C помощью обычной и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные дефекты в слоях кремния, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием до концентрации [Er]=4· 1019 cm-3. Основными типами протяженных структурных дефектов при [Er]>=q2· 1019 cm-3 являются преципитаты Er округлой формы размером 4--25 nm, располагающиеся на границе эпитаксиальный слой--подложка, и пластинчатые выделения ErSi2, залегающие в плоскостях {111} и распространяющиеся по всей толщине слоя. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.
Вдовин В.И., Вернер П., Захаров Н.Д., Денисов Д.В., Соболев Н.А., Устинов В.М. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: структурные дефекты // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10, Стр. 1754

Построена теория нелинейного взаимодействия электромагнитных волн в полуограниченной периодической диэлектрической структуре на примере возбуждения второй гармоники. Пердполагается, что один из слоев, образующих период, обладает нелинейной поляризацией. Методика анализа представляет собой развитие теории возмущений; она основана на формуле Грина. Показано, что условия синхронизма для взаимодействующих волн соответствуют размерным резонансам на отдельных слоях или на периоде структуры. Из приведенного рассмотрения следует, что наибольшая эффективность взаимодействия имеет место на границах полос пропускания при резонансе на полном периоде. Показано, что при таком резонансе условия синхронизма выполняются не для одной частоты, а для спектра частот. Это позволяет пpеобразовывать спектры из одной области частот в другую.
Булгаков А.А. Размерные резонансы игенерация второй гармоники вполуограниченной нелинейной слоисто-периодической среде // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 9, Стр. 1586

Проведен анализ экспериментальных данных по получению стехиометрического нанопористого карбида кремния. На основании предположения о диффузионно-вакансионном механизме формирования нанопор выполнен расчет, результаты которого подтверждают, что формирование пор со стабильным радиусом в десятки нанометров в SiC может быть обусловлено диффузией и кластеризацией вакансий. Обсуждаются результаты экспериментов, указывающие на возможность установления связи между предложенным механизмом формирования нанопористого карбида кремния и известной из литературы моделью формирования пористого SiC с волоконной структурой. Такая связь может быть установлена в предположении первичности образования нанопор и трансформации нанопористой структуры в волоконную путем инициирования растворения материала в электролите. Работа выполнена при поддержке гранта NICOP N 00014-01-1-0828.
Мынбаева М.Г., Бауман Д.А., Мынбаев К.Д. Квопросу ороли вакансий вобразовании пор прианодизацииSiC // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 9, Стр. 1571

Методами атомно-силовой микроскопии и магнитооптического эффекта Керра при комнатной температуре исследованы морфология поверхности и магнитные свойства GaAs, облученного ионами марганца. Показано, что ферромагнетизм имеет место в приповерхностных слоях имплантированного полупроводника, подвергнутого термическому отжигу в диапазоне 715-750oC. Магнитные свойства слоев связаны с эволюцией системы кластеров субмикронных размеров в GaAs : Mn. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-16777), FAPERGS (Fundacao de Amparo `a Perquisa do Estado do Rio Grande do Sul, Brasil, грант N 00/60065.9) и программы РАН \glqq Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника\grqq.
Данилов Ю.А., Круглов А.В., Behar M., dos Santos M.C., Pereira L.G., Schmidt J.E. Формирование кластеров и магнитооптический эффект Керра варсениде галлия, легированном имплантацией ионов марганца // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 9, Стр. 1567

Полученные нами ранее в интервале температур 25-300 K экспериментальные данные по теплопроводности пористого стекла и композита \glqq пористое стекло + NaCl\grqq проанализированы с несколько иных позиций. Показано, что теплопроводность хлористого натрия в хаотически расположенных наноканалах пористого стекла ведет себя так же, как сильно разупорядоченная кристаллическая система, которую можно описать в рамках модели Эйнштейна для теплопроводности твердых тел. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17657) и Польского государственного комитета по научным исследованиям KBN (грант N 3 T08A 054 26).
Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Фокин А.В., Мисиорек Х., Муха Я., Ежовский А. Теплопроводность NaCl, находящегося в хаотически расположенных каналах пористого стекла // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7, Стр. 1207

Исследовались кристаллы GaN, полученные методами МОС-гидридного и газофазного эпитаксиального роста в открытой хлоридной системе. Тулий вводился с помощью диффузии. Показано, что в полупроводниковой матрице GaN редкоземельный ион Tm играет роль акцептора при наличии в нелегированных кристаллах дефектов, образующих глубокие уровни. Наблюдались внутрицентровые f-f-переходы, характерные для Tm в коротковолновой и длинноволновой областях спектра. Интенсивность излучения в коротковолновой области спектра больше в кристаллах, полученных методом газофазного эпитаксиального роста в открытой хлоридной системе. Работа выполнена при поддержке программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.
Криволапчук В.В., Кожанова Ю.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М., Родин С.Н. Параметры вюрцитных кристаллов нитрида галлия, легированных тулием // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7, Стр. 1203

В интервале температур от 780 до 1100oC исследована диффузия европия в сульфиде самария. Получены данные о коэффициенте диффузии и энергиях активации европия в моно- и поликристаллических образцах SmS. Сделан вывод о преимущественном перемещении европия в монокристаллическом сульфиде самария по узлам кристаллической решетки (D~= 10-12-10-9 cm2/s). Показано, что в поликристаллах SmS диффузия носит сложный характер и имеет как медленную (D~= 10-10-10-9 cm2/s), так и быструю (D~= 10-8-10-7 cm2/s) компоненту. Механизм диффузии европия в поликристаллах связан главным образом с миграцией европия по границам монокристаллических областей поликристалла, за характерные размеры которых приняты размеры областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Работа выполнена при финансовой поддержке ЗАО \glqq Диал Инжиниринг\grqq (Санкт-Петербург).
Голубков А.В., Дидик В.А., Каминский В.В., Скорятина Е.А., Усачева В.П., Шаренкова Н.В. Исследование диффузии европия вSmS // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7, Стр. 1192

В интервале температур T=5-300 K измерены теплопроводность varkappa и удельное электросопротивление rho экокерамики канального типа --- биоморфного композита SiC/Si, приготовленного на основе канальной углеродной матрицы, полученной из дерева (белого эвкалипта) с помощью пиролиза в атмосфере аргона, с последующей инфильтрацией в каналы матрицы расплавленного Si. Зависимости varkappa(T) и rho(T) измерялись на образце, вырезанном вдоль оси роста дерева. Проведен анализ полученных экспериментальных результатов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-03-33183), Польского государственного комитета по научным исследованиям, KBN (грант N 3 TO8A 05426) и Министерства науки и технологии Испании (проект MAT 2003-05202-C02-01).
Парфеньева Л.С., Орлова Т.С., Картенко Н.Ф., Шаренкова Н.В., Смирнов Б.И., Смирнов И.А., Misiorek H., Jezowski A., Varela-Feria F.M., Martinez-Fernandez J., de Arellano-Lopez A.R. Теплопроводность биоморфного композита SiC/Si--- новой экокерамики канального типа // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 7, Стр. 1175

Изложены представления о механизме электрического пробоя твердых диэлектриков (ЭПТД), сформированные авторами в течение многолетних исследований. Показано, что при ЭПТД протекает ряд взаимообусловленных предпробивных процессов: высоковольтная поляризация, дефектообразование, ударное возбуждение и ударная ионизация электронами центров свечения и ионов основной кристаллической решетки и др. Спусковым механизмом ЭПДТ являются процессы электро- и термополевой генерации дефектов в кристалле, которые ведут к образованию дефектных областей и созданию каналов облегченного переноса носителей заряда. Электронные токи (а также ускорение электронов электрическим полем до энергий, достаточных для ударной ионизации) протекают именно в этих областях кристалла с деформированной дефектами кристаллической решеткой. Поэтому известные подходы к построению теории пробоя ЩГК и других твердых кристаллических диэлектриков, базирующиеся на анализе движения и ускорения электронов в идеальной кристаллической структуре твердого тела, представляются некорректными.
Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Несмелов Н.С. Электрический пробой твердых диэлектриков // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 6, Стр. 1048

Рассматриваются особенности нелинейного поглощения молекулярного кристалла во внешнем магнитном поле. На примере бензола исследованы функции формы экситонного поглощения при наличии поляризации лазерного излучения и слабого магнитного поля, а также механизмы формирования гистерезисной петли на зависимости выходной интенсивности света от значения величины магнитного поля на входе. Установлено, что магнитооптический отклик рассматриваемого молекулярного кристалла порождает инверсный характер формирования бистабильных петель, что позволяет осуществлять контроль и управление поведением бистабильных элементов оптических логических систем с помощью внешнего магнитного поля при фиксированной частоте освещения.
Деревянчук А.В., Зенкова К.Ю., Крамар В.М., Ницович Б.М. Особенности магнитооптического поглощения молекулярного кристалла вэкситонной области частот // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 6, Стр. 1039