На основе метода внутреннего трения предложены методики исследования кинетики выделения примесей на поверхности зерен в поликристаллических образцах. Возможности методики апробированы на поликристаллических газочувствительных слоях диоксида олова, легированных теллуром.
Андреев Ю.Н., Бестаев М.В., Димитров Д.Ц., Мошников В.А., Таиров Ю.М., Ярославцев Н.П. Методика исследований субмикровыделений в поликристаллических материалах методом внутреннего трения // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 841

В термически напыленных пленках As2Se3 и As2Se3+0.1 ат% Sn примесь олова заметно влияет на кинетику фотопроводимости при ступенчатом оптическом возбуждении. Добавление олова гасит "вспышку" на участке нарастания фототока, устраняет зависимость формы спада от интенсивности возбуждения, приводит к температурно-зависимой отсрочке начала рекомбинации. Эффект примеси связывается с усилением захвата на глубокие локализованные состояния, порождаемые введением олова.
Иову М.С., Коломейко Е.П., Шутов С.Д. Влияние примеси олова на кинетику фотопроводимости тонких аморфных слоев селенида мышьяка // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 836

С помощью предложенного ранее метода для определения параметров электронно-дырочного рассеяния в непрямозонных полупроводниках проведено исследование образцов p-кремния. Для измерения использовались диодные n+-p-p+-структуры. Полученные результаты свидетельствуют о возможности полного увлечения основными дырками неосновных электронов в материале p-типа проводимости при уровне легирования N>1018 см-3 уже при комнатной температуре.
Мнацаканов Т.Т., Поморцева Л.И., Шуман В.Б. Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии принизком уровне инжекции носителей заряда // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 833

Определены оптические константы слоев пористого кремния в диапазоне 600/800 нм и исследовано влияние на них термического отжига в вакууме. Изменение комплексного показателя преломления связано с десорбцией реагентов и продуктов электрохимической обработки кремния. Установлено, что при нагреве до 600 oC температурный коэффициент изменения отражения слоя пористого кремния на длине волны 633 нм не превышает 10-6.
Киселев В.А., Полисадин С.В., Постников А.В. Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 830

Теоретически исследованы коэффициент прохождения и времена туннелирования частиц, описываемых гауссовыми волновыми пакетами конечной ширины. Рассчитаны средние импульсы частиц в случае прохождения и отражения. Показано, что параметры туннелирования сильно зависят от степени пространственной локализации частиц.
Чуприков Н.Л. Роль пространственной локализации частицы в процессе туннелирования // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 825

На основании аналогии между фотоупругими и упругими свойствами полупроводниковых кристаллов получены выражения для модулей фотоупругости. Расчет проделан для широкозонных полупроводников (карбида кремния и нитридов бора, алюминия и галлия) со структурой как сфалерита, так и вюрцита. Также рассчитана квадратичная диэлектрическая восприимчивость для гексагональных структур.
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К. О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 823

Исследовано влияние лазерного излучения наносекундной длительности на фотопроводимость и 1/f-шум в кристаллах CdxHg1-xTe. Показано, что лазерное облучение вызывает снижение фоточувствительности образцов и коротковолновый сдвиг максимума и длинноволнового края спектра фотопроводимости. Усиление 1/f-шума по интенсивности и частоте связано с возрастанием дефектности материала под действием лазерного облучения.
Власенко А.И., Гнатюк В.А., Копишинская Е.П., Мозоль П.Е. Влияние лазерного облучения на фотопроводимость и шумы вмонокристаллах n-CdxHg1-xTe // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 820

Приводятся данные о содержании водорода и различных формах его связи с кремнием в пленках a-Si : H, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле (MASD), в зависимости от условий осаждения: температуры, давления смеси 25% SiH4+75% Ar, скорости прокачки, введения в разрядную камеру сетки. Установлены корреляции между величиной фотопроводимости и особенностями структуры пленок.
Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Казанин М.М. Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе вмагнитном поле // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 816

Исследованы электрофизические свойства и спектр глубоких ловушек в GaAs при термообработке, нейтронном облучении и последующем отжиге до Tann=1100 oC. Показано, что при Tann>900 oC в GaAs интенсивно формируются термоакцепторы, что приводит к ухудшению свойств ядерно-легированного материала. Проведены оценки коэффициента использования примеси при ядерном легировании GaAs в зависимости от Tann и интегрального потока нейтронов. Приведены параметры глубоких ловушек в исследованном материале.
Брудный В.Н., Колин Н.Г., Новиков В.А., Нойфех А.И., Пешев В.В. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 811

Изучены фотоэлектрические свойства тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2 с применением поляризационной спектроскопии фотоактивного поглощения. Показано, что тонкопленочные солнечные элементы имеют высокую эффективность относительно интенсивности неполяризованного излучения в диапазоне энергий фотонов от 1.2 до 2.5 эВ. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма PI возрастает с увеличением угла падения падающего излучения в соответствии с законом PI~ theta2 и при 70o достигает 17-20% при энергии фотонов 1.3 эВ. Обнаружены также осцилляции фотоплеохроизма. Эти результаты обсуждаются с учетом эффекта просветления. Полученные результаты открывают возможности использования таких солнечных элементов в качестве широкополосных фотосенсоров линейно-поляризованного излучения и контроля процессов получения высокоэффективных тонкопленочных солнечных элементов на основе тройных полупроводников.
Вальтер Т., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шок Г.В. Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2 // ФТП, 1997, том 31, выпуск 7, Стр. 806