Структуры с квантовыми точками CdS, PbS, ZnS, полученные с использованием метода Ленгмюра--Блоджетт, исследованы с помощью ИК спектроскопии, рамановского рассеяния света и УФ спектроскопии. Размер квантовых точек, полученный из анализа УФ и экспериментов по электронной микроскопии высокого разрешения, составляет 2--6 nm. В спектрах ИК отражения и рамановского рассеяния света структур обнаружены продольные оптические (LO) фононы, локализованные в квантовых точках, и поверхностные оптические колебательные моды. Учет эффекта локализации оптических фононов в квантовых точках позволил адекватно описать частоты поверхностных оптических мод. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-03-32796).
Милехин А.Г., Свешникова Л.Л., Репинский С.М., Гутаковский А.К., Фридрих М., Цан Д.Р.Т. Оптические колебательные моды вквантовых точках (Cd, Pb, Zn)S вматрице Ленгмюра--Блоджетт // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 10, Стр. 1884

В рамках нерелятивистской флуктуационно-электромагнитной теории впервые получены формулы для квадруполь-квадрупольного вклада в тангенциальную и нормальную компоненты силы, действующей на частицу, движущуюся параллельно поляризующейся поверхности. Рассмотрены случаи, когда частица обладает постоянным или флуктуационным квадрупольным моментом, а поверхность характеризуется локальной диэлектрической функцией.
Кясов А.А., Дедков Г.В. Динамическое флуктуационно-электромагнитное взаимодействие нерелятивистской квадрупольной частицы сплоской поверхностью // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1700

Построена теория эффекта Шубникова--де Гааза в наклонном магнитном поле в двумерных системах. Рассчитан тензор проводимости при произвольном отношении зеемановского расщепления к циклотронному (r) с учетом возможной анизотропии g-фактора. Показано, что при целом r в спектре осцилляций Шубникова--де Гааза доминирует основная гармоника, а фаза осцилляций зависит от четности r. При полуцелом r осцилляции проводимости определяются гармониками второго порядка малости. Работа поддержана Министерством науки РФ, Российским фондом фундаментальных исследований, INTAS и программой президиума РАН \glqq Квантовые низкоразмерные структуры\grqq.
Тарасенко С.А. Влияние зеемановского расщепления наосцилляции Шубникова--деГааза вдвумерных системах // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1690

Рассчитаны отражение, прохождение и поглощение симметричного электромагнитного импульса, несущая частота которого близка к частоте межзонного перехода в квантовой яме. Уровни энергии в квантовой яме предполагаются дискретными, учитывается один возбужденный уровень. Рассматривается случай достаточно широкой ямы, когда длина волны импульса, соответствующая несущей частоте, сравнима с шириной ямы и необходимо учитывать зависимость матричного элемента межзонного перехода от волнового вектора света. Учтено различие в показателях преломления вещества квантовой ямы и барьера. Предполагается произвольное соотношение между обратными радиационным и нерадиационным временам жизни возбужденного уровня электронной системы. Учет пространственной дисперсии и различия в показателях преломления сильнее всего влияет на отражение, так как наряду с отражением, связанным с межзонными переходами в самой яме, имеет место дополнительное отражение от границ ямы. По сравнению с ранее рассмотренной моделью наиболее радикальные изменения имеют место в отражении в случае, когда обратное нерадиационное время жизни возбужденного состояния велико по сравнению с обратным радиационным временем жизни. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 00-02-16904) и программы МНТК \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq (97-1099). С.Т. Павлов благодарит Университет Закатекаса и Национальный совет Мексики по науке и технологии (CONACyT) за финансовую поддержку и гостеприимство. Д.А. Контрерас-Солорио благодарит CONACyT (27736-E) за финансовую поддержку.
Коровин Л.И., Ланг И.Г., Контрерас-Солорио Д.А., Павлов С.Т. Прохождение симметричного светового импульса сквозь широкую квантовую яму // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1681

Изложены результаты теоретического анализа процессов роста на стадиях зарождения и оствальдовского созревания островков GaN в интервале температур 480-1000oC на поверхности подложки, покрытой буферным слоем AlN. Показано следующее. (1) При температурах (T>650oC) рост отровков контролируется химической реакцией образования молекул нитрида галлия вдоль контура поверхности островка. Зарождающиеся в этой температурной области островки имеют широкий спектр размеров. (2) При температурах (T
Кукушкин С.А., Бессолов В.Н., Осипов А.В., Лукьянов А.В. Механизм икинетика начальных стадий роста пленкиGaN // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 7, Стр. 1337

Экспериментально изучено взаимодействие алюминия с поверхностью (10 10) рения в широком интервале температур (300-2000 K). Обнаружено образование поверхностного алюминида (ПА) состава ReAl с концентрацией адсорбированных атомов Al NAl=1.6·1015 cm-2. Показано, что удаление алюминия с поверхности протекает за счет термодесорбции в интервале температур 1300-1600 K, причем при переходе через концентрацию, соответствующую ПА, энергия активации десорбции испытывает скачок от ~3.6 к  ~4.2 eV. Работа выполнена при поддержке Государственной программы МН РФ \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (проект N 4.6.99).
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Взаимодействие алюминия споверхностью рения: адсорбция, десорбция, рост поверхностных соединений // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 7, Стр. 1332

Методом просвечивающей и растровой электронной микроскопии, а также микродифракции электронов изучено образование островковых структур при осаждении слабопересыщенных паров Al. Получение слоев производилось методом магнетронного распыления на постоянном токе в среде высокоочищенного Ar. Установлены условия образования статистически однородных слоев нанокристаллов в зависимости от температуры осаждения, парциальных давлений Ar и химически активных газов. Получены соотношения, на основании которых проведены расчеты краевого контактного угла островков с подложкой в зависимости от температуры конденсации. Работа выполенена при финансировании Министерства образования и науки Украины (проект N 84.02.04.00-02).
Перекрестов В.И., Коропов А.В., Кравченко С.Н. Образование островковых структур приосаждении слабопересыщенных паров алюминия // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1131

Изучен процесс роста дисилицида кобальта на грани Si (100) в условиях реактивной эпитаксии при T=350oC в диапазоне толщин напыленного кобальта 10-40 ML. Исследование проведено с помощью нового метода визуализации атомного строения приповерхностного слоя неупруго отраженными электронами средней энергии. Показано, что сформированные пленки состоят из зерен CoSi2 (221) четырех азимутальных ориентаций, развернутых на 90oC друг относительно друга. Такая доменная структура обусловлена фасетированием поверхности подложки плоскостями (111), происходящим в процессе силицидообразования. На фасетках (111) эпитаксиально растут слои CoSi2(111) с B-ориентацией. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17288) и МПНТ (направление \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq, проект N 5.10.99).
Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Фараджев Н.С. Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта наSi (100) // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1126

Впервые измерена температурная зависимость интенсивности резонансов выхода атомов европия при электронно-стимулированной десорбции с поверхности вольфрама с различной степенью окисления для различных степеней покрытия европием. Измерения выполнены с помощью времяпролетного метода и детектора на основе поверхностной ионизации. Температурные зависимости качественно различаются для резонансов, связанных с ионизацией остовных уровней европия и вольфрама. Зависимость обратима при изменении температуры до начала термодесорбции европия. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-17972) и Российской государственной программы \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (грант N 4.5.99).
Агеев В.Н., Кузнецов Ю.А. Температурная зависимость резонансов выхода атомовEu приэлектронно-стимулированной десорбции сокисленного вольфрама // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1121

Исследованы особенности магнетопоглощения света частоты Omega, близкой к ширине запрещенной зоны, в размерно-ограниченных системах в присутствии ИК лазерного излучения. Показано, что если частота лазерного излучения равна циклотронной частоте, форма линии магнетопоглощения может полностью определяться интенсивностью ИК излучения. Указывается на существенное изменение частотной зависимости межзонного поглощения слабой электромагнитной волны, в параболических квантовых ямах, когда частота лазерной подсветки равна частоте размерного квантования, а вектор поляризации параллелен оси пространственного квантования.
Синявский Э.П., Брусенская Е.И. Магнетопоглощение света вразмерно-ограниченных системах вполе резонансного лазерного излучения // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1116