Исследованы амплитудно-фазовые спектры отражения света от распределенных брэгговских отражателей и микрорезонаторов Фабри--Перо, выращенных на основе тонких пленок a-Si : H/a-SiOx : H. Измерена частотная зависимость разности фаз амплитудных p- и s-коэффициентов отражения света в пределах фотонной запрещенной зоны. Фазовый спектр в основном характеризуется плавной зависимостью от частоты (близкой к линейной), за исключением спектральных участков в области краев фотонной запрещенной зоны и особенностей, связанных с собственными модами микрорезонатора. Экспериментальные спектры сравниваются с результатами теоретических расчетов, выполненных с использованием метода матриц переноса и приближенных аналитических выражений. Предложен способ структурной характеризации многослойной микрорезонаторной системы, основанный на анализе амплитудно-фазовых спектров отражения. Работа выполнена при финансовой поддержке программы Минпромнауки \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq (проект 01.40.01.09.03) и гранта NATO PST.CLG 980399.
Голубев В.Г., Дукин А.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Селькин А.В., Феоктистов Н.А. Амплитудно-фазовые спектры отражения света отбрэгговских структур наоснове аморфного кремния // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1756

Исследована зависимость дефектной электролюминесценции (ЭЛ) от величины прямого тока в кремниевых структурах, полученных путем имплантации ионов эрбия и кислорода в монокристаллический кремний с последующим отжигом в хлорсодержащей атмосфере при 1100oC. При 80 K с ростом тока наблюдается увеличение энергий квантов, отвечающих максимумам двух пиков дефектной ЭЛ: от 0.807 и 0.87 eV до 0.85 и 0.92 eV соответственно. С ростом тока происходит также увеличение полуширины пиков и интенсивности ЭЛ. Для объяснения наблюдаемых эффектов развита предложенная ранее для дефектной ЭЛ в пластически деформированном кремнии модель, которая предполагает возможность создания инверсной населенности по четырехуровневой схеме. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374).
Емельянов А.М., Шек Е.И. Влияние величины тока на электролюминесценцию дефектов, обусловленных высокотемпературным постимплантационным отжигом Si:(Er,O)-структур вхлорсодержащей атмосфере // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1751

Проведены исследования катодолюминесценции кристаллов ZnSe, отожженных в вакууме [ZnSe(Vac)], в вакууме и затем в расплаве сурьмы [ZnSe(Vac)(Sb)], а также в расплаве цинка с последующим отжигом в сурьме [ZnSe(Zn)(Sb)]. В излучении всех образцов наблюдались серии Is,d1-nLO. В образцах [ZnSe(Vac)] LO-фононные повторения линии излучения Is1 сопровождаются одноплазмонными сателлитами. Энергия плазмона, определяющая интервал между повторениями, равна homegap=~ 10 meV. Наименьшую полуширину имеют линии излучения образцов [ZnSe(Zn)(Sb)]. Впервые наблюдалось аномальное уширение бесфононной линии Is1 на образцах [ZnSe(Vac)], обусловленное высоким содержанием вакансий цинка. Развита теория формы спектра излучения в условиях двухфононного резонанса с учетом взаимодействия связанного экситона с плазмон-фононными смешанными модами колебаний. Показано, что расщепление линии Id1 при T=~ 2 K может быть обусловлено резонансным экситон-фононным взаимодействием экситон-примесных комплексов.
Клюканов А.А., Сушкевич К.Д., Чукичев М.В., Гурэу В. Катодолюминесценция связанных экситонов вкристаллах ZnSe идвухфононный резонанс // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1746

Измерены скорости объемных акустических волн и коэффициенты акустооптического качества M2. На их основе рассчитаны фотоупругие коэффициенты монокристалла тетрабората свинца. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16428), программы Отделения физических наук РАН (проект N 2.2.6.1), Минпромнауки (грант НШ 939.2003.2).
Александров К.С., Замков А.В., Зайцев А.И., Турчин П.П., Сысоев А.М., Парфенов А.А. Акустические и акустооптические свойства монокристаллов тетрабората свинца // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 9, Стр. 1586

В висмуте, легированном донорной примесью теллура (0
Каган В.Д., Редько Н.А., Родионов Н.А., Польшин В.И., Зотова О.В. Термоэдс увлечения электронов фононами влегированном висмуте // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8, Стр. 1372

Исследованы внутренние микроскопические диссипативные явления, имеющие место в кристаллических диэлектриках, в которых главным взаимодействием является связь всех подсистем с термостатом. Показано, что в реальных физических случаях, если учитывается связь не только между взаимодействующими фононными подсистемами диэлектрика, но и с термостатом, процессы переброса для размера образца, меньшего некоторого критического значения L0, играют довольно слабую роль. Для этого случая доказано, что газ фононов \glqq сверхтечет\grqq по объему без торможения и останавливается лишь благодаря взаимодействию с неподвижными поверхностными фононами термостата. Численными методами установлено, что umklapp-процессы начинают проявляться лишь при высоких температурах T (когда T превышает величину, приблизительно равную ThetaD/4, где ThetaD --- температура Дебая) и для размеров образца L, больших L0, значение которого, согласно приведенным оценкам, должно быть порядка 10 cm.
Гладков С.О., Гладышев И.В. Ктеории теплопроводности диэлектриков при учете связи стермостатом (теория ичисленный эксперимент) // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 7, Стр. 1194

В температурном диапазоне 80-500 K исследованы особенности спектров поглощения, фото- и рентгенолюминесценции (ФЛ, РЛ), термо- и фотостимулированной люминесценции (ТСЛ, ФСЛ) выращенных методом Бриджмена кристаллов CsBr : Eu2+ в зависимости от концентрации примеси EuOBr в предельно возможных для получения совершенных кристаллов границах (0.1-0.4 mol.% в шихте). Показано, что с ростом концентрации активатора имеет место уширение полос поглощения и возбуждения ФЛ с максимумами 250 и 350 nm, обусловленных межконфигурационными 4f7(8S7/2)-> 4f65d(eg,t2g) переходами в ионах Eu2+. В спектрах ФЛ и ФСЛ кристаллов CsBr : EuOBr (0.1-0.4 mol.%) наряду с полосой с lambdamax=450 nm выявлены полосы с lambdamax=508-523 и 436 nm, которые связываются соответственно с изолированными дипольными Eu2+-VCs- и Eu2+-содержащими агрегатными центрами (АЦ). Установлено, что количество АЦ люминесценции с lambdamax=508-523 nm максимально при концентрации EuOBr =<q 0.1 mol.% и уменьшается с увеличением содержания примеси. Обсуждена возможность образования нанокристаллов типа CsEuBr3 как центров \glqq зеленой\grqq люминесценции с lambdamax=508-523 nm в кристаллах CsBr : Eu. Определено, что интенсивность ФСЛ облученных рентгеновскими квантами кристаллов CsBr : EuOBr возрастает с увеличением концентрации активатора и показано, что кристаллы CsBr : (0.3-0.4 mol.% EuOBr) могут быть использованы как запоминающие фосфоры для визуализации рентгеновских изображений с высоким пространственным разделением.
Зоренко Ю.В., Турчак Р.М., Констанкевич И.В. Особенности поглощения илюминесценции кристаллов CsBr : EuOBr // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 7, Стр. 1189

Предложен способ построения эффективных наборов специальных точек в зоне Бриллюэна методом расширенной элементарной ячейки с последующим сдвигом из центра суженной зоны Бриллюэна, который имеет ряд преимуществ по сравнению с широко применяемым методом Монкхорста-Пака. Рассмотрено различие построения наборов специальных точек в прямой и обратной решетке для кристаллов с несимморфной пространственной группой симметрии. Общие положения демонстрируются путем применения к плоской квадратной и гранецентрированной кубической решеткам.
Эварестов Р.А., Смирнов В.П. Специальные точки для интегралов попримитивным ячейкам периодических систем // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 7, Стр. 1180

В рамках модели Китинга рассчитаны зависимости от давления p упругих постоянных второго порядка Cij и скорости звука в кристаллах 3C-SiC и 2H-SiC. Из зависимости Cij от p получены упругие постоянные третьего порядка Cijk для 3C-SiC. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ-03-02-16054, INTAS-01-0603 и NATO SfP N 978011.
Давыдов С.Ю. Влияние давления наупругие свойства карбида кремния // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 7, Стр. 1169

Получена оценка температуры перегрева микрообъема диоксида кремния под воздействием пучка электронов высокой удельной мощности. Расчеты показали, что при токе электронного пучка 100 nA максимальная температура перегрева микрообъема диоксида кремния может достигать 1200oC. Проведено исследование изменения катодолюминесцентных свойств аморфного диоксида кремния с различным содержанием гидроксильных групп при различной удельной мощности электронного пучка. Показано, что под воздействием электронного пучка высокой удельной мощности возникают дополнительные структурные дефекты вплоть до образования кластеров кремния. Работа была выполнена в рамках проекта Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-16621).
Бакалейников Л.А., Заморянская М.В., Колесникова Е.В., Соколов В.И., Флегонтова Е.Ю. Модификация диоксида кремния электронным пучком // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6, Стр. 989