Описана трансформация дисперсионных кривых собственных чисто поперечных (SH) акустических волн в сандвич-структуре из двух пластин под влиянием пьезоэлектрического эффекта. Пластины разделены зазором, много меньшим длины волны, так что взаимосвязь акустических полей между пластинами обусловлена исключительно пьезоэлектрическим эффектом. Указанное взаимодействие ликвидирует все точки перечения изначально (в нулевом приближении) независимых дисперсионных кривых, расталкивая и \glqq перепутывая\grqq их. В результате каждая \glqq новая\grqq дисперсионная ветвь строится из сопряженных отрезков множества исходных ветвей. При этом с изменением волнового числа (или частоты) основная зона локализации акустического поля с определенной периодичностью плавно переходит от пластины к пластине. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 01-02-16228).
Альшиц В.И., Любимов В.Н. Аномальная дисперсия поперечных акустических волн впьезоэлектрической сандвич-структуре // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 832

Рассмотрены процессы рекристаллизации и старения при комнатной температуре нелегированных и легированных кристаллов хлорида калия, претерпевших неполное полиморфное превращение под высоким давлением. Показано, что рекристаллизация идет в несколько стадий; первая стадия --- зарождение и рост зерен двойниковых ориентаций по отношению к исходному монокристаллу. При выдержке при комнатной температуре прошедших превращение легированных кристаллов в них происходят процессы старения, в результате которых выделяются частицы фаз орторомбического хлорида стронция и сложного хлорида калия стронция (KSr2Cl5), которые в зависимости от концентрации стронция в исходном состоянии могут весьма заметно тормозить рост рекристаллизованных зерен. Обнаружена фаза высокого давления в нормальных условиях, оценен коэффициент диффузии стронция в материалах после полиморфного превращения. Проведен сравнительный анализ кинетики, механизмов рекристаллизации, процессов старения чистых кристаллов и кристаллов с одинаковым уровнем легирования после деформации осадкой и после обработки высоким гидростатическим давлением.
Борисенко Е.Б., Гнесин Б.А. Рекристаллизация истарение после неполного полиморфного превращения поддавлением нелегированных и легированных стронцием кристалловKCl // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 826

Представление решетки системой взаимодействующих ионов широко используется в физике твердого тела. При этом предполагается, что волновые функции отдельных ионов являются достаточно хорошим нулевым приближением для расчета из первых принципов матричных элементов гамильтониана взаимодействия электронов и ядер решетки. Для проведения подобных расчетов в базисе таких функций предлагается использовать метод вторичного квантования. В качестве примера оценивается амплитуда перехода электрона с лиганда на центральный ион. Полученные значения хорошо согласуются с экспериментом. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-16648).
Аникеенок О.А. Вычисление из первых принципов сверхтонких полей налигандах вофторидах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 812

Эксперименты по рамановскому рассеянию света стаклами демонстрируют наличие низкочастотного (при ~10 cm-1) пика, положение которого обычно связывают с частотой колебательных мод нанометровых структурных единиц стекла --- нанокристаллитов. Существенно, что упругие модули нанокристаллитов неизбежно должны зависеть от их размеров ввиду эффекта лапласовского давления. Учет последнего, а также процессов диссипации энергии колебаний при реалистической функции распределения нанокристаллитов по размерам позволяет построить теорию низкочастотного пика, допускающую количественный анализ его формы и температурной эволюции. В результате удается выяснить физическую интерпретацию экспериментальных данных и высказать соображения о связи характерного размера нанокристаллитов с упругими модулями и коэффициентами поверхностного натяжения материала.
Бондарев В.Н., Зеленин С.В. Релаксирующие локальные моды итеория низкочастотного рамановского рассеяния света стеклами // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 790

Электронная энергетическая структура политипов нитрида бора типа графита (h-BN), вюрцита (w-BN) и сфалерита (c-BN) рассчитана методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии MT-приближения в рамках теории многократного рассеяния. Проведено сравнение особенностей электронной структуры 2H-, 4H- и 3C-политипов с рентгеновскими фотоэлектронными, эмиссионными и K-спектрами поглощения бора и азота и дана интерпретация их особенностей. Показано, что на кривой полной плотности состояний (TDOS) (в данных политипах нитрида бора) присутствует коротковолновый пик, который можно связать с формированием \glqq внешней\grqq коллективизированной полосы, обусловленной состояниями электронов 2p-симметрии атомов бора и азота. Отмечено, что уменьшение ширины запрещенной полосы при переходе от вюрцита и сфалерита к гексагональному нитриду бора связано с изменением координационного числа компонентов, которое приводит к изменению энергетического положения дна зоны проводимости кристалла.
Илясов В.В., Жданова Т.П., Никифоров И.Я. Электронная энергетическая структура ирентгеновские спектры политипов нитрида бора // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 777

Обнаружена нелинейность люкс-амперных характеристик нелегированных поликристаллических алмазных пленок (НПАП). Анализ полученных спектральных зависимостей этой нелинейности и фотопроводимости в рамках известных моделей с одним примесным уровнем или одним типом ловушек показал, что в НПАП в диапазоне примесной фотопроводимости наблюдается аномальная нелинейность люкс-амперных характеристик, когда наклон их от 1/2 все более приближается к единице по мере уменьшения длины волны, с ростом уровня возбуждения и при возрастании времени жизни носителей. Результаты объясняются исходя из модели существования в алмазных пленках двух различных каналов проводимости. Установлены два диапазона фотогенерации носителей. При энергии фотонов ниже 1.4 eV наблюдается генерация носителей с квадратичной рекомбинацией в одном канале, а выше --- одновременно в двух каналах (дополнительно возбуждаются носители с линейной рекомбинацией во втором канале). Показано, что равновесная концентрация носителей во втором канале с линейной рекомбинацией значительно превышает равновесную концентрацию носителей в первом канале с квадратичной рекомбинацией, что затрудняет обнаружение первого канала без фотовозбуждения.
Токий В.В., Тимченко В.И., Сорока В.А. Аномальная нелинейность ИК-фотопроводимости алмазной поликристаллической пленки // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 600

Изучается нелинейный отклик полярных материалов (ионных кристаллов или полярных полупроводников). В рамках применимости обобщенной теории Борна--Хуанга получено выражение для нелинейного отклика системы, которое обнаруживает характерный пик вблизи поляритонного резонанса. В качестве примера изучена прозрачность пластины (резонатора Фабри--Перо) из слабо нелинейного полярного материала. Показано, что для исследуемых систем зависимость интенсивности выходного сигнала от интенсивности падающего излучения демонстрирует бистабильное поведение. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16569, 02-02-17495) и грантом программы \glqq Университеты России\grqq (УР.01.01.057).
Ким Ч.С., Сатанин А.М., Штенберг В.Б. Дисперсионная нелинейность ибистабильность полярных сред // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 594

Впервые измерены термоэдс и поперечное магнитосопротивление серы при сверхвысоком давлении до ~40 GPa. Показано, что проводимость серы, как и других элементарных полупроводников VI группы, Te и Se, обусловлена дырками валентной зоны. Из зависимости термоэдс от давления определено изменение ширины запрещенной зоны. Обнаруженное отрицательное магнитосопротивление серы при P~30 GPa свидетельствует о низкой подвижности дырок и предполагает наличие непрямой минимальной щели в электронном спектре. Изменение электронной структуры серы под давлением обсуждается в рамках модели пайерлсовского искажения решетки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17203).
Щенников В.В., Овсянников С.В. Термоэдс серы привысоком давлении // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 590

Наблюдались картины трехмерной дифракции света на кристаллической структуре образцов искусственных опалов, образованной плотноупакованными шарами a-SiO2 субмикронных размеров. Установлено, что картина дифракции луча монохроматического света представляет собой ряд интенсивных максимумов, число и угловое положение которых зависят от длины волны и взаимной ориентации падающего луча и кристаллографических плоскостей образца. Дифракционные картины исследовались при наклонном падении света на ростовую поверхность образца (111) и при распространении света в плоскости (111) в направлениях, перпендикулярных оси роста образца. Для обеих геометрий рассеяния детально изучены спектрально-угловые зависимости интенсивности дифрагированного света. Экспериментальные данные интерпретированы в рамках модели, согласно которой основной вклад в наблюдаемые картины вносит брэгговская дифракция света на плотноупакованных слоях типа (111) гранецентрированной кубической решетки опала. Модель учитывает неупорядоченность чередования (111)-слоев вдоль оси роста образца, приводящую, в частности, к двойникованию гранецентрированной кубической решетки опала. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-17689 и 02-02-17601).
Барышев А.В., Каплянский А.А., Кособукин В.А., Лимонов М.Ф., Самусев К.Б., Усвят Д.Е. Брэгговская дифракция света вискусственных опалах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 434

По экспериментальным данным упругих постоянных Cij кристаллов со структурой алмаза и сфалерита при T=293 K проверено соотношение Борна: Lambda =4C11(C11-C44)/(C11+C12)2=1. Показано, что для алмаза вследствие большого разброса экспериментальных данных Cij оно выполняется плохо, а для Si, SiC, Ge и alpha-Sn выполняется с точностью до 8.3, 7.6, 1.6 и 1.0% соответственно. Для соединений типа AIIIBV, AIIBVI и AIBVII со структурой сфалерита установлено систематическое отклонение  Lambda от единицы в меньшую сторону и показано, что величина (1-Lambda) может быть использована для оценки степени ионности связи в этих кристаллах. Оценено влияние ангармонизма на величины Lambda для Ge, Si, GaAs, InAs и Zn,Se, которое оказалось незначительным.
Михальченко В.П. Осоотношении Борна для кристаллических решеток типа алмаза исфалерита // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 3, Стр. 429