Проведено теоретическое исследование нелинейного распространения продольно-поперечных акустических импульсов длительностью до одного периода колебаний (видеоимпульсов) в низкотемпературном парамагнитном кристалле параллельно внешнему магнитному полю. В качестве парамагнитных вкраплений рассмотрены ионы с эффективным спином S = 1/2. Показано, что в результате спин-фононного взаимодействия двухкомпонентные акустические импульсы способны распространяться в виде мощных солитоноподобных образований. Определены условия, при которых формируются экспоненциально локализованные дозвуковые и распространяющиеся быстрее поперечного звука рациональные солитоны с вращающейся плоскостью поляризации у поперечной компоненты. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 00-02-17436а).
Воронков С.В., Сазонов С.В. Квазисолитонные режимы распространения двухкомпонентных акустических видеоимпульсов в парамагнитном кристалле // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 11, Стр. 1969

Исследована динамическая электропроводноcть висмутcодержащей оксидной слоистой керамики состава Sr2Bi2TiNb2O12 в слабом переменном поле на частотах 0.5--500 kHz в температурном интервале 300--700 K. Показано, что при высоких температурах проводимость хорошо описывается теоретическими представлениями в рамках метода эффективной среды и соответствует двумерному прыжковому переносу. Проведена оценка величины концентрации узлов системы, по которым осуществляются прыжки носителей заряда.
Солодуха А.М., Либерман З.А. Особенности прыжковой проводимости в висмутсодержащей оксидной слоистой керамике // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 11, Стр. 1966

Исследовано влияние специфики формирования центров рассеяния в процессе электропластической деформации на электрические свойства германия.
Алиев М.А., Алиева Х.О., Селезнев В.В. Особенности рассеяния дырок в электропластически деформированных кристаллах германия // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 11, Стр. 1952

C помощью обобщенного метода сильной связи исследована спектральная плотность в ARPES-спектрах антиферромагнитных диэлектриков Sr2CuO2Cl2 и Ca2CuO2Cl2 вдоль основных симметричных направлений зоны Бриллюэна. Установлено, что на потолке валентной зоны данных недопированных соединений в АФМ фазе имеется псевдощель магнитной природы Es( k)~0-0.4 eV между виртуальным уровнем и самой валентной зоной, а близость триплета 3B1g и уровня ZR-синглета может являться причиной наблюдаемого подобия дисперсии вдоль направлений Gamma=<ftrightarrow M и X=<ftrightarrow Y. Рассчитанная четность поляризованных ARPES-спектров в точках Gamma,M,X для АФМ фазы с учетом парциальных вкладов является положительной. Указаны также условия наблюдения парциальных вкладов в поляризованных ARPES-экспериментах. За счет спиновых флуктуаций виртуальный уровень приобретает дисперсию и малый спектральный вес. Вероятно, эффекты затухания просто не позволяют его разрешить на фоне основного квазичастичного пика. Работа выполнена при поддержке Красноярского научного фонда (КНФ грант N 9F0039).
Гавричков В.А., Борисов А.А., Овчинников С.Г. Анализ поляризованных ARPES-спектров недопированных купратов // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 10, Стр. 1799

Обменное электронно-дырочное взаимодействие в полупроводниках проанализировано в рамках эмпирического метода сильной связи. Показано, что внутри- и межатомные вклады в дальнодействующее обменное взаимодействие входят неэквивалентно. В частности, для экситона Gamma_6 x Gamma7 в сферическом нанокристалле с кубической решеткой дипольно-дипольный вклад, обусловленный исключительно внутриатомными, или внутриузельными, переходами, не приводит к синглет-триплетному расщеплению экситонного уровня. Межатомные переходы, например анион-катионные переходы между ближайшими соседями в двойных полупроводниковых соединениях, определяют так называемый монополь-монопольный вклад в обменное расщепление экситона Gamma_6 x Gamma7, и этот вклад не исчезает в нанокристалле сферической формы. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16997) и Министерством науки (программа "Физика наноструктур"). Работа С.В.Г. частично финансировалась Федеральным управлением военно-морских исследований (the Office of Naval Research) и Национальным научным фондом (the National Science Foundation) по грантам ЕСS-0072986, DMR9705403 и DMR-0073364.
Гупалов C.В., Ивченко Е.Л. Обменное взаимодействие между электроном и дыркой в полупроводниках в методе сильной связи // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 10, Стр. 1791

Корреляции в расположении ионов железа описываются парной корреляционной функцией, вычисленной в модели жестких сфер. Влияние температуры учтено путем замены радиуса корреляционной сферы на его термодинамическое среднее. Процедура термодинамического осреднения проведена с помощью подхода Эйнштейна. Вычислены температурные зависимости подвижности электронов при рассеянии на коррелированном распределении ионов железа. Проведено сравнение с экспериментом.
Михеев В.М. Влияние температуры на пространственные корреляции примесных ионов в HgSe : Fe // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 10, Стр. 1785

Получены выражения для поперечной магнетотермоэдс в пленке с параболическим потенциалом в случаях невырожденной статистики и сильного вырождения. Показано, что в вырожденном случае с ростом магнитного поля расположенные ниже уровня Ферми квантовые уровни пересекают уровень Ферми, что приводит к скачкообразным осцилляциям абсолютной величины термоэдс.
Гашимзаде Ф.М., Бабаев А.М., Гасанов Х.А. Термоэдс полупроводниковой пленки с параболическим потенциалом в сильном магнитном поле // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 10, Стр. 1776

Рассмотрена двухатомная упругая цепочка с нелинейным межчастичным взаимодействием и нелинейным внешним потенциалом. Приведена полная классификация всех типов движущихся двухпараметрических щелевых и околощелевых солитонных решений данной системы при различных соотношениях нелинейностей. Получены аналитические выражения для движущихся околощелевых солитонов в отсутствие внешнего поля. Работа выполнена при частичной поддержке проекта INTAS-99 (грант N 167) и программы МНОП (грант USU 082087).
Ковалев А.С., Усатенко О.В., Горбач А.В. Движение солитонов в модулированных упругих средах // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 9, Стр. 1600

Исследована температурная зависимость радиационно-индуцированной проводимости в области 80--300 K в щелочно-галоидных кристаллах CsI, NaCl при возбуждении импульсным рентгеновским излучением. Показано, что увеличение проводимости с температурой удовлетворительно описывается термическим разделением электронов и дырок в генетических парах. Сделаны оценки концентрации, времени жизни электронов проводимости, пространственного распределения и вероятности термического разделения неравновесных носителей в генетических парах после термализации. Обсуждено возможное влияние двух дырок в генетической паре, возникающих при Оже-генерации, на увеличение скорости рекомбинации электронов.
Куликов В.Д. Концентрация и время жизни неравновесных носителей в CsI, NaCl при рентгеновском возбуждении // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 9, Стр. 1580

Энергия и затухание квазистационарного состояния, соответствующего гиперболическому экситону в полупроводниковом кристалле, рассчитаны в предположении, что взаимодействие между электроном и дыркой описывается экранированным кулоновским потенциалом. Определены условия возникновения резонанса, обусловленного гиперболическим экситоном. Работа поддержана МНТП России "Физика твердотельных наноструктур".
Белявский В.И., Кончаков Р.А. Гиперболические экситоны в полупроводниках // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 9, Стр. 1558