Рассмотрено влияние нормальных процессов электрон-электронного и фонон-фононного рассеяния на релаксацию импульса квазичастиц в неравновесных электрон-фононных системах вырожденных полупроводников. Решена система кинетических уравнений для электронной и фононной функций распределения и вычислены кинетические коэффициенты проводников в линейном приближении по параметру вырождения. Проанализировано влияние нормальных процессoв рассеяния квазичастиц на электропроводность термоэдс и теплопроводность вырожденных полупроводников. Учтено перераспределение импульса фононов в N-процессах фонон-фононного рассеяния как внутри каждой колебательной ветви, так и между различными колебательными ветвями фононов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16299).
Кулеев И.Г. Нормальные процессы рассеяния квазичастиц и кинетические эффекты вполупроводниках свырожденной статистикой носителейтока // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 215

Представлены результаты экспериментальных исследований теплопроводности слоистых полупроводников GaS и GaSe параллельно и перпендикулярно слоям в интервале температур 5--300 K. Проанализированы характерные особенности теплопроводности этих слоистых кристаллов.
Абдуллаев Н.А., Алджанов М.А., Керимова Э.М. Теплопроводность слоистых полупроводников GaS и GaSe // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 213

Экспериментально исследованы концентрационные и температурные зависимости структурных параметров, а также электрических и магнитных свойств диселенида титана, интеркалированного марганцем. Показано, что характер влияния марганца на свойства соединений при его внедрении между слоями Se--Ti--Se существенно отличается от влияния других 3d-элементов. Интерпретация полученных результатов дается с учетом особенностей электронного стpоения марганца. Работа выполнена при поддержке US CRKF --- Civilian Reseach & Development Foundation --- (грант N REC-005).
Плещев В.Г., Титов А.Н., Баранов Н.В. Структурные характеристики ифизические свойства диселенида титана, интеркалированного марганцем // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 62

Проведен теоретический анализ динамики формирования поля пространственного заряда в фоторефрактивном кристалле с двукратно ионизируемыми донорными центрами и мелкими ловушками. Рассмотрены временные зависимости процессов записи фоторефрактивной решетки в отсутствие внешнего электрического поля, ее релаксации при наличии опорного пучка и последующего проявления при приложении внешнего поля.
Плесовских А.М., Шандаров С.М. Влияние постоянного внешнего поля надинамику фоторефрактивного отклика вкристаллах сдвукратно ионизируемыми донорными центрами имелкими ловушками // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 57

Наблюдалась люминесценция монокристаллов Cr4+: Ca2GeO4 вблизи длины волны 1.3 mum при возбуждении полупроводниковым 1 mum лазером вплоть до 573 K. При T
Горшков О.Н., Демидов Е.С., Тюрин С.А., Чигинева А.Б., Чигиринский Ю.И. Электронный парамагнитный резонанс илюминесценция хрома вкристаллах германата кальция // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 1, Стр. 51

На основе представлений о структуре пористого кремния как о случайной совокупности наноразмерных кристаллитов Si, погруженных в матрицу SiO2, дана теоретическая интерпретация кинетики фотолюминесценции (ФЛ), обусловленной туннельной излучательной рекомбинацией фотовозбужденных электрона и дырки, локализовавшихся на границе раздела кристаллит/матрица. Следующий из теории относительно медленный --- по типу затянутой экспоненты (stretched exponential) --- временнoй спад интенсивности ФЛ является результатом усреднения интенсивности в каждом элементарном акте ФЛ по взаимному расположению электрона и дырки, локализованных на поверхности отдельного кристаллита, и по размерам кристаллитов. С помощью предложенного подхода удается достигнуть хорошего количественного описания низкотемпературных экспериментов как по кинетике ФЛ при фиксированной энергии излучения, так и по временной эволюции спектров ФЛ пористого кремния.
Бондарев В.Н., Пихица П.В. Кинетика люминесценции пористого кремния: флуктуационный подход // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 12, Стр. 2142

Исследовано влияние содержания германия на диффузию лития в твердые расворы Si1-xGex при температурах 300--500oC. Установлено, что при понижении температуры с ростом содержания германия резко уменьшаются коэффициент диффузии и предельная растворимость лития. Причем с ростом температуры диффузии темп спада коэффициента диффузии лития в зависимости от состава твердого раствора уменьшается, что обусловлено влиянием упругих напряжений решетки, создаваемых изовалентыми атомами германия.
Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Бахранов Э.Н. Низкотемпературная диффузия лития в твердые растворы кремний--германий // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 12, Стр. 2140

Изложены результаты теоретического анализа процессов зарождения полупроводников III-нитридов при гетероэпитаксии (на примере зарождения GaN на поверхности AlN). Сделано заключение, что температура начальной стадии формирования слоя (T) определяет механизм этого процесса. При низкой температуре (T650oC зарождаются только островки GaN. Установлено, что процесс зарождения островков GaN определяется обобщенным коэффициентом диффузии молекул GaN, являющимся комбинацией коэффициентов диффузии атомов галлия и азота. Показано, что обобщенный коэффициент диффузии GaN на поверхности кристалла возрастает на семь порядков при увеличении температуры роста от 600 до 800oC, что приводит к изменению механизма роста эпитаксиальных слоев полупроводников III-нитридов. Авторы благодарят Санкт-Петербургский научный центр РАН и Фонд поддержки науки и образования (Санкт-Петербург) за финансовую поддержку работы.
Кукушкин С.А., Бессолов В.Н., Осипов А.В., Лукьянов А.В. Зарождение полупроводников III-нитридов при гетероэпитаксии // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 12, Стр. 2135

Для описания прыжковой термоэдс развита модель, по которой в кристаллической матрице основная и компенсирующая примеси совместно образуют простую кубическую решетку. Дан расчет термоэдс в режиме прыжков дырок (электронов) по водородоподобным примесям с учетом их возбужденных состояний. Результаты расчетов сравниваются с известными экспериментальными данными по низкотемпературной термоэдс Ge : Ga и теплоемкости Si : P на диэлектрической стороне перехода изолятор--металл.
Поклонский Н.А., Лопатин С.Ю. Решеточная модель термоэдс при прыжковой проводимости: применение к нейтронно-легированному кристаллическому германию // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 12, Стр. 2126

Исследованы температурные зависимости времени спин-решеточной релаксации (T1) протонов в канальных клатратах мочевины с парафинами. Данные по T1 интерпретируются в рамках модели реориентации молекул парафинов и их фрагментов в каналах клатратов. Особенности динамики связываются в эффектами несоразмерности в этих соединениях.
Кригер Ю.Г., Семенов А.Р., Чехова Г.Н. Подвижность молекул парафинов в канальных клатратах мочевины по данным релаксационной спектроскопии ЯМР // ФТТ, 2001, том 43, выпуск 11, Стр. 1977