Для определения профиля концентрации глубокоуровневых центров в диэлектрике на границе раздела с полупроводником был использован метод постоянной емкости с длительным измерением временной зависимости напряжения, что позволило увеличить разрешение по глубине. Измерено распределение глубокоуровневых центров в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия. Показано, что в интервале 22/27 Angstrem от границы раздела концентрация глубокоуровневых центров не зависит от координаты.
Берман Л.С. Распределение глубокоуровневых центров по глубине в двуокиси кремния вблизи границы раздела с фосфидом индия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 83

Рассмотрены существующие методы диагностики временной нестабильности параметров границы раздела полупроводник--диэлектрик с глубокоуровневыми центрами. Предложен метод определения временной нестабильности по длительной изотермической релаксации емкости структуры металл--диэлектрик--полупроводник. Определен энергетический спектр эффективной плотности поверхностных состояний в структурах n-InP--SiO2--Al, изготовленных химическим осаждением в паровой фазе. Изменение емкости в ходе длительной изотермической релаксации является критерием временной нестабильности границы раздела диэлектрик--полупроводник.
Берман Л.С. Анализ временной нестабильности параметров границы раздела диэлектрик--соединение A IIIB V методом изотермической релаксации емкости // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 78

Проведены магнитооптические исследования кристаллов Cd1-xMnxS с концентрацией магнитной компоненты x1=0.0056, x2=0.0013, x3=0.0002 при T=2 K в магнитном поле H=< 3.5 T для H normal c и H|| c, где c--- гексагональная ось кристалла. Впервые удалось надежно зафиксировать спиновое расщепление спектров экситонного отражения B-экситонного перехода благодаря использованию поперечной геометрии эксперимента H normal c. На основании данных, полученных как при H normal c, так и при H|| c, найдены параметры кристаллического поля и спин-орбитального взаимодействия Delta1, Delta2, Delta3 и обменные константы Je, Jh кристаллов Cd1-xMnxS, обеспечивающие наилучшее описание эксперимента в приближении среднего обменного поля. Проведенный анализ показал, что для всего ряда исследованных кристаллов Cd1-xMnxS основные качественные особенности наблюдаемых спектров отражения могут быть описаны только исходя из условия (Delta1-Delta2)
Абрамишвили В.Г., Комаров А.В., Рябченко С.М., Семенов Ю.Г. Исследование структуры края валентной зоны кристаллов Cd 1-xMnxS при помощи магнитооптических измерений // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 72

Проведены исследования фотолюминесцентных свойств квантовых точек, образующихся при осаждении тонкого слоя InSb (1--3 монослоя) на поверхности GaAs(100) и GaSb(100). Результаты работы указывают на важность реакций замещения As--Sb при формировании квантовых точек на поверхности GaAs.
Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Мельцер Б.Я., Неклюдов П.В., Шапошников С.В., Воловик Б.В., Крестников И.Л., Сахаров А.В., Берт Н.А., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Фотолюминесценция квантовых точек InSb в матрицах GaAs и GaSb // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 68

Исследовались волноводные свойства двойных гетероструктур на основе нитридов элементов IIIгруппы A III N. Установлено, что в твердом растворе широкозонной области достаточным (для ограничения оптической моды внутри активной области) является содержание AlN не более 8/ 10%. Учтено влияние поглощения света в широкозонных слоях на плотность порогового тока гетероструктурных лазеров. Для гетероструктур на основе A III N этот вид поглощения света будет, по-видимому, определяющим. Для лазеров на основе таких структур плотность порогового тока ожидается на уровне порядка 10 кА/см2. Вследствие сильного поглощения света в волноводном слое для лазеров на одиночные квантовых ямах не следует ожидать снижения плотности порогового тока по сравнению с обычными лазерами на двойных гетероструктурах. Снижение плотности порогового тока до нескольких кА/см2 возможно для лазеров с большим числом квантовых ям.
Бугров В.Е., Зубрилов А.С. Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 63

Исследованы спектры пропускания при комнатной температуре и температуре 77 K квазипериодических сверхрешеток Фибоначчи и апериодических сверхрешеток Тью--Морса PbS--CdS, изготовленных методом импульсного лазерного напыления. Спектр оптических переходов непериодических сверхрешеток значительно богаче, чем следует из расчета спектра периодических сверхрешеток. Это является следствием фрактальной структуры энергетического спектра непериодических сверхрешеток. Экспериментально обнаружено самоподобие энергетического спектра решеток Тью--Морса.
Мусихин С.Ф., Ильин В.И., Рабизо О.В., Бакуева Л.Г., Юдинцева Т.В. Оптические свойства квазипериодических и апериодических сверхрешеток PbS--CdS // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 56

Методами неразрушающего контроля по шумовым характеристикам, фольт-фарадных характеристик исследовано влияние лазерного излучения на электрическую прочность и характеристики границы раздела системы карбид кремния--диэлектрик. Выявлены эффекты управления фиксированным зарядом в слое диэлектрика и изменения распределения плотности поверхностных состояний. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых явлений.
Карачинов В.А. Эффекты зарядовой нестабильности в системе карбид кремния--диэлектрик // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 53

На монокристаллах тройных соединений CuInS2, CuInSe2 и твердых растворах CuInS2xSe2(1-x), выращенных методом химических транспортных реакций, исследованы спектры отражения в инфракрасной области и спектры комбинационного рассеяния света. Определены значения частот оптических колебаний в указанных материалах и установлен характер их поведения в твердых растворах.
Боднарь И.В. Исследование колебательных спектров твердых растворов CuInS2xSe2(1-x) // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 49

Построена теория переходных ионных процессов в диэлектрическом слое с однородным распределением ловушек по объему. Показано, что свободные ионы, сосредоточенные у поверхности, оказываются заключенными в потенциальную яму, обусловленную отталкиванием от носителей заряда, захваченных на ловушки. В этой связи энергия активации тока свободных ионов больше, чем энергия активации подвижности, и уменьшается с ростом напряжения, а опустошение ловушек происходит с запаздыванием. Температурная зависимость тока деполяризации содержит два или три пика, положение и форма которых изменяются с напряжением. Отличительной особенностью перетекания ионов по изолятору с ловушками является "память" об электрическом поле, прижимавшем носители заряда к поверхности до начала переходного процесса.
Гольдман Е.И. Переходные ионные процессы в диэлектрическом слое с ловушками // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 43

В бесщелевом полупроводнике CdxHg1-xTe (x=0.04-0.16) получены магнитополевые и деформационные зависимости фотоэлектрических, фотомагнитных, а также фототермомагнитных характеристик при раскрытии энергетической щели. При возбуждении ИК излучением обнаруживается резкий рост фотосигнала с увеличением магнитного поля либо одноосной упругой деформации. В области квантового предела проявляются осцилляции большой амплитуды, связанные с участием в рекомбинации продольных оптических фононов. В миллиметровой области спектра проявляется гигантская осцилляция фотоотклика, связанная с изменением концентрации электронов. Последнее подтверждается полевой зависимостью фотоэффекта Холла. Показано, что фототермомагнитный эффект является дифференциальным сигналом по отношению к сигналу фотопроводимости.
Гасан-заде С.Г., Сальков Е.А., Шепельский Г.А. Фотоэлектрические и фотомагнитные свойства бесщелевого CdxHg1-xTe в инфракрасной и миллиметровой области спектра излучения прираскрытии энергетической щели // ФТП, 1997, том 31, выпуск 1, Стр. 35