В диапазоне температур 80-400 K выполнено экспериментальное исследование теплопроводности оптически прозрачных поликристаллов селенида цинка, полученных осаждением из паровой фазы, и поликристаллов, подвергнутых деформации в направлении роста кристалла и последующей рекристаллизации. В низкотемпературной области измерений наблюдается анизотропия теплопроводности в текстурированных образцах ZnSe, которая сохраняется и после их деформации и рекристаллизации. Анизотропия теплопроводности обусловлена рассеянием фононов дислокациями, ориентированными в направлении роста кристалла. Показано, что в ограничение теплопроводности ZnSe в области температур T>270 K начинают вносить существенный вклад процессы рассеяния акустических фононов оптическими фононами.
Лугуева Н.В., Лугуев С.М., Дунаев А.А. Теплопроводность поликристаллического селенида цинка // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 424

Исследованы спектры фотолюминесценции опала с выращенным на его внутренней поверхности слоем анатаза. Измерения проведены с высоким угловым разрешением при различных мощностях накачки и углах детектирования. Обнаружено, что интенсивность и вероятность излучения приобретают анизотропию, соответствующую частотной и угловой дисперсии первой фотонной щели опала. Показано, что с увеличением мощности накачки подавление спонтанного излучения в фотонной щели заменяется на его усиление. Усиление спонтанного излучения предположительно объяснено наличием локализованных оптических мод дефектов в фотонной щели. Настоящая работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-17685).
Романов C.Г., Фокин А.В. Изменение спонтанного излучения встоп-зоне опала сувеличенным контрастом показателя преломления // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 419

На основе теории функционала локальной плотности вычислены зонные спектры, плотности состояний, распределение валентных и разностных плотностей для кристаллов Na2SO3 и K2SO3 с гексагональной решеткой. Край поглощения этих кристаллов оказывается непрямым. Установлен парциальный состав связок валентных зон. Показано, что поляризующее действие катионов на анионы существенно зависит от симметрии и числа подрешеток металла. Работа поддержана программой \glqq Университеты России\grqq (грант N УР.01.01.47).
Журавлев Ю.Н., Журавлева Л.В., Поплавной А.С. Электронное строение кристаллических сульфитов // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 413

Впервые проведено совместное исследование структурных параметров, электрических и магнитных свойств дителлурида и диселенида татана, интеркалированных кобальтом, в зависимости от концентрации интеркалянта и температуры. Проведен анализ роли матрицы в формировании физических характеристик интеркалированных материалов. Работа выполнена при поддержке US CRDF (грант REC-005), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-03-32620) и Научной программы \glqq Университеты России\grqq (УР.01.01.005).
Плещев В.Г., Титов А.Н., Титова С.Г. Структурные характеристики ифизические свойства диселенида идителлурида титана, интеркалированных кобальтом // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 409

Тонкие пленки псевдоаморфного GaN (a-nc-GaN), а также его сплавов с индием InxGa1-xN (x=0.04 и 0.16) были приготовлены методом магнетронного распыления металлической мишени в плазме реактивной атмосферы смеси азота с аргoном. Пленки a-nc-GaN кодопировались акцепторной примесью Zn и набором РЗМ-примесей: Ce, Tb, Er, Sm и Eu. Спектры фотолюминесценции (ФЛ), возбуждаемой азотным лазером с длиной волны lambda=337 nm, были измерены для всех составов и набора примесей при комнатной температуре и 77 K. Показано, что псевдоаморфная (a-nc) матрица GaN имеет высокоэнергетический край ФЛ при тех же значениях энергии, что и кристаллический (эпитаксиальный) c-GaN. Акцепторная примесь Zn, как и в c-GaN стимулирует голубое излучение, однако спектр ФЛ существенно более размыт, температурное гашение ФЛ практически отсутствует. Введение In в количестве 16 at.% приводит к высокоинтенсивной ФЛ с размытым пиком при 2.1-2.2 eV; ФЛ сплава обнаруживает температурное гашение, составляющее 3-4 раза в интервале 77-300 K. Время спада ФЛ-ответа увеличивается до 50 mus. РЗМ-примеси входят в аморфную сетку GaN в виде трехвалентных ионов и дают узкополосные (за исключением Ce) спектры высокой интенсивности, что свидетельствует как о высокой растворимости РЗМ-примесей в a-nc-GaN, так и о формировании анионной подрешеткой GaN эффективного кристаллического поля с локальной симметрией, способствующей ослаблению правил запрета на внутрицентровые f-f-переходы.
Андреев А.А. Собственная и активированная примесями Zn, Ce, Tb, Er, Sm иEu фотолюминесценция псевдоаморфных тонких пленок GaN иInGaN // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 395

Методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденных растворов-расплавов на основе PbO--B2O3 и Bi2O3--B2O3 на подложках Gd3Ga5O12 выращены Co-содержащие монокристаллические гранатовые пленки. Показано, что кобальт находится в пленках в трехвалентном состоянии. При введении в исходный раствор-расплав GeO2 кобальт переходит в двухвалентное состояние. Показано, что спектр поглощения выращенных пленок содержит две широкие полосы поглощения в диапазоне длин волн 450-800 nm и 900-1800 nm, каждая из которых содержит по три компоненты. Определено спин-орбитальное расщепление этих полос.
Рандошкин В.В., Васильева Н.В., Плотниченко В.Г., Пырков Ю.Н., Салецкий А.М., Сысоев Н.Н., Галкин А.М., Дудоров В.Н. Оптическое поглощение вкобальтсодержащих эпитаксиальных монокристаллических пленках гадолиний-галлиевого граната // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 242

Обсуждается формирование центров окраски в кристаллах PbMoO4, обусловленное нестехиометрическим соотношением компонентов в шихте, введением добавок BaO и Bi2O3, высокотемпературным отжигом кристаллов и облучением ультрафиолетовым светом. Идентифицированы полосы дополнительного оптического поглощения. Показано, что фотохромизм кристаллов связан с перезарядкой центров Pb2++Mo6+=<ftrightarrowPb3++Mo5+.
Бочкова Т.М., Волнянский М.Д., Волнянский Д.М., Щетинкин В.С. Центры окраски вкристаллах молибдата свинца // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 235

Увеличение теплосопротивления кристаллов ZnSe в 200 раз при температуре 15 K, связанное с легированием этих кристаллов атомами никеля, объясняется подавлением вклада тепловых фононов в теплопроводность. По нашим расчетам для достижения таких больших значений теплосопротивления необходимо подавить вклад фононов, частоты которых расположены в интервале шириной не менее 100 K.
Михеев В.М. Гигантское теплосопротивление ZnSeNi принизких температурах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 227

Исследована радикальная перестройка спектра собственных электромагнитных волн в анизотропных пластинах оптически двуосных и одноосных кристаллов при небольших отклонениях направления распространения от симметричной ориентации. Если сагиттальная плоскость и грани пластины являются плоскостями симметрии тензора диэлектрической проницаемости varepsilon, то существует четыре независимых семейства объемных собственных волн, каждое из которых характеризуется бесконечной последовательностью дисперсных кривых. Кривые независимых семейств пересекаются, образуя сетчатую структуру. В результате возмущений, при которых сагиттальная плоскость и грани пластины перестают быть плоскостями симметрии, происходит взаимодействие волн, принадлежащих различным семействам, возникают моды смешанных поляризаций, а дисперсионные кривые расталкиваются: точки пересечения исчезают. В окрестности таких точек даже небольшие изменения частоты приводят к резким изменениям поляризации волновых полей.
Альшиц В.И., Любимов В.Н. Аномалии вспектре собственных электромагнитных волн ванизотропных пластинах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 222

С использованием метода фотонного эха проведено исследование процессов оптической дефазировки в замороженном аморфном толуоле, допированном цинк-октаэтилпорфином, в широком температурном интервале (0.4-100 K), простирающемся вплоть до температуры Дебая твердого толуола (TD=100.7 K). Широкий температурный диапазон измерений позволил надежно разделить различные вклады в уширение бесфононной линии. Анализ экспериментальных данных показал, что при низких температурах основной вклад в оптическую дефазировку вносит взаимодействие примеси с быстрыми туннельными переходами в двухуровневых системах, что приводит к квазилинейному поведению температурной зависимости ширины линии при температурах ниже 3-4 K. При более высоких температурах определяющий вклад в дефазировку вносит взаимодействие примеси с квазилокальными фононами, что приводит к квазиэкспоненциальной температурной зависимости ширины линии. Показано, что этот вклад может быть описан в рамках модели мягких потенциалов, предполагающей существование широкого спектра низкочастотных фононных колебаний матрицы. Определена температура перехода между двумя указанными механизмами уширения линии. Исследования, результаты которых изложены в данной побликации, стали возможными благодаря поддержке фонда U.S. Civilian Research & Development Foundation for the Independent States of the Former Sovien Union (CRDF) (проект N RC1-2215) и Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-16481 и 02-02-16739).
Вайнер Ю.Г., Кольченко М.А., Наумов А.В., Персонов Р.И., Цилкер С.Дж. Оптическая дефазировка втвердом толуоле, активированном цинк-октаэтилпорфином // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 215