В рамках существующих представлений о специфических свойствах контактов двумерной электронной системы с "внешними" металлическими электродами, приводящими к нарушению пространственной однородности двумерной электронной плотности, обсуждаются необычные осцилляции проводимости двумерного диска Корбино в магнитном поле, обнаруженные недавно экспериментально.
Шикин В.Б., Шикина Н.И. Контактные явления в двумерных электронных системах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 567

Изучались температурные зависимости коротковолновой квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностно-барьерных структур на основе GaAs в интервале температур 78/ 300 K и энергий фотонов 1.8/ 4.7 эВ. Показано экспериментально, что квантовая эффективность gamma возрастает с ростом температуры T; при высоких температурах зависимость gamma от T стремится к насыщению. Для объяснения температурного роста квантовой эффективности фотоэлектропреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs предложена модель, основанная на представлении о флуктуационных ловушках в слое объемного заряда структуры. Эта модель при достаточно хорошем согласии с экспериментом позволяет разделить зависимости квантовой эффективности от температуры и от энергии фотонов, т. е. выделить в явном виде температурную зависимость квантовой эффективности.
Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Оболенский О.И., Поссе Е.А., Царенков Б.В. Фотоэлектрический эффект в поверхностно-барьерных структурах наоснове GaAs: температурная зависимость коротковолновой квантовой эффективности // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 563

Проведены экспериментальные исследования термомагнитных эффектов Маджи--Риги--Ледюка, Риги--Ледюка и Нернста--Эттингсгаузена для трех образцов твердого раствора Bi0.88Sb0.12, легированных теллуром от0.01 до0.2 ат% в температурном интервале20-230 K. Посредством экспериментальных значенийvarkappae и термомагнитных эффектов вычисленоL(T). Обнаружено, что в интервале40-220 K Lexp меньше его зоммерфельдовского значенияL0. Сопоставление L(T) с существующей теорией показало, что заниженное значениеL обусловлено неупругим межэлектронным взаимодействием.
Алиев С.А., Мовсум-заде А.А., Рагимов С.С. О неупругом характере рассеяния электронов в сильно легированном Bi0.88Sb0.12 // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 559

Исследовано влияние обработок в плавиковой кислоте и отжига при T=350 oC на оптические свойства пористого кремния в инфракрасной области спектра. Дана интерпретация наблюдавшихся полос поглощения. Получена оценка коэффициента преломления и толщины пористого слоя.
Копылов А.А., Холодилов А.Н. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном вэлектролитах, содержащих этанол // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 556

На основе методов псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки (4x 4x 4) изучены глубокие уровни, создаваемые нейтральными, нерелаксированными вакансиями в AlAs, GaAs и сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3 (001). Проведен теоретико-групповой анализ симметрии электронных состояний дефектных кристаллов в зависимости от положения вакансий в слоях сверхрешетки. Результаты расчетов зонного спектра идеальной сверхрешетки показывают, что она является прямозонным, многодолинным полупроводником с энергией запрещенной зоны, равной 1.79 эВ. Конкурирующие долины в нижней зоне проводимости находятся около точекX, M, Z зоны Бриллюэна сверхрешетки и происходят из сфалеритных состояний L1c, X3c и Deltac1 соответственно. Размеры выбранной расширенной элементарной ячейки обеспечивают хорошую изоляцию волновых функций соседних глубоких центров, а вычисленные энергии уровней вакансий t2 в запрещенных зонах GaAs и AlAs согласуются с литературными данными. В сверхрешетке тетрагональная компонента потенциала приводит для вакансий, находящихся в средних (крайних) по отношению кAl слоях, к частичному (полному) снятию вырождения этих уровней. Наибольшие изменения (~0.1 эВ) имеют место для вакансии As, расположенной на гетерогранице. Симметрия состояний глубоких уровней и ориентация плоскостей, в которых они локализованы, зависят от геометрического положения вакансии, что может проявиться в поляризационной зависимости оптических характеристик.
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф. Глубокие уровни вакансий в сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3 // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 545

Свойства инжекционных гетеролазеров GaAs--AlGaAs с квантовыми точками (КТ) (In,Ga) As кардинально зависят от числа плоскостей с КТ (N), внедренных в активную область. Генерация через основное состояние экситона в квантовой точке при комнатной температуре реализовано в структурах с N>3. Для N=1 при 300 K генерация осуществляется через возбужденное состояние экситона в КТ или через состояния смачивающего слоя. Увеличение числа плоскостей с квантовыми точками приводит к снижению пороговой плотности тока и увеличению дифференциальной квантовой эффективности. При этом, наименьшая пороговая плотность тока 97 А/см2 (lambda=1.05 мкм, 300 K) достигнута в структурах с максимальным N (N=10).
Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Устинов В.М., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 539

Исследованы некоторые характеристики тепловой и световой стабильности в пленках a-Si : H, осажденных в триодном реакторе при температурах 300/ 390oC, с различной концентрацией водорода C H. Найдено, что температура установления равновесия TE увеличивается с уменьшением C H. При длительном освещении фотопроводимость уменьшается во времениt по закону t-1/3 в пленках с большим значением C H. В пленках с малым содержанием водорода фотопроводимость падает медленнее.
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Голикова О.А., Кудоярова В.Х. О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si : H, выращенных при высоких температурах // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 536

Исследовано влияние нейтронного облучения (Phi=1014-1015 см-2) и последующих отжигов (T=100-750oC) на фотолюминесценцию сильно легированных теллуром кристаллов n-GaAs (n0~=2·1018 см-3). Показано, что указанное радиационно-термическое воздействие при возрастании температуры отжига приводит сначала (при T~= 300oC) к появлению интенсивной полосы люминесценции с максимумом излучения вблизи 1.35 эВ, а затем (при T>550oC) к снижению ее интенсивности. Отмеченное связано с радиационно-стимулированной генерацией пар VGaTeAsVAs при умеренных температурах прогрева и последующей их диссоциацией при повышенных температурах прогрева.
Глинчук К.Д., Прохорович А.В. Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 533

Исследованы коэффициенты Холла R, термоэдс S и электропроводности в PbSe, легированном Na, при введении изовалентных свинцу примесей Cd и Mn в концентрациях до 5 ат %. Экспериментальные данные вместе с ранее полученными результатами указывают, что в халькогенидах свинца в присутствии изовалентных примесей акцепторное действие Na ослаблено вследствие локализации дырок на дефектах. Согласно предложенной модели акцепторного легирования, такими дефектами в халькогенидах свинца могут быть атомы халькогена в металлической подрешетке. Повышение температуры, а также введение изовалентных примесей с относительно малыми ионными радиусами способствуют их образованию. Антиструктурные дефекты создают резонансные уровни в валентной зоне, положение которых зависит от концентрации Na.
Алексеева Г.Т., Гуриева Е.А., Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И. Природа центров локализации дыроквхалькогенидах свинцас примесью натрия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 528

Впервые сообщается о наблюдении эффекта контактной эксклюзии в p+-p-p+-структурах на базе InAs при высоких температурах. Для идентификации процесса неравновесного истощения базы, свидетельствующего об эксклюзии свободных носителей заряда, исследовались вольт-амперные характеристики, кинетика установления тока и отрицательная люминесценция в спектральной области межзонных переходов. Обсуждается практический аспект этого явления.
Болгов С.С., Малютенко В.К., Савченко А.П. Эксклюзия носителей заряда в InAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 5, Стр. 526