Проведено исследование начальной стадии формирования кислородных преципитатов в кремнии с использованием методов DLTS, селективного травления в инфракрасной спектрометрии. Установлено, что формирование кислородных преципитатов при Ta=600/ 960oC идет путем возникновения локальных областей, обогащенных межузельным кислородом. С ростом времени отжига размеры этих областей уменьшаются, а локальная концентрация кислорода в них возрастает и начиная с некоторой критической концентрации кислорода происходит переход к фазе SiO2. Гидростатическое давление, используемое на стадии формирования, приводит к образованию более мелких преципитатов и ускоряет переход к фазе SiO2.
Антонова И.В., Мисюк А., Попов В.П., Шаймеев С.С. Исследование процесса формирования кислородных преципитатов вкремнии // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 998

Методами DLTS и Ван-дер-Пау проведено исследование формирования центров Ec-0.37 эВ, ответственных за образование высокоомных слоев в облученном электронами и отожженном в температурном интервале 80/ 320oC n-Si. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о составе центров Ec-0.37 эВ ([V--O--C]) и заключить, что их формирование стимулировано потоком межузельных атомов кремния(I) и углерода(Ci) от границы раздела в объем полупроводника в процессе отжига с прохождением следующих реакций: 1)I+Cs-> Ci, Ci+[V-O]-> [V-O-C] (доминирующая реакция), 2)I+V2-> V, V+[C-O]-> [V-O-C].
Наумова О.В., Смирнов Л.С., Стась В.Ф. Природа центров Ec-0.37 эВ и образование высокоомных слоев вSin-типа проводимости // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 993

Исследованы процессы инверсии типа проводимости в эпитаксиальных пленках Pb1-xSnxTe при воздействии непрерывного излучения CO2-лазера (lambda=10.6 мкм) допороговой мощности. Предполагается, что стабильное инверсионное состояние возникает вследствие образования нейтральных бивакансий металла и халькогена.
Греков Ю.Б., Семиколенова Н.А., Шляхов Т.А. Инверсия типа проводимости эпитаксиальных пленок твердых растворов PbSnTe при воздействии лазерного излучения допороговой мощности // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 990

Исследована вольт-амперная характеристика электронов в условиях динамического междолинного перехода в сильных E normal H полях в твердом растворе Ga1-xAlxAs при плавном уменьшении энергетического зазора Deltavarepsilon между нижней и верхними долинами. Показано, что статическая отрицательная дифференциальная проводимость особенно чувствительна к изменению магнитного поля H при малых величинах Deltavarepsilon. В этом случае увеличение H подавляет статическую отрицательную дифференциальную проводимость. Этим способом можно избавиться от низкочастотных осцилляций Ганна с одновременным сохранением динамической отрицательной дифференциальной проводимости, подавляющейся в субмиллиметровой области спектра.
Дзамукашвили Г.Э., Качлишвили З.С., Метревели Н.К. Эволюция статической отрицательной дифференциальной проводимости вGa1-xAlxAs взависимости отвеличины поперечного магнитного поля иотсостава твердого раствора // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 987

Получены в параметрическом виде формулы для расчета стационарных люкс-амперных характеристик фоторезисторов при произвольной концентрации глубоких уровней в них и любой интенсивности возбуждения. Расчеты по этим формулам позволяют в безразмерных величинах определять условия формирования сублинейных и суперлинейных участков люкс-амперной характеристики в зависимости от интенсивности возбуждения, концентрации и параметров глубоких уровней.
Лебедев А.А. Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 983

В монокристаллах PbTe и Pb0.8Sn0.2Te с естественной огранкой, легированных цинком и кадмием, проведено исследование распределения элементов. Показано образование многослойной структуры, наружный слой которой представляет собой ZnTe (CdTe), а под ним располагается металлический слой.
Бестаев М.В., Горелик А.И., Мошников В.А., Таиров Ю.М. Рентгеноспектральный микроанализ легированных монокристаллов PbTe и Pb0.8Sn0.2Te // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 980

Исследованы диодные лазеры на основе InAsSb/InAsSbP с раздельным электрическим и оптическим ограничением, излучающие в области 3/4 мкм. Более высокая рабочая температура лазеров достигается в том случае, если электрическое ограничение осуществляется с помощью гетеропереходов IIтипа. В лазерах этого типа интерфейсная оже-рекомбинация подавляется, экспериментальная плотность тока близка к теоретически рассчитанной для случая преобладания объемной оже-рекомбинации при температуре 180/220 K.
Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 3/ 4 мкм // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 976

Изучается фотогальванический эффект в двумерной слабо поглощающей среде Дыхне без центра инверсии. Показано, что в результате расходимости среднего квадрата модуля электрического поля происходит гигантское увеличение эффективного фотогальванического коэффициента.
Энтин М.В. Усиление фотогальванического эффекта вдвумерно-разупорядоченной среде // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 973

Исследованы спектральная и интегральная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках дисилицида хрома на кремнии толщиной1000 Angstrem в диапазоне энергий 0.5/1.6 эВ при комнатной температуре. Обнаружено, что максимум фотопроводимости наблюдается при энергии фотонов1.23 эВ, что соответствует области третьего межзонного перехода в дисилициде хрома с энергией 0.9/0.95 эВ. Пронализированы возможные причины слабого сигнала фотопроводимости в области края основного поглощения.
Галкин Н.Г., Конченко А.В., Маслов А.М. Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 969

Исследованы релаксационные свойства пленок распавшихся твердых растворов сульфида и теллурида кадмия. Обнаружена проводимость, стимулируемая осцилляциями температуры. Изучены релаксации, вызванные изменением внешнего электрического поля и температуры. Установлено, что для исследованных образцов характерны возрастающие релаксации тока и остаточная проводимость. Результаты интерпретируются на основе модели неоднородного полупроводника.
Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Проводимость, стимулированная осцилляциями температуры враспавшихся твердых растворах сульфида и теллурида кадмия // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 966