Предложена теоретическая модель для описания ускоренной диффузии примесей бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной имплантции. Модель учитывает генерацию примеси, точечных дефектов, их диффузию, образование и распад пар дефект--примесь. Учтено образование дислокаций и рост (уменьшение) размеров их петель в ходе бомбардировки. Дислокации являются стоками для дефектов и примеси. Расчетные профили сравниваются с известными данными. Показана важная роль дислокаций, как центров захвата. Вблизи поверхности обнаружено осциллирующее поведение профиля примеси, что связано с одновременными имплантацией и разгонкой примеси.
Гадияк Г.В. Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 385

Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn показано, что в PbS и PbSe изоэлектронная примесь германия является двухэлектронным донором, причем энергетические уровни германия лежат выше уровней, образуемых в этих полупроводниках примесными атомами олова.
Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П., Ермолаев А.В., Иркаев С.М. Электрическая активность изоэлектронной примеси германия вхалькогенидах свинца // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 381

Приведены результаты комплексного исследования люминесцентных свойств монокристаллов диселенида меди--алюминия CuAlSe2. Обнаружено, что спектр люминесценции нелегированных монокристаллов соединения гомогенного состава имеет сложную структуру. Путем отжига в различных атмосферах осуществлена модификация люминесцентных свойств. Анализируется природа излучательных переходов в данном полупроводнике.
Савчук В.А., Корзун Б.В., Соболев Н.А., Маковецкая Л.А. Исследование люминесценции диселенида меди--алюминия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 377

Теоретически и экспериментально исследованы процессы упругого туннелирования в МДП структурах с барьером Шоттки на основе p+-InAs. При гелиевых температурах получены вольт-амперные характеристики с участком отрицательного дифференциального сопротивления. На основе квазиклассического приближения получены аналитические выражения для коэффициента туннельного прохождения с конверсией носителей. Показано, что падающий участок ВАХ связан с участием в процессе туннелирования вышележащего уровня размерного квантования в n-канале. Полученные расчетные вольт-амперные характеристики хорошо согласуются с результатами эксперимента.
Каламейцев А.В., Романов Д.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Постников К.О., Субботин И.М. Природа отрицательного дифференциального сопротивления неидеального барьера Шоттки на основе арсенида индия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 370

Разработана методика изготовления мезопористого кремния на подложках n-типа с двумя интенсивными при комнатной температуре полосами фото- и электролюминесценции: основной в диапазоне 1.4--1.8 эВ и низкоэнергетической инфракрасной вблизи 1--1.2 эВ. Показана возможность управления как положением основного максимума излучения, так и интенсивностью полос. Свойства основной полосы объясняются в рамках квантово-размерной модели образования пористого кремния, а низкоэнергетической--- излучательной рекомбинацией в крупных неквантово-размерных кристаллитах.
Полисский Г., Сресели О.М., Андрианов А.В., Кох Ф. Люминесценция пористого кремния в ИК области спектра прикомнатной температуре // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 365

Теоретически исследован беспороговый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей в квантовых ямах с напряженными слоями. Показано, что анализ зависимости скорости оже-рекомбинации от величины напряжения, высот гетеробарьеров для электронов и дырок, возможен только при микроскопическом расчете интегралов перекрытия между начальными и конечными состояниями частиц. В квантовых ямах с напряженными слоями наличие деформации качественно и количественно влияет на интеграл перекрытия электрон-дырка. Выполнен анализ зависимости скорости оже-рекомбинации от параметров квантовой ямы, величины напряжения и температуры для гетероструктур на основе InGaAsP/InP и InGaAlAs/InP.
Андреев А.Д., Зегря Г.Г. Оже-рекомбинация в напряженных квантовых ямах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 358

В приближении эффективной массы вычислены вероятность туннелирования электрона через треугольный барьер и время жизни его в квантовой яме рядом с гетеробарьером GaAs/AlAs, образованной сильным электрическим полем. Показано, что для таких структур вероятность туннелирования в X-долину может на несколько порядков превышать вероятность туннелирования в Gamma-долину. Время жизни электрона в квазистационарном состоянии перед гетеробарьером также в основном определяется туннелированием в X-долину и составляет ~10-13-10-11 c в полях E~105-106 В/см.
Демидов Е.В. Влияние X-долины на туннелирование и время жизни электронов вгетероструктурах GaAs/AlAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 355

Методом диффузии As в монокристаллические подложки n-Hg1-xCdxTe изготовлены фотодиоды p+-n-типа на область длин волн 3--5 и 8--12 мкм и исследованы их электрические и фотоэлектрические характеристики. Из анализа температурных зависимостей дифференциального сопротивления и вольт-амперных характеристик следует, что при температуре 77K преобладает генерационно-рекомбинационный механизм переноса носителей заряда. При повышении температуры проявляется также вклад диффузионной составляющей. Для диодов, имеющих длинноволновую границу фоточувствительности lambdac=~ 11.5, 10.5 и 6.0мкм, получены значения произведения R0A=~ 0.3-1.0, 1-10 и (1-10)· 104Ом·см2 соответственно, что указывает на возможность их работы в режиме ограниченном флуктуациями фонового излучения.
Тетеркин В.В., Сточанский С.Я., Сизов Ф.Ф. Механизмы рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe исвойства диффузионных p+-n-переходов на их основе // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 350

В области температур 360--400 K исследовано влияние времени освещения на релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H. Релаксация концентрации происходила по растянутой экспоненте (~exp(-(t/taur)beta)). В области исследованных температур и времен освещения (0.1--7.0 с) коэффициент beta=0.55-0.65, а энергия активации Ea температурной зависимости эффективного времени taur составляла 0.97--1.07 эВ. С ростом освещения наблюдалось слабое увеличение Ea и beta. Величина taur возрастала при увеличении времени освещения в соответствии с зависимостью, близкой к логарифмической. Проведено сопоставление полученных экспериментальных результатов с существующими микроскопическими моделями образования и отжига метастабильных дефектов в пленках a-Si : H.
Казанский А.Г. Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 347

Существующие экспериментальные данные относительно состава и условий кристаллизаци полупроводниковых твердых растворов Hg1-zMnzTe, эпитаксиально выращиваемых на подложке Cd(Zn)Te, обнаруживают ряд особенностей, позволяющих говорить о существенном влиянии подложки на характер кристаллизации твердой фазы. В нашей работе данные жидкофазной эпитаксии Hg1-zMnzTe рассматриваются в свете возможного влияния на состав и условия кристаллизации упругих напряжений, возникающих вследствие несоответствия параметров кристаллической решетки подложки и эпитаксиального слоя. Основным инструментом исследования является термодинамический анализ метастабильного равновесия между напряженной твердой фазой и пересыщенным раствором компонент.
Каверцев С.В., Беляев А.Е. Влияние упругих напряжений на характер эпитаксиальной кристаллизации (Hg,Mn)Te // ФТП, 1997, том 31, выпуск 3, Стр. 342