Представлены результаты исследования температурной зависимости формы линии неупругого рассеяния нейтронов на TA фононах в GaAs, сильно легированном Te, в интервале температур от 363 до 253 K. Показано, что легирование теллуром (при концентрации носителей Ne~ 2· 1018 cm-3) приводит к появлению дополнительного вклада в рассеяние в области TA фононных резонансов со стороны высоких энергий при значениях приведенного волнового вектора q
Борисов С.А., Вахрушев С.Б., Набережнов А.А., Окунева Н.М. Особенности неупругого рассеяния нейтронов наTA фононах всильно легированном арсениде галлия // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 6, Стр. 1026

Представлены данные по изучению поляризованной люминесценции и короткоживущего оптического поглощения (КОП), наводимых в кристаллах оксида бериллия при импульсном электронном облучении. Экспоненциальные стадии с временем затухания tau=6.5 ms обнаружены в полосах люминесценции при 4.0, 5.0 и 6.7 eV, совпадающих по спектральным и поляризационным свойствам с люминесценцией автолокализованных экситонов (АЛЭ) двух типов. Эффективность образования центров с временем распада 6.5 ms сопоставима с эффективностью образования триплетных АЛЭ. Характер кинетики и времен затухания КОП данных центров не зависит от флюенса электронов и обусловлен мономолекулярным процессом рекомбинации. Установлено, что спектры центров КОП с временем затухания 6.5 ms подобны спектрам дырочных центров V-типа и дырочных компонент АЛЭ. Обсуждается механизм процессов, в соответствии с которым рекомбинация близких пространственно-коррелированных френкелевских пар, Be+- и V--центров проявляется в виде экспоненциального компонента с временем затухания 6.5 ms в люминесценции АЛЭ двух типов в BeO.
Горбунов С.В., Яковлев В.Ю. Возбуждение люминесценции автолокализованных экситонов прирекомбинации френкелевских дефектов вBeO // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 4, Стр. 603

Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы структурные особенности пленки металлической фазы, возникающей при дозированной полировке полупроводниковых поликристаллических образцов Sm1+xS в области гомогенности. Исследованы структурные изменения, возникающие при этом в полупроводниковой фазе. На основании анализа зависимости толщин металлических слоев, образующихся на поверхности образца, от x объяснен механизм влияния на параметры перехода количества избыточных ионов самария. Оценки, проведенные с использованием результатов измерений размеров областей когерентного рассеяния (ОКР) рентгеновского излучения в образцах различного состава, позволили объяснить причину стабилизации металлической модификации SmS после прекращения полировки. Возникновение и стабилизация металлической фазы связаны с уменьшением и сохранением размеров ОКР. Работа выполнена при финансовой поддержке ЗАО \glqq Dial Engineering\grqq.
Шаренкова Н.В., Каминский В.В., Голубков А.В., Васильев Л.Н., Каменская Г.А. Особенности структуры металлической фазы, возникающей поддействием механической полировки поликристаллических образцовSmS // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 4, Стр. 598

Кристаллические текстурированные и столбчатые структуры, а также игольчатые монокристаллы ZnTe синтезированы из паровой фазы и в расплаве теллура при отклонении условий роста от равновесных. Исследования методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеноструктурного анализа показали, что полученные образцы обнаруживают высокое структурное совершенство, однородное распределение примесей и слабое взаимодействие с дефектами кристаллической стукртуры. При заметной остаточной концентрации донора в замещенном состоянии в этих структурах удалось выявить эффект рассеяния поляритонов на нейтральных донорах. Показано также, что для неравновесных условий роста типично появление в спектре переходов, не характерных для равновесных кристаллов. Измерения температурных зависимостей спектров люминесценции и зависимостей от уровня возбуждения, а также различные условия отжига позволили сделать предварительные заключения о природе этих переходов. Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-17392, 03-02-16854, 04-02-17078, а также грантом поддержки вещущих научных школ 1923.2003.2.
Багаев В.С., Клевков Ю.В., Зайцев В.В., Кривобок В.С. Фотолюминесценция кристаллического ZnTe, выращенного приотклонении от термодинамического равновесия // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 4, Стр. 583

Для функции плотности состояний носителей заряда в примесной зоне слаболегированного полупроводника предлагается зависящая от двух параметров итерполяционная формула, которая справедлива для произвольного значения энергии. Указанные параметры, первый из которых есть уровень Ферми, а второй характеризует ширину пиков функции плотности состояний, определяются из условий нормировки и электронейтральности.
Арутюнян С.Л. Интерполяционная формула для кулоновской щели вслаболегированных и компенсированных полупроводниках // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 4, Стр. 581

В рамках кластерного подхода рассмотрены особенности состояний и переходов с переносом заряда (ПЗ) O 2p->V 3d в октаэдрическом комплексе (VO6)9-. Вычислены приведенные матричные элементы оператора электродипольного перехода на многоэлектронных волновых функциях, соответствующих начальному и конечному состояниям при переходе с ПЗ. Параметризация результатов позволила вычислить относительные интенсивности разрешенных переходов с ПЗ без учета смешивания различных конфигураций одинаковой симметрии. В рамках теории Танабе--Сугано с учетом этого смешивания вычислены энергии многоэлектронных переходов с ПЗ и их действительные интенсивности. Моделирование оптического спектра LaVO3 показало наличие сложной, состоящей из 81 линии полосы переходов с ПЗ с главными максимумами при 6.3-7.3 eV и дополнительными максимумами в области ~3 и ~8-9 eV общей протяженностью ~10 eV. Результаты модельных расчетов согласуются с экспериментом и демонстрируют ограниченность широко распространенных представлений о простой структуре спектра переходов с ПЗ. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 04-02-96068.
Зенков А.В. Переходы с переносом заряда иоптические спектры ванадатов // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 3, Стр. 437

Испуская или поглощая фононы, электроны в полупроводнике захватываются полем заряженной примеси или ионизуются из захваченного состояния. Процесс захвата определяется изменением электронной функции распределения как в импульсном, так и в координатном пространстве. Вычисляется коэффициент захвата в тех условиях, когда он определяется диффузионным перераспределением электронной плотности в поле заряженной примеси. Работа поддержана грантом НШ-2242.2003.2.
Каган В.Д. Захват электронов напримесь вполупроводниках, определяемый пространственной диффузией // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 3, Стр. 433

Экспериментально исследован механо-электрический эффект в твердых электролитах ZrO2+8 mol.% Sc2O3 и ZrO2 + 8 mol.% Y2O3. Механические испытания поликристаллических образцов осуществлялись по схеме четырехопорного изгиба в атмосфере воздуха. Показано, что на стороне растяжения изогнутого образца индуцируется отрицательный заряд, величина которого зависит от внешней механической нагрузки и температуры испытаний. Высказано предположение, что в основе наблюдаемых явлений лежит эффект восходящей диффузии вакансий в неоднородном поле механических напряжений. Производится сравнение теоретической модели с экспериментальными результатами.
Барбашов В.И., Комыса Ю.А. Механо-электрический эффект в твердых электролитах // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 229

Electrical resistivity of Sapele-based biomorphic SiC/Si materials was measured in a wide temperature range from 10 K to room temperature. The samples were fabricated by the reactive infiltration of molten silicon into a carbonized Sapele (African Entandrophragma Cylindricum) wood preform. All the studied samples contained residual Si (10-35 wt.%). It was found that the resistivity--temperature (rho(T)) dependences have semi-metallic behavior which becomes very close to linear metallic one at 100
Orlova T.S., Smirnov B.I., de Arellano-Lopez A.R., Mart'nez Fernandez J., Sepulveda R. Anisotropy of electric resistivity of Sapele-based biomorphic SiC/Si composites // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 220

Методами рентгеновской дифрактометрии исследовано поведение параметра решетки монокристаллов SmS в температурном интервале 100-700 K. Наблюдаемые особенности связываются с температурным изменением степени заполнения мультиплетных уровней основного терма f-оболочки иона Sm2+. Получены температурные зависимости коэффициента теплового расширения SmS. Показано, что в образцах с выраженным эффектом генерации ЭДС при нагреве на поведении постоянной решетки сказывается переход дефектных ионов самария из двух- в трехвалентное состояние, а в основе эффекта лежат фазовые переходы в SmS.
Каминский В.В., Шаренкова Н.В., Васильев Л.Н., Соловьев С.М. Исследование температурной зависимости параметра кристаллической решетки SmS // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 217