На основе теории функционала плотности методом псевдопотенциала в базисе локализованных орбиталей вычислены самосогласованные зонные спектры кристаллов и заряженных подрешеток оксидов и сульфидов щелочно-земельных металлов. Рассмотрены различные совместимые с электронейтральностью кристалла зарядовые состояния подрешеток включая крайние: нейтральные подрешетки, пустая металлическая и двукратно заряженная анионная. Показано, что валентные зоны кристаллов наиболее близки к валентным зонам двукратно заряженных анионных подрешеток, при этом соответствующие электронные плотности практически совпадают. Нижние зоны проводимости MgO и MgS также довольно близки для кристаллов и двукратно заряженных анионных подрешеток, однако в CaO и CaS имеются существенные расхождения. Это обусловлено различием вкладов анионов и катионов в зону проводимости этих кристаллов, зависящим от взаимного энергетического расположения незанятых p- и d-состояний. Работа поддержана грантом УР.01.01.047 программы Университеты России.
Басалаев Ю.М., Журавлев Ю.Н., Кособуцкий А.В., Поплавной А.С. Генезис энергетических зон из подрешеточных состояний воксидах исульфидах щелочно-земельных металлов // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5, Стр. 826

Приведена модель метастабильного DX-центра, сформированного в результате дисторсии кристаллической решетки CdTe ян-теллеровского типа --- смещения атома остаточной донорной примеси DCd в область ближайшего междоузлия (D --- элемент III группы Периодической системы). На основе координатно-конфигурационной диаграммы ассоциированного дефекта VCd-Di, учитывающей тетраэдрические и гексагональные позиции междоузельного атома, объяснены: сдвиг Стокса, электронный тип проводимости, положение уровня Ферми, особенности фотолюминесценции и др. Результаты исследования энергетического спектра DX-центра коррелируют с известными данными теоретических расчетов.
Ткачук П.Н., Ткачук В.И., Букивский П.Н., Курик М.В. Метастабильный X-центр вмонокристаллах теллурида кадмия // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5, Стр. 804

Феноменология фотогальванического эффекта позволяет предсказать ряд физических явлений, из которых наиболее интересным представляется гальвано-дипольный эффект. Он заключается в появлении макроскопического дипольного момента у образца при протекании через него электрического тока. Рассмотрен один из возможных микроскопических механизмов данного явления, реализующийся в том числе и в центросимметричных средах.
Грачев А.И. Гальвано-дипольный эффект // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 3, Стр. 430

С межатомным потенциалом, предложенным авторами, с учетом вторых соседей рассчитаны уравнения состояния и упругие постоянные, ответственные за распространение звука в сильно сжатых кристаллах инертных газов. Сравнение с экспериментом вполне удовлетворительно. Несколько хуже описывается сдвиговый модуль  B44. Эксперимент подтверждает выполнение соотношения Коши в криптоне, что указывает на центральный характер межатомного взаимодействия в этом кристалле.
Зароченцев Е.В., Троицкая Е.П., Чабаненко Вал.В. Упругие постоянные кристаллов инертных газов поддавлением исоотношения Коши // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 245

Рассматриваются термодинамические свойства щелочно-галоидных кристаллов. Установлена связь между температурой плавления, энергией плавления, скачком энтропии при плавлении и энергией связи диполонов в шестнадцати щелочно-галоидных кристаллах.
Розман Г.А. Корреляции термодинамических характеристик щелочно-галоидных кристаллов сэнергией связи диполонов // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 243

Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитана энергия замещения delta E атомов Si и C в карбиде кремния элементами III и V групп. Рассмотрены два положения атома замещения: в объеме SiC и на его поверхности. С учетом сил изображения дана оценка выигрыша в энергии при замещении поверхностного атома карбида кремния по сравнению с замещением объемного атома. Обсуждается роль релаксации примесной связи. Работа выполнена при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16054, INTAS-01-0603 и NATO SfP N978011.
Давыдов С.Ю. Расчет энергии замещения атомов кремния иуглерода элементамиIII иVгрупп вкарбиде кремния // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 235

Недавно полученные полупроводники, обладающие ферромагнитными свойствами, могут оказаться весьма перспективными средами для оптоакустических приложений. В них возможна генерация звука при переходе в ферромагнитную фазу, контролируемом плотностью фотовозбужденных носителей. Сравниваются эффективности указанного и электронно-деформационного механизмов фотовозбуждения звука. Сделана оценка длительности акустических импульсов, генерируемых при изменении магнитной восприимчивости образца.
Чигарев Н.В. Новый механизм оптоакустического отклика вполупроводнике // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 231

Проведены исследования теплосопротивления (W) и коэффициента теплового расширения (beta) на одних и тех же монокристаллических образцах Si, SiO2, Al2O3 и NaCl. На основе анализа экспериментальных данных по W и beta для веществ с различным типом межатомной связи и критерия возникновения конвекции Ландау показано, что приведенное фононное теплосопротивление равно изобарной термической деформации при любой температуре.
Мурлиева Ж.Х., Казбеков К.К., Палчаев Д.К., Маангалов М.М. Линейная зависимость фононного теплосопротивления неметаллических кристаллов от изобарной термической деформации // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12, Стр. 2173

В стационарных условиях оптической ориентации исследовано распределение спиновой плотности в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Дан подробный анализ динамики и релаксационных процессов, ответственных за установившуюся пространственную неоднородность спиновой ориентации. Определены концентрации акцепторной примеси в разных областях неоднородно легированного арсенида галлия. Концентрации определялись по временам спиновой релаксации, измеренным методом оптической ориентации. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований.
Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Кавокин К.В., Лазарев М.В. Эффект Ханле внеоднородно легированномGaAs // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12, Стр. 2153

Влияние магнитного поля на двухуровневые туннелирующие системы в диэлектрических стеклах объясняется поворотом ядерных спинов в магнитном поле и вызванной этим поворотом перестройкой упорядоченных областей (кластеров) в структуре стекла. Этим процессом объясняется как наблюдавшееся изменение амплитуды поляризационного спонтанного эха, так и наблюдавшееся изменение диэлектрической постоянной в магнитном поле при низких температурах. Проводится сравнение предлагаемой теории с экспериментом. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17499).
Чабан И.А. Влияние магнитного поля на туннелирующие системы встеклах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 1997