На основании исследований изменения спектров фотолюминесценции объемных кристаллов GaN, легированных Eu, показано, что в зависимости от суммарной концентрации дефектов в исходной полупроводниковой матрице легирующая примесь может находиться в кристалле в различном зарядовом состоянии. В кристаллах с наименьшей концентрацией дефектов с мелкими уровнями реализуется лишь одно зарядовое состояние иона --- Eu3+. Обнаружено, что при увеличении концентрации таких дефектов Eu в матрице GaN может существовать в двух зарядовых состояниях --- Eu2+ и Eu3+. Наблюдался эффект геттерирования дефектов исходной матрицы GaN редкоземельной примесью.
Криволапчук В.В., Мездрогина М.М., Насонов А.В., Родин С.Н. Фотолюминесценция объемных кристаллов GaN, легированныхEu // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1556

The problem of generation of the selection rules for a transition between Bloch states at any point of the Brillouin zone in crystals is equivalent to the problem of the decomposition of Kronecker products of two representations (reps) of a space group into irreducible components (the full group method). This problem can be solved also by the subgroup method where small reps of little groups are used. In this article, we propose the third method of the selection rules' generation which is formulated in terms of projective reps of crystal point groups. It is based on a well known relation between small irreducible reps (irreps) of little space groups and projective irreps of corresponding little co-groups. The proposed procedure is illustrated by calculations of the Kronecker products for different irreps at the W point of the Brillouin zone for the nonsymmorphic space group O7h being one of the most complicated space groups for the selection rules' generation. As an example, the general procedure suggested is applied to obtain the selection rules for direct and phonon--assisted electrical dipole transitions between some states in crystals with the space group O7h. One of the authors (V.P.S.) acknowledges the support of Ministere de la Recherche (France).
Smirnov V.P., Evarestov R.A., Tronc P. Apoint group approach toselection rules incrystals // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8, Стр. 1373

Разрабатывается алгоритм построения самосогласованной модели парамагнитного неметаллического изотропного твердого тела дебаевского типа. На примере германия показано, что в даже в рамках сильно упрощенных предположениях о значениях термодинамических параметров возможно удовлетворительное описание термодинамических величин в широком интервале температур.
Бодряков В.Ю., Повзнер А.А. Описание термодинамических свойств неметаллического твердого тела врамках самосогласованного термодинамического подхода (напримере германия) // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1196

Исследованы проводимость и магнитная восприимчивость неупорядоченного монооксида титана TiOy (0.920=<q y=<q 1.262) с вакансиями в подрешетках титана и кислорода. Температурные зависимости проводимости монооксидов TiOy с y=<q 1.069 описываются функцией Блоха-Грюнайзена с температурой Дебая 400-480 K, а температурные зависимости восприимчивости включают вклад парамагнетизма Паули электронов проводимости. Поведение проводимости и восприимчивости монооксидов титана TiOy с y>=q 1.087 характерно для узкощелевых полупроводников с невырожденными носителями заряда, подчиняющимися статистике Больцмана. Ширина энергетической щели Delta E между валентной зоной и зоной проводимости монооксидов TiOy (y>=q 1.087) равна 0.06-0.17 eV. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-03-32033a).
Гусев А.И., Валеева А.А. Влияние дефектности наэлектрокинетические имагнитные свойства неупорядоченного монооксида титана // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1185

Рассмотрена система из двух различных изотропных диэлектрических пластин, параллельных друг другу и разделенных зазором. При достаточно большой величине зазора собственные электромагнитные волны в пластинах оказываются практически независимыми, а дисперсионные кривые исследуемой системы имеют множественные пересечения. При уменьшении величины зазора возникает взаимосвязь волновых полей, точки пересечения исчезают: кривые расталкиваются. Дисперсионные зависимости измененного спектра складываются из множества сопряженных участков изначально независимых ветвей, отвечающих разным пластинам. При плавном изменении частоты движению текущей точки вдоль отдельной дисперсионной кривой отвечает периодическое перемещение зон интенсивного волнового поля от пластины к пластине.
Альшиц В.И., Любимов В.Н. Аномальная дисперсия собственных электромагнитных волн всандвич-структуре сзазором // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1017

Исследованы эффективные комплексные упругие податливости композита в виде многослойной пьезоактивной среды, состоящей из последовательно соединенных слоев полярных диэлектриков. Впервые приведены точные решения, описывающие нормальную и обратную максвелл-вагнеровские релаксации упругих податливостей. Рассмотрены петли механического гистерезиса, соответствующие потерям и увеличению упругой энергии. Показано, что релаксация упругих констант имеет место только в пьезоактивных средах.
Турик А.В., Радченко Г.С. Максвелл-вагнеровская релаксация упругих констант вслоистых полярных диэлектриках // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1013

Исследовалась кинетика импульсной проводимости монокристаллов хлорида серебра при возбуждении тормозным рентгеновским излучением пикосекундной длительности в интервале температур 12-300 K. Обнаружено, что наблюдаемая в эксперименте концентрация электронов проводимости примерно в 2 раза превосходит концентрацию электронно-дырочных пар, создаваемых возбуждающим импульсом. Этот факт связан с цепным размножением зонных носителей заряда.
Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Сечкарев Б.А., Тупицин Е.В., Фомченко В.М., Швайко В.Н. Размножение электронных возбуждений вкристаллах AgCl // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1010

В рамках спин-флуктуационной теории рассматривается возможность возникновения андерсоновских локализованных состояний, обусловленных сильным рассеянием электронов на флуктуациях спиновой плотности в почти ферромагнитных полупроводниках. Полученные результаты проанализированы на примере FeSi.
Шумихина К.А., Волков А.Г., Повзнер А.А. Особенности электронных переходов впочти ферромагнитных полупроводниках (напримереFeSi) // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 996

Рассмотрены возможности метода ЭПР при исследовании и контроле процесса нейтронного трансмутационного легирования (НТЛ) полупроводниковых материалов германия, кремния и карбида кремния. Показано, что метод ЭПР позволяет непосредственно контролировать процессы отжига радиационных дефектов в полупроводниковых материалах, подвергнутых нейтронному облучению, и следить за восстановлением сигналов ЭПР мелких доноров в процессе отжига дефектов, компенсирующих доноры. Метод ЭПР может быть использован для раздельной регистрации изолированных доноров и обменно-связанных пар, троек и больших кластеров донорных атомов, а следовательно, и для выявления степени однородности распределения примеси в кристалле. Показано, что нейтронное легирование приводит к достаточно однородному распределению доноров мышьяка в кристалле германия. Обоснована необходимость использования обогащенных выделенными изотопами полупроводниковых материалов для НТЛ. Представлены результаты исследования доноров фосфора в карбиде кремния. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 00-02-16950, 00-02-16992 и 02-02-176052), а также МНТЦ (проект N 1354).
Баранов П.Г., Ионов А.Н., Ильин И.В., Копьев П.С., Мохов Е.Н., Храмцов В.А. Электронный парамагнитный резонанс внейтронно-легированных полупроводниках сизмененным изотопным составом // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 984

Методом атомно-силовой микроскопии проведены исследования термостабильности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировой подложке (0001). Образцы различного качества подвергались температурному отжигу в пределах 700-950oC в условиях высокого вакуума. Показано, что степень упорядоченности мозаичной структуры эпитаксиальных слоев сильно влияет на термостабильность. Деградация поверхности для эпитаксиальных слоев с хорошо упорядоченной мозаичной структурой наблюдается при температуре ~ 950oC. Изменение морфологии поверхности слоев с плохо упорядоченной мозаичной структурой начинается при более низких температурах ~ 780oC. Работа выполнена при поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-16802 и гранта в рамках программы N 1-107 Министерства промышленности, науки и технологий Российской Федерации.
Бенеманская Г.В., Бесюлькин А.И., Дунаевский М.С., Крыжановский А.К., Шмидт Н.М. Термостабильность эпитаксиальных слоев GaN cразной степенью упорядоченности мозаичной структуры // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 980