На примере туннельного контакта показано, что взаимодействие одноэлектронных процессов в многоэлектронной системе может служить источником безмасштабных фликкерных низкочастотных флуктуаций ее проводимости (взаимодействие заключается в том, что квантовая вероятность электронного перехода зависит от быстрых случайных изменений обстановки в течение перехода, в том числе вызванных аналогичными переходами). Теория связывает фликкерные флуктуации туннельной проводимости с дискретностью спектра электронных состояний и объясняет нелинейность шум-амперной характеристики, наблюдавшуюся в нанокомпозитах. Работа поддержана Министерством образования и науки Украины (проект N 2M/71-2000) и Королевской Академией наук Швеции.
Кузовлев Ю.Е., Медведев Ю.В., Гришин А.М. Эффекты квантовой дискретности ифликкерные флуктуации туннельной проводимости // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 5, Стр. 811

Проведен анализ большого количества экспериментальных данных по проводимости бора и высокобористых соединений в широком интервале температур. Показано, что температурную зависимость проводимости нет необходимости описывать, как это принято, суммой нескольких экспонент, соответствующих разным механизмам переноса заряда: от проводимости по нелокализованным состояниям при высоких температурах до прыжкового переноса по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми при низких температурах. В широком интервале температур проводимость подчиняется либо степенному, либо обратному аррениусовскому закону. Различие связано со структурными особенностями материалов, с глубиной пространственного потенциального рельефа и с участием или неучастием поляронов в переносе зарядов. Для ряда соединений наблюдался переход от степенной зависимости к обратному закону Аррениуса при повышении температуры. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-16697).
Гудаев О.А., Малиновский В.К. Прыжковый механизм переноса заряда вквазикристаллах бора иегосоединений // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 5, Стр. 805

В кластерном приближении методом функционала плотности рассчитаны равновесная геометрия и константы сверхтонкого взаимодействия с атомами двух ближайших координационных сфер для высокоспинового состояния отрицательно заряженной вакансии кремния в кубическом SiC. Получено хорошее согласие с экспериментальными данными при использовании 70-атомного кластера. Детально проанализирована спиновая поляризация в электронной подсистеме и рассмотрена правомерность обычно используемой простой модели ЛКАО при интерпретации данных ЭПР в полупроводниках. В терминах локализованных орбиталей поясняется распределение спиновой плотности для изучаемого дефекта.
Петренко Т.Т., Петренко Т.Л., Братусь В.Я. Отрицательно заряженная вакансия кремния вSiC: эффекты спиновой поляризации // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 5, Стр. 799

Температурные зависимости магнитной восприимчивости впервые используются для изучения самокомпенсации метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидном стекле As2S3. Одноэлектронные состояния метастабильных центров проявляются в парамагнетизме Кюри при высокой температуре, тогда как при T=<77 K наблюдается усиление антиферромагнетизма вследствие их спонтанной диссоциации: 2D0-> D++D-. Обнаруженная самокомпенсация парамагнитных центров аналогична спин-пайерлсовской нестабильности магнитных решеток, что подтверждается наличием двойного пика в зависимости обратной магнитной восприимчивости от температуры, который идентифицирует спонтанную диссоциацию при T=<77 K двух разных метастабильных центров. Сравнительный анализ данных магнитной восприимчивости, оптически индуцированного поглощения и ЭПР показывает, что одноэлектронные парамагнитные состояния этих метастабильных центров (D0) представляют собой дырочный и электронный собственные дефекты, сформированные соответственно оборванными связями атомов халькогена и мышьяка. Самокомпенсация двух типов метастабильных центров усиливается в условиях последовательных циклов охлаждения 300 K -> 3.5 K -> 300 K -> 3.5 K..., сопровождаемых оптической накачкой с энергией вблизи урбаховского краевого поглощения, что отражается в уменьшении парамагнетизма Кюри и увеличении ван-флековского парамагнетизма двухэлектронных состояний с отрицательной корреляционной энергией (D-).
Баграев Н.Т., Блинов Л.Н., Романов В.В. Самокомпенсация метастабильных центров вхалькогенидных полупроводниковых стеклах // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 5, Стр. 785

Методом инфракрасной Фурье-спектроскопии исследуется двулучепреломление в слоях пористого кремния, приготовленных при различных токах травления на подложке с ориентацией поверхности (110). В полученных спектрах наблюдаются биения для интенсивности прошедшего и отраженного излучения, возникающие вследствие сложения интенсивностей обыкновенной и необыкновенной волн, интерферирующих в пористом слое. Анализ спектров показывает, что исследуемые слои проявляют свойства отрицательного односного кристалла, оптическая ось которого лежит в плоскости слоя. Для слоев с пористостью 80% величина разности показателей преломления обыкновенной и необыкновенной волн достигает 18%. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с расчетами на основе модели эффективной среды, учитывающей анизотропию расположения кремниевых нанокристаллов в пористом слое. Работа поддержана программой \glqq Полупроводниковые наноструктуры\grqq Министерства промышленности, науки и технологии РФ и грантом CRDF N RP2-2275.
Кузнецова Л.П., Ефимова А.И., Осминкина Л.А., Головань Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Исследование двулучепреломления вслоях пористого кремния методом инфракрасной Фурье-спектроскопии // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 5, Стр. 780

Кристаллы кремния, выращенные методом Чохральского и легированные азотом, содержат мелкие термодоноры (МТД), отсутствующие в контрольных кристаллах. В процессе отжига при температурах 600 или 650oC концентрация МТД выходит на насыщение, и эта концентрация зависит от содержания азота N по закону N1/2. Данный результат указывает на то, что МТД включает в свой состав только один атом азота, и наиболее вероятной моделью МТД-дефекта является комплекс NOm межузельного атома азота и m атомов кислорода. Число m оценено по данным о температурной зависимости константы равновесия для реакции образования комплекса, в среднем m=3.
Воронков В.В., Воронкова Г.И., Батунина А.В., Головина В.Н., Арапкина Л.В., Тюрина Н.Б., Гуляева А.С., Мильвидский М.Г. Мелкие термодоноры в монокристаллах кремния, легированных азотом // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 4, Стр. 700

В диапазоне температур 80--400 K выполнено экспериментальное исследование теплопроводности оптически прозрачных поликристаллов сульфида цинка, различающихся размерами кристаллитов, плотностью образцов, и монокристалла ZnS. Показано, что теплопроводность поликристаллических образцов существенно зависит от размеров кристаллитов и связанной с ними концентрации дефектов в приграничном слое. В образцах с зернами размером 1 mum при температурах T210 K наряду с поперечными фононными модами в теплопереносе начинают играть возрастающую с температурой роль продольные фононные моды.
Лугуева Н.В., Лугуев С.М. Влияние особенностей структуры натеплопроводность поликристаллического сульфида цинка // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 251

Исследовалось влияние облучения быстрыми электронами с энергией E=1.2 MeV и дозой Phi=2· 1017 cm-2 на электрические, оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов CdS, легированных In. На основе анализа экспериментальных результатов делаются выводы о распаде при облучении пересыщенного раствора In в CdS, при этом атомы индия, находящиеся в узлах катионной подрешетки, выталкиваются междоузельными атомами кадмия. В облученных образцах CdS : In обнаружены новые центры медленной рекомбинации с положением максимумов оптического гашения фотопроводимости в области lambdaM1=0.75 и lambdaM2=1.03 mum. Предполагается, что за новые центры рекомбинации ответственны комплексы, в состав которых входят вакансии кадмия и атомы индия.
Давидюк Г.Е., Оксюта В.А., Манжара В.С. Электрические, оптические ифотоэлектрические свойства легированных индием монокристаллов сульфида кадмия, облученныхэлектронами // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 246

Определены область существования трехмерного биполярона в пространстве координат varepsilon*/varepsilonбесконечность и константы электрон-фононного взаимодействия. В основу определения допустимых границ, положено требование появления первого связанного состояния двух поляронов. Критерии, определяющие появление первого связанного состояния, находятся из решения интегрального уравнения, соответствующего уравнению Шредингера, описывающему собственные колебательные состояния биполярона. Для выделения колебательного уравнения из общего электрон-фононного гамильтониана используется метод канонических преобразований координат Боголюбова--Тябликова.
Мухоморов В.К. Границы существования континуального трехмерного биполярона // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 232

Изучены динамические свойства экситонов и биэкситонов в кольцевом резонаторе. Нелинейность обусловлена процессом прямого связывания двух экситонов в биэкситон за счет их кулоновского взаимодействия. Проведен бифуркационный анализ с выявлением точек бифуркаций Хопфа и удвоения периода. Описано влияние добротности резонатора на времена переключения. Обсуждается возможность экспериментального наблюдения изучаемых явлений. Один из авторов (В.З.Т.) выражает признательность Royal Society, при поддержке которого выполнена данная работа.
Трончу В.З., Шура К.В., Ротару А.Х. Возникновение регулярных ихаотических временных структур экситонов, фотонов ибиэкситонов впрямозонных полупроводниках // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 2, Стр. 226