С применением транспортирующих газов, содержащих Cl, Br и I, выращены объемные монокристаллы ZnTe и CdTe. Спектры фотолюминесценции, состоящие из полосы свободного экситона и низкоэнергетической полосы несобственного происхождения, исследованы при различных температурах, уровнях возбуждения и временных задержках. Показано, что низкоэнергетическую полосу следует интерпретировать как излучение донорно-акцепторных пар. Значительных различий в спектрах излучения кристаллов, выращенных с применением Cl, Br и I, не обнаружено.
Агекян В.Ф., Ильчук Г.А., Рудь Ю.В., Степанов А.Ю. Фотолюминесценция монокристалловZnTe иCdTe, выращенных сприменением транспортирующих газов, содержащих галогены // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 12, Стр. 2117

На основе фрактальной модели неоднородной среды с хаотической структурой и итерационного метода осреднения определены частотные зависимости диэлектрических свойств композита типа металл-диэлектрик. Показано, что в низкочастотном пределе рассмотренные методы исследования двухкомпонентных сред позволяют получить детальную информацию о переходе металл--диэлектрик.
Новиков В.В., Wojciechowski K.W. Частотные зависимости диэлектрических свойств композитов типа металл--диэлектрик // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 11, Стр. 1963

Предложена модель дивакансии, объясняющая ряд экспериментальных фактов для Ga, облученного при температуре T=77 K потоком ускоренных электронов. В рамках модели объяснены отсутствие фотопроводимости, связанной с фотовозбуждением соответствующих дивакансиям полос инфракрасного поглощения 0.44 и 0.52 eV; различие оптически и электрически определенных значений энергий активации уровней дивакансии; существование предельного положения уровня Ферми в запрещенной зоне при облучении большими потоками радиации.
Долидзе Н.Д., Цеквава Б.Е. Кмодели дивакансии вгермании // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 11, Стр. 1943

Впервые представлена теория эффектов генерации второй гармоники и полного (пространственного и временного) выпрямления волн пространственного заряда (ВПЗ) в фоторефрактивных кристаллах и полуизолирующих полупроводниках. Теория предсказывает два механизма возбуждения второй гармоники ВПЗ. Предложена методика эксперимента для регистрации второй гармоники и получены необходимые формулы для интерпретации экспериментальных данных. Установлено, что эффект полного выпрямления ВПЗ может приводить к изменению тока, протекающего через образец, на десятки процентов. Результаты расчетов находятся в качественном согласии с предварительными экспериментами. Работа выполнена при поддержке РФФИ, грант 02-02-17603.
Брыксин В.В., Петров М.П. Генерация второй гармоники ивыпрямление волн пространственного заряда вфоторефрактивных кристаллах // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 10, Стр. 1785

Проанализированы температурные зависимости коэффициента теплопроводности слоистых кристаллов (СК) графита, нитрида бора, сульфида галлия и др. Показано, что специфическая для СК \glqq изгибная\grqq ветвь колебаний может определять ход кривой теплопроводности лишь в области ее роста. Температурный спад коэффициента теплопроводности не может быть объяснен с учетом только \glqq изгибных\grqq колебаний, и процессы фонон-фононного взаимодействия становятся эффективными лишь при возбуждении других ветвей акустического спектра.
Абдуллаев Н.А., Сулейманов Р.А., Алджанов М.А., Алиева Л.Н. Ороли изгибных колебаний впроцессах теплопереноса вслоистых кристаллах // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 10, Стр. 1775

Выполнены исследования вторичного излучения (фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света) в монокристаллах фосфида галлия при гелиевых температурах. Впервые установлено, что при возбуждении спектров вторичного излучения непрерывным маломощным гелий-неоновым лазером, линия генерации которого находится в области прозрачности фосфида галлия, наблюдается антистоксова фотолюминесценция из объема образца, обусловленная межзонной, а также примесной рекомбинацией. Полученные результаты открывают возможность для проведения качественного и количественного анализа примесей, присутствующих внутри объема полупроводника, на основе регистрации спектров объемной антистоксовой фотолюминесценции при низких температурах. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 98-02-17452) и ГНТП ПТУМНЭ (02.04.4.2.15Э37).
Горелик В.С., Карузский А.Л., Свербиль П.П. Объемное антистоксово вторичное излучение вфосфиде галлия притемпературе4.2 K // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 10, Стр. 1770

Исследовано влияние атомов Sn на электрофизические свойства и рентгеновские фотоэлектронные (РФЭ) спектры монокристаллов Sb2Te3, выращенных методом Чохральского. Показано, что характер температурных зависимостей кинетических коэффициентов существенным образом определен строением валентной зоны, состоящей из двух валентных подзон. Сделанные оценки значений эффективных масс плотности состояний дырок и зазора между экстремумами валентной зоны в Sb2Te3 : Sn согласуются с данными для нелегированного оловом Sb2Te3. В РФЭ спектрах монокристаллов Sb2Te3 : Sn не наблюдается значительных сдвигов остовных уровней и перераспределения электронной плотности в валентной зоне.
Гасенкова И.В., Житинская М.К., Немов С.А., Иванова Л.Д. Электрофизические свойства и электронная структура теллурида сурьмы, легированного оловом // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 10, Стр. 1766

Приведены результаты измерений термоэдс кристаллов PbX (X --- Te, Se, S) при высоком квазигидростатическом давлении до 35 GPa. Получены новые данные о величине и барической зависимости термоэдс у полупроводниковых и металлических фаз высокого давления. Фазовые переходы в PbX интерпретированы в модели, связывающей диэлектризацию электронного спектра с пайерлсовским искажением решетки. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17203) и Российского физического общества (стипендия ОФО РФ).
Щенников В.В., Овсянников С.В., Деревсков А.Ю. Термоэдс халькогенидов свинца при высоком давлении // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 10, Стр. 1762

Рассмотрены основные свойства, которым должна удовлетворять одноэлектронная матрица плотности кристалла. Показано, что непосредственное применение теории специальных точек, развитой ранее для вычисления электронной плотности и локальных обменных потенциалов, может приводить к нарушению свойства идемпотентности матрицы плотности и к возникновению нефизических расходимостей при учете нелокального обменного потенциала. Рассмотрена схема интерполяции матрицы плотности по зоне Бриллюэена в обратном пространстве, которая позволяет преодолеть эти трудности. Предложена модификация метода Хартри--Фока для бесконечного кристалла, которая автоматически приводит к уравнениям для модели циклического кластера. Проведены расчеты электронной структуры идеальных кристаллов --- BNhex, кремния и рутила --- методами Хартри--Фока и функционала плотности. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 99-03-33255.
Эварестов Р.А., Тупицын И.И. Методы Хартри--Фока и функционала плотности для бесконечного кристалла ициклического кластера // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1582

Представлены результаты структурно-оптического исследования свойств синтетических опалов. На основе анализа положения и ширины одномерной запрещенной фотонной зоны получена информация о ростовых особенностях структуры опала. Обнаружено, что структура образцов существенно меняется вдоль оси роста, совпадающей с направлением [111] ГЦК-решетки. Показано, что для областей, соответствующих ранним стадиям роста структуры опала, характерна сильная неупорядоченность, выражающаяся, в частности, в разориентации кристаллитов относительно оси роста образца. Сделан вывод, что наиболее пригодны для использования в качестве фотонных кристаллов области синтетических опалов, соответствующие более поздним стадиям роста. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 99-02-18284 и 00-02-16924).
Барышев А.В., Анкудинов А.В., Каплянский А.А., Кособукин В.А., Лимонов М.Ф., Самусев К.Б., Усвят Д.Е. Оптическая характеризация синтетических опалов // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1573