Анализируются характерные особенности упругих свойств слоистых кристаллов и их зависимости от температуры и давления. Приводятся присущие слоистым кристаллам гексагональной симметрии соотношения между упругими постоянными. Показано, что аномальное поведение упругих постоянных в области температур фазового перехода соответствующим образом влияет на величины и знак коэффициентов теплового расширения слоистых кристаллов. Из анализa зависимости величин упругих постоянных от давления и температуры выявлено, что ангармонизм сил связи между слоями существенно больше ангармонизма внутрислоевых сил. Оценен вклад теплового расширения в температурное изменение величин упругих постоянных. PACS: 62.20.Dc, 64.60.-i
Абдуллаев Н.А. Особенности упругих свойств слоистых кристаллов // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 4, Стр. 623

Взаимосвязанность магнитных и оптических свойств кристаллов фосфида индия, легированных иттербием, исследуется в условиях локального магнитоупорядочения и компенсации спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием. Анализ полученных температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости и спектров фотолюминесценции показывает, что примесный магнетизм кристаллов InP(Yb) обусловлен наличием антиферроупорядоченных квазимолекул Yb2O3, которые переходят в ферроупорядоченное состояние вблизи мелких доноров, захватывая на себя донорный электрон, либо на конкурентной основе образуют области спонтанной намагниченности --- связанные спин-поляроны. Причем в обоих случаях значения констант s-f-обмена, определенные из температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости, аномально велики, по-видимому, из-за эффективной компенсации спиновых корреляций электрон-колебательным взаимодействием. Кроме того, вследствие s-f-обмена в запрещенной зоне фосфида индия формируется обменно-связанный глубокий уровень ферроупорядоченной квазимолекулы Yb2O3, возникновение которого стимулирует Оже-рекомбинацию неравновесных носителей, ответственную за усиление внутрицентровой фотолюминесценции ионов Yb3+. PACS: 75.20.Ck, 75.30.Cr, 78.20.-e
Баграев Н.Т., Романов В.В., Савельев В.П. Магнитные и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированных иттербием // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2, Стр. 220

Результаты предыдущей работы (ФТТ 46, 2135 (2004) ) пересмотрены с учетом зависимости электронного сродства от политипа SiC. Полученная из данных по барьерам Шоттки зависимость уровня вакансии в политипе от ширины его запрещенной зоны объяснена в рамках простой двухзонной модели. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований (N 03-02-16 и 04-02016632а). PACS: 71.55.Ht, 73.30.+y
Давыдов С.Ю., Посредник О.В. Политипизм карбида кремния ибарьеры Шоттки // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2, Стр. 218

В интервалах температур 100-950 и 100-750 K измерены соответственно удельное электросопротивление rho и коэффициент термоэдс alpha биоморфного композита SiC/Si, приготовленного на основе пористой углеродной матрицы, полученной путем пиролиза дерева (белого эвкалипта), с последующей инфильтрацией в пустые каналы этой матрицы расплавленного кремния. В результате химической реакции Si с углеродом матрицы образуется 3C-SiC, который формирует с \glqq избытком\grqq Si, не вступившим в реакцию с углеродом, биоморфный композит SiC/Si. Исследовались образцы SiC/Si с концентрацией \glqq избыточного\grqq Si~ 30 vol.% и пористостью ~13-15 vol.%. Измерение rho проводилось на образцах, вырезанных вдоль (rho||) и поперек (rho normal ) направления роста дерева, а величина alpha измерялась на образце, вырезанном вдоль направления роста дерева. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-03-33183), программы Президиума РАН (П-28) и технологии Испании (проект MAT 2003-05202-C02-01). PACS: 72.80.Tm, 72.20.-i
Шелых А.И., Смирнов Б.И., Орлова Т.С., Смирнов И.А., de Arellano-Lopez A.R., Martinez-Fernandez J., Varela-Feria F.M. Электрические и термоэлектрические свойства биоморфного композита SiC/Si привысоких температурах // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2, Стр. 214

Методом рентгеновской эмиссионной Si L2,3 (электронный переход 3d3s->2p) спектроскопии исследованы образцы кремния p- и n-типа, имплантированные ионами Fe+ в импульсном режиме (энергия имплантации 30 keV, ток в импульсе до 0.5 A, длительность импульса 400 mus, дозы облучения от 1014 до 1017 cm-2). Установлена зависимость рентгеновских эмиссионных спектров как от доз ионного облучения, так и от ускоряющего напряжения электронного пучка, используемого при рентгеновских измерениях. Анализ Si L-спектров посредством сравнения со спектрами эталонов и их моделирование показали, что с увеличением дозы облучения имеет место разупорядочение структуры, частичная аморфизация образца от поверхности в объем вплоть до глубины ~ 7200 Angstrem и его последующая рекристаллизация (эффект больших доз). Показано, что обнаруженный эффект наиболее сильно выражен в слоях на глубине ~ 1000 Angstrem, не связан с формированием в объеме образцов силицида железа FeSi, и, вероятнее всего, обусловлен нарушениями связей Si--Si в процессе ионной имплантации при использванных дозах облучения. Работа выполнена при поддержке проектов Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-16438 и 05-02-16448), гранта Минобразования --- CRDF: Annex BF4M05, EK-005-X2 [REC-005], BRHE 2004 post-doctoral fellowship award Y2-EP-05-11, а также Совета по грантам Президента РФ для ведущих научных школ (грант НШ-1026.2003.2). PACS: 61.10.Ht, 61.72.Tt
Зацепин Д.А., Яненкова Е.С., Курмаев Э.З., Черкашенко В.М., Шамин С.Н., Чолах С.О. Эффект больших доз врентгеновских эмиссионных спектрах кремния, имплантированного ионами железа // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2, Стр. 204

В интервале температур 100-650 K измерен коэффициент линейного расширения beta биоморфного композита SiC/Si --- новой экокерамики канального типа, приготовленной на основе пористой канальной углеродной матрицы, полученной из дерева (белого эвкалипта) с помощью его пиролиза в атмосфере аргона, с последующей имплантацией в сквозные каналы этой матрицы расплавленного кремния и образованием 3C-SiC. Исследовались образцы SiC/Si с \glqq избыточной\grqq объемной концентрацией Si ~ 30% и пористостью ~ 13-15%. Измерения проводились на образцах, вырезанных вдоль (beta||) и поперек (beta normal ) направления роста дерева. Проведено сравнение полученных результатов  beta(T) для SiC/Si с литературными данными для коэффициентов линейного расширения Si и 3C-SiC. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-03-33183), программы Президиума РАН (П-28) и Министерства науки и технологии Испании (проект MAT 2003-05202-C02-01). PACS: 72.80.Tm, 65.40.De
Шелых А.И., Смирнов Б.И., Смирнов И.А., de Arellano-Lopez A.R., Martinez-Fernandez J., Varela-Feria F.M. Коэффициент линейного расширения биоморфного композитаSiC/Si // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 2, Стр. 202

Проведены сравнительные спектроскопические исследования кристаллического и аморфного образцов Eu2(MoO4)3. Аморфное состояние получали путем воздействия высокого давления ~ 9 GPa на кристаллическую beta'-фазу. Установлено, что при переходе в аморфное состояние происходят кардинальные изменения как спектра люминесценции, так и спектра возбуждения люминесценции. Оценено смещение красной границы поглощения, которое составляет ~ 0.8 eV, что значительно больше, чем в случае аморфизации классических полупроводников. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-17143 и 04-02-97251) и программы РАН \glqq Физика и механика сильно сжатого вещества и проблемы внутреннего строения Земли и планет\grqq. PACS: 61.43.Er, 78.55.Hx
Шмурак С.З., Киселев А.П., Синицын В.В., Шмытько И.М., Аронин А.С., Редькин Б.С., Понятовский Е.Г. Оптическая спектроскопия кристаллического иаморфного состояний молибдата европия // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1, Стр. 48

Проведены исследования величины термоэдс S при высоком давлении P до 20 GPa для образцов p-Si, содержащих тонкий гидрогенизированный слой. В области фазового перехода в решетку со структурой белого олова (P=<10 GPa) обнаружено снижение значений S у образцов с гидрогенизированным слоем по сравнению с исходными образцами p-Si. В то же время значения S у металлических фаз высокого давления со структурой beta-Sn, орторомбической (выше 12 GPa) и простой гексагональной (выше 16 GPa), примерно одинаковы для разных групп образцов. Изменение кристаллической структуры после обработки давлением исследовано с помощью ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. Наблюдаемое снижение величины S после обработки давлением предположительно связано с образованием аморфной фазы наряду с метастабильной фазой Si-III. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16178) и INTAS (N 03-55-629). PACS: 61.10.Eq, 64.70.Kb, 72.20.Pa
Овсянников С.В., Щенников В.В., Антонова И.В., Щенников Вс.В., Шамин С.Н. Термоэлектрические свойства облученных ионами водорода кристаллов кремния присверхвысоком давлениидо20 GPa // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1, Стр. 44

Проведено численное исследование образования неоднородностей в сплаве CdxHg1-xTe при послеростовом охлаждении или при низкотемпературном отжиге. Механизм явления основан на диффузионной нестабильности в системе, включающей атомы ртути в узлах и междоузлиях и катионные вакансии. Обнаружено, что для x=0.2 при длительном отжиге при температуре ~200oC из небольшой флуктуации возникает неоднородное почти периодическое распределение концентрации атомов ртути в узлах и междоузлиях и вакансий при первоначальной равновесной концентрации междоузельных ртутных атомов выше некоторого порогового значения (~3·1017 cm-3). Пространственный и временной масштабы распределения определяются в основном значением равновесной концентрации вакансий и не зависят от конкретного вида флуктуации. Пространственный период распределения линейно возрастает от 0.01 до 3 mum при изменении равновесной концентрации вакансий от 1019 до 1414 cm-3, причем при более низких концентрациях развитие периодической структуры происходит за значительно большее время. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Ji, 61.72.Ss
Васин А.С., Василевский М.И. Моделирование диффузионной нестабильности распределения атомов ртути всплаве кадмий-ртуть-теллур // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1, Стр. 36

Для описания проводимости аморфного нитрида кремния использовался механизм Пула--Френкеля без учета и с учетом многофононной ионизации глубоких центров. Рассмотрена зависимость частотного фактора от силы электрон-фононного взаимодействия. С учетом слабой электрон-фононной связи в глубоких центрах получена величина частотного фактора nu~ 1015 s-1, которая согласуется с оценками в оригинальной работе Френкеля. Работа поддержана Интеграционным проектом N 116 СО РАН.
Новиков Ю.Н. Эффект Пула--Френкеля сучетом многофононной ионизации глубоких центров ваморфном нитриде кремния // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 12, Стр. 2142