В кинетическом уравнении для электронов проводимости учтены неупругие процессы электрон-фононного рассеяния, при которых электрон захватывается или освобождается из кулоновского поля примеси. Оказывается, что при определенной энергии эти процессы становятся очень сильными. В указанной области энергий функции распределения свободных и связанных электронов коррелированы для того, чтобы процессы захвата и ионизации взаимно компенсировались. Существование области сильного рассеяния оказывается определяющим фактором при вычислении экспериментально измеряемых коэффициентов захвата и ионизации, входящих в уравнение баланса для электронной концентрации. Работа поддержана грантом НШ-2242.2003.2.
Каган В.Д. Кинетическая теория процессов ионизации изахвата электрона заряженной примесью вполупроводнике // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 210

Исследованы эффективные комплексные пьезоэлектрические и диэлектрические константы неупорядоченных гетерогенных систем типа статистических смесей, компоненты которых представляют собой одинаково ориентированные, но беспорядочно расположенные в пространстве частицы сфероидальной формы. Впервые обнаружено, что в таких системах возникает гигантское пьезоэлектрическое усиление, сопровождающееся гигантской релаксацией пьезомодулей и диэлектрической проницаемости. Пьезоэлектрические и диэлектрические спектры значительно отличаются от дебаевских и имеют коул-коуловский характер. Исследовано влияние на рассматриваемые эффекты аспектного отношения сфероидов. Рассмотрены физические механизмы, ответственные за аномалии в поведении пьезомодулей и диэлектрической проницаемости.
Турик А.В., Чернобабов А.И., Радченко Г.С., Турик С.А. Гигантское пьезоэлектрическое идиэлектрическое усиление внеупорядоченных гетерогенных системах // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 12, Стр. 2139

В рамках предложенной нами ранее простой модели проведены самосогласованные расчеты высоты барьера Шоттки для контактов Ag, Au, Pd, Pt, Ti, Ru, Ni, Cr, Al, Mg и Mn с различными политипами SiC. Показано, что вполне удовлетворительное согласие результатов расчета с экспериментом получено для контактов переходных металлов в предположении об определяющей роли кремниевых вакансий с энергией Ed=EV+2.1 eV. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16054б, INTAS N 01-0603 и NATO SiP N 978011.
Давыдов С.Ю. Простая модель расчета высоты барьеров Шоттки наконтактах переходных металлов сполитипами карбида кремния // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 12, Стр. 2135

Методами измерения задержанных спектров близкраевой фотолюминесценции оценено влияние распределения примеси и суммарной концентрации дефектов на транспорт неравновесных носителей, обнаружены особенности послесвечения в кристаллах GaN, GaN<Eu, Sm, Er>. Показано, что уменьшение суммарной концентрации носителей коррелирует с послесвечением в вюрцитных кристаллах GaN. Оценено влияние дополнительной подсветки при длине волны 5145 Angstrem на эволюцию задержанных спектров близкраевой фотолюминесценции для кристаллов с различным положением уровня Ферми. Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq.
Криволапчук В.В., Мездрогина М.М. Послесвечение вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельными металлами // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 12, Стр. 2129

Рассмотрен способ оптической ориентации спинов электронов (дырок), реализуемый посредством механизма вынужденных излучательных переходов, индуцируемых циркулярно поляризованными фотонами. Показано, что данный механизм может послужить основой для создания оптического генератора спин-поляризованных носителей заряда, по принципу работы аналогичного полупроводниковому лазеру.
Грачев А.И. Спиновая ориентация электронов при оптически стимулированной излучательной рекомбинации // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 12, Стр. 2124

Рассматривается механизм спин-гальванического эффекта, при котором генерация тока происходит за счет разницы скорости спонтанных излучательных переходов носителей заряда с противоположно направленными спинами. Указанная асимметрия возникает в условиях пространственно однородной неравновесной спиновой ориентации термализованных электронов (дырок), которая может осуществляться любым из известных способов.
Грачев А.И. Рекомбинационный механизм спин-гальванического эффекта // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 11, Стр. 1942

Неэмпирическим методом TB-LMTO в приближении LSDA + U выполнены расчеты электронной структуры гексацианоферрата (III) свинца. Изучено влияние вакансий в подрешетке свинца на электронный спектр, химическую связь и магнитные свойства Pb1.5Fe(CN)6. Для этого соединения получен электронный спектр с полупроводниковым характером проводимости и показано, что наличие полупроводниковой щели связано с зарядовым упорядочением ионов железа (III). Работа поддержана проектами Российского фонда фундаментальных исследований N 02-03-32806, 01-02-17063. Один из авторов (В.М.З.) благодарит Фонд содействия отечественной науке.
Зайнуллина В.М., Коротин М.А., Максимова Л.Г. Исследование электронной структуры ихимической связи гексацианоферрата(III) свинца // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1776

Предложена модификация метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) для анализа фазового химического состава вещества. В отличие от известного РФЭС метода К. Зигбана предлагаемый способ является безэталонным и позволяет с более высокой надежностью и точностью определять химический состав сложных многофазных соединений. Одновременно с химическим составом предложенный способ дает значения энергий связи остовных уровней атомов в химических фазах исследуемого вещества, которые ранее определялись в отдельных экспериментах на эталонных образцах. Основная идея предлагаемого подхода заключается в проведении самосогласованного разложения фотоэлектронных линий двух или более элементов. Энергии связи в этом разложении играют роль свободных параметров. Условие совпадения содержания одноименных химических фаз, определяемых из разложения спектров двух и более элементов, приводит к единственности решения задачи. Предложенный способ использован в исследовании химического состава нанопленок плазменного оксида InP, содержащего несколько химических фаз. Показано, что для улучшения качества пленки и интерфейса необходимо обогащение окисляемой поверхности фосфором. Работа выполнена при финансовой поддержке МНТП России (программа \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq), Президиума РАН (программа \glqqНизкоразмерные квантовые структуры\grqq).
Микушкин В.М., Сысоев С.Е., Гордеев Ю.С. Безэталонный РФЭС способ определения химического состава многофазных веществ иего применение висследовании нанопленок плазменного оксида InP // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1770

Для определения констант абсолютных объемных деформационных потенциалов (КАОДП) краев зон проводимости и валентной зоны в полупроводниках предлагается использовать объемно-концентрационный эффект, концепцию независимости энергии глубоких примесных центров от давления и данные об удельном сопротивлении и коэффициенте Холла. По нашим и опубликованным другими авторами данным определены КАОДП зон проводимости и валентной зоны в Ge, GaAs, InAs и InSb. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-17888).
Даунов М.И., Камилов И.К., Габибов С.Ф. Экспериментальное определение констант абсолютных объемных деформационных потенциалов экстремумов зон полупроводников // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1766

Исследованы квантовые осцилляции холловского сопротивления rhoij(B) в бикристаллах висмута в магнитных полях до 35 T. Установлено, что малоугловая внутренняя граница кручения обладает n-типом проводимости и состоит из центральной части и двух смежных слоев, которые характеризуются специфическими особенностями поверхности Ферми электронов.
Мунтяну Ф.М., Дубковецкий Ю.А., Гилевски А. Квантовые осцилляции холловского сопротивления в бикристаллах висмута смалоугловыми внутренними границами кручения // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1763