. Поляризационная анизотропия оптических межзонных переходов внапряженных InGaAs/GaAs квантовых нитях // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 600

Предлагается простая модель контакта металл-полупроводник. Предполагается, что барьер Шоттки формируется состояниями дефектов, локализованными на границе раздела. Проанализированы экспериментальные данные по системам <металл (Au, Cr, Mo и Al)>-<гексагональный карбид кремния (6H-SiC)>, где SiC имеет n-тип проводимости.
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К. О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 597

Исследована интегральная фотолюминесценция в пористом кремнии p-типа при интенсивном возбуждении импульсами второй гармоники (lambda=532 нм) лазера на АИГ : Nd3+. Установлено, что в области интенсивностей, соответствующих условиям квазистационарного возбуждения, излучение характеризуется степенной зависимостью Irad~ I2/3. С ростом интенсивности возбуждения квантовый выход beta падает ~ I-1/3. Показано, что основное излучение пористого кремния вызвано бимолекулярным рекомбинационным процессом.
Шатковский Е., Верцинский Я. Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном возбуждении // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 593

Были исследованы эпитаксиальные пленки p-GaAs1-xSbx, легированные Ge (x=0/0.1; NGe=0.01/ 10 ат% в жидкой фазе; концентрация дырок при комнатной температуре (0.06-40)· 1018 см-3 ), выращенные методом жидкофазной эпитаксии. Обнаружено, что при одной и той же концентрации Ge в жидкой фазе концентрация дырок в твердом растворе примерно в 2 раза больше, чем в GaAs, независимо от содержания Sb. Найдены энергия активации германиевого акцептора varepsilon1=(22±2) мэВ и критическая концентрация перехода металл--диэлектрик pc=(3.9±0.3)· 1018 см-3 для x=0.06.
Аллен Т.Ю., Полянская Т.А. Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, легированных германием // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 587

Построена контактная теория вольт-амперной характеристики на конечных частотах для полубесконечной двумерной электронной системы с 2 точечными контактами. Отмечено, что относительное расположение контактов заметно влияет на структуру вольт-амперной характеристики. Обсуждается связь между вольт-амперной характеристикой и свойствами краевых магнетоплазмонов в данной системе.
Шикин В.Б. Холловский кондактанс полубесконечной двумерной системы нанизких частотах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 585

Проведено подробное исследование электронного транспорта в сильных электрических полях в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния 6H и 4H. Поведение электронов свидетельствовало о возникновении и развитии процесса ванье--штарковского квантования в широком диапазоне электрических полей 100--2000 кВ/см. Прямые измерения зависимости электронного тока от величины среднего электрического поля позволили обнаружить ряд областей с отрицательной дифференциальной проводимостью. Анализ полученных данных позволяет заключить, что наблюдаемые эффекты обусловлены различными механизмами, которые вступают в действие по мере увеличения электрического поля: 1)брэгговское отражение электронов от границы первой минизоны, 2)прыжковая проводимость между уровнями ванье--штарковской лестницы, индуцированная резонансным электрофононным взаимодействием, 3)резонансное межмининзонное туннелирование из первой минизоны во вторую.
Санкин В.И., Столичнов И.А. Электронный транспорт в условиях ванье--штарковской локализации вполитипах карбида кремния // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 577

Получено общее выражение для энергии обменного взаимодействия электрона в полупроводнике для произвольной степени вырождения электронного газа. Одночастичная обменная энергия выражена через интегральную функцию, зависящую только от отношения энергии уровня Ферми, отсчитываемой от дна зоны проводимости, к тепловой энергии электрона. Для сильно вырожденного Ферми-газа и нулевой температуры это выражение переходит в формулу Слэтера для обменной энергии электрона в металле. С увеличением температуры обменная энергия монотонно уменьшается. В пределе невырожденного электронного газа общее выражение приобретает простой аналитический вид. На диэлектрической стороне перехода Мотта обменная энергия с ростом температуры изменяется немонотонно: она имеет максимум при температуре порядка энергии ионизации доноров. Показано, что анизотропия изоэнергетической поверхности электронов практически не влияет на величину обменной энергии. Приведены зависимости сужения запретной зоны от концентрации при нескольких температурах для кремния и арсенида галлия.
Константинов О.В., Оболенский О.И., Царенков Б.В. Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 571