We show that the contribution to the fine structure of the ground exciton level in a semiconductor nanocrystal due to the long-range part of the electron-hole exchange interaction can be equivalently described as arising from the mechanical exciton interaction with the exciton-induced macroscopic longitudinal electric field. Particular cases of nanocrystals with cubic and wurtzite crystal lattice in the strong confinement regime are studied taking into account the complex structure of the valence band. A simplified model accounting for the exciton ground-level splitting and exploiting an effective local scalar succeptibility is established.
Goupalov S.V., Lavallard P., Lamouche G., Citrin D.S. Electrodynamical treatment oftheelectron-hole long-range exchange interaction insemiconductor nanocrystals // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 730

Построена теория нелинейных TE-поляризованных волноводных мод, распространяющихся внутри симметричной планарной трехслойной структуры с линейной сердцевиной и нелинейными обкладками. Нелинейность обкладок обусловлена учетом процесса оптической экситон-биэкситонной конверсии. Получены и исследованы законы дисперсии распространяющихся волн.
Коровай О.В., Хаджи П.И., Берил С.И. Нелинейные волноводные моды всимметричной трехслойной структуре, обусловленные генерацией экситонов ибиэкситонов вполупроводниках // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 720

Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры спектров полного тока и спектров прохождения низкоэнергетических электронов по нормали к поверхности (0001) монокристалла MoS2. В расчетах учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии и электронное строение конечных незаполненных высоколежащих состояний (выше уровня вакуума Evac), в которые попадают электроны при входе в твердое тело. Проведено сравнение с существующими экспериментальными и теоретическими данными. Показана преобладающая роль эффектов объемной зонной структуры (экстремумы в спектрах отражают энергетическое положение критических точек типа краев (границ) энергетических зон или точек экстремальной кривизны дисперсионных ветвей ) в формировании спектров. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в спектрах от поверхностных, что может успешно применяться для контроля состояния поверхности в процессе обработки. Настоящая работа выполнена при поддержке Государственного фонда фундаментальных исследований Украины.
Панченко О.Ф. Незаполненные электронные состояния вспектрах полного тока испектрах прохождения низкоэнергетических электронов дисульфида молибдена // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 715

Представлена теория спонтанного излучения и упругого рассеяния света квазидвумерными экситонами квантовой ямы, помещенной в микрорезонатор Фабри--Перо. Задача решается методом электродинамических функций Грина при учете флуктуаций ширины квантовой ямы и формы стенок резонатора в качестве возмущения. В нулевом приближении теории возмущений (плоские границы раздела) найдены общие выражения для скоростей излучательного распада квазидвумерных экситонов и сдвигов их энергии в резонаторе. Граничные условия для электромагнитного поля учитываются с помощью коэффициентов отражения света внутрь резонатора от его стенок. В низшем (борновском) приближении по флуктуациям ширины квантовой ямы найдены резонансные вклады в сечения рассеяния, различающиеся поляризациями p или s падающей и рассеянной волн. Спектральные и угловые зависимости упругого рассеяния света исследованы численно для гауссовых и экспоненциальных корреляционных функций. Показано, что вклад флуктуаций ширины квантовой ямы в рассеяние света на два порядка величины больше, чем вклад изолированных интерфейсов (поверхностей) гетероструктуры. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-17601 и N 00-02-17030).
Кособукин В.А. Спонтанное излучение иупругое рассеяние света экситонами квантовой ямы вмикрорезонаторе Фабри--Перо // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 701

Полнопотенциальным методом присоединенных плоских волн исследуется поверхностная электронная структура тонких пленок меди с монослоями Co, Ni и Cs. Анализируются локальные плотности электронных состояний, распределение зарядовой плотности в слоях, электронные энергетические спектры. Обсуждается влияние адсорбатов на электронные свойства поверхности Cu(001) и работу выхода. Получено удовлетворительное согласие с имеющимися экспериментальными данными. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-16336а).
Чудинов Д.В., Кулькова С.Е., Смолин И.Ю. Исследование взаимодействий поверхностных состояний меди спереходными металлами ицезием // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 559

С использованием метода погруженного атома проведены расчеты колебательных спектров для поверхности Cu(100) с одним и двумя монослоями Ni. Детально обсуждаются релаксация поверхности, дисперсия поверхностных фононов, а также поляризация колебательных мод адсорбента и подложки. Полученные теоретические результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными и могут использоваться для их интерпретации. Обсуждается изменение межатомных взаимодействий при нанесении адсорбaтов. Работа выполнена при поддержке Министерства промышленности, науки и технологий Российской Федерации (грант N 40-012.1.1.1153).
Русина Г.Г., Скляднева И.Ю., Чулков Е.В. Колебательные состояния на поверхностях Cu (100) садслоямиNi // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 555

Метод молекулярной динамики применен для исследования выхода межузельных атомов на свободную грань двумерного нанокристалла. Обнаружены два новых типа координации дефекта \glqq межузельный атом\grqq: симметричная координация \glqq трилистника\grqq и линейная координация сжатых атомов. Показано, что при линейной координации в двумерной кристаллической решетке возникает дислокационный диполь. Он характеризуется высокой подвижностью, способствующей выходу межузельного атома к свободной грани кристалла. В компьютерном эксперименте исследованы случаи перехода межузельного атома от одного типа координации к другому в зависимости от температуры кристалла.
Лагунов В.А., Синани А.Б. Компьютерное моделирование межузельных атомов вдвумерных нанокристаллах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 542

Приготовлены образцы нанокомпозита \glqq опал+HgSe\grqq с 100% заполнением пустот первого порядка опала селенидом ртути. В интервале температур T=5-200 K измерены эффективные теплопроводность (varkappaeff) и удельное электросопротивление (rhoeff), а в интервале 80--300 K --- коэффициент термоэдс (alpha). Показано, что величина alpha HgSe в опале остается такой же, как и в объемных образцах селенида ртути с близкими значениями концентраций носителей тока. При этом у HgSe в опале не изменяется и механизм рассеяния носителей тока. Из varkappaeff и rhoeff выделены полная теплопроводность (varkappa0tot), удельное электросопротивление (rho0) и определены электронная (varkappa0e) и решеточная (varkappa0ph) составляющие теплопроводности для HgSe в опале. Во всем исследованном интервале температур (5--200 K) величина varkappa0ph оказалась значительно меньше, чем varkappaph для объемного HgSe с той же концентрацией носителей тока. При T>20 K такое поведение varkappa0ph(T) объясняется наличием специфических примесей и дефектов, возникающих в HgSe, а при T
Богомолов В.Н., Картенко Н.Ф., Курдюков Д.А., Парфеньева Л.С., Попов В.В., Сорокин Л.М., Смирнов И.А., Мисиорек Х., Ежовский А., Хатчисон Дж. Теплопроводность HgSe, введенного врешетку пустот монокристалла синтетического опала // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 535

Исследована природа отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП) полупроводниковых сверхрешеток. Показано, что для ее возникновения наличие областей отрицательной эффективной массы в мини-зоне Бриллюэна не является необходимым. ОДП существует даже в сверхрешетках с \glqq параболическим\grqq и \glqq сверхквадратичным\grqq законами дисперсии мини-зон, в которых эффективная масса электрона всюду положительна, и в этом случае полностью определяется брэгговскими отражениями электрона. При подавлении брэгговских отражений электрона оптическими фононами ОДП может полностью исчезнуть. Она сохраняется лишь при наличиии в мини-зоне значительной области отрицательной эффективной массы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-1644) и Минпромнауки РФ.
Романов Ю.А. Одифференциальной проводимости полупроводниковых сверхрешеток // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 529

Методом атомно-силовой микроскопии исследовалась структура поверхности, а также формирование дислокационной спирали на грани (010) бифталата калия, растущего из водно-спиртового раствора. Показано, что грань растет по дислокационному механизму. Обнаружены каналы, окружающие дислокационные источники с большим вектором Бюргерса. Плотность изломов на ступенях оказалась столь большой, что гладких участков между изломами не обнаружено. Скорость ступени флуктуирует, причем флуктуации нарастают пропорционально корню четвертой степени из времени. При образовании спирали сегмент ступени по достижении им критической длины сразу приобретает постоянную скорость, не зависящую от длины сегмента. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 00-02-16701.
Рашкович Л.Н., Петрова Е.В., Шустин О.А., Черневич Т.Г. Формирование дислокационной спирали на грани(010) кристалла бифталата калия // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 377