Представлены результаты исследования нелинейно-оптических характеристик халькогенидных пленок (As2S3, As20S80, 2As2S3/As2Se3, 3As2S3/As2Se3). Измерены нелинейные показатели преломления и коэффициенты двухфотонного поглощения ряда пленок методом Z-сканирования на длинах волн 1064 и 532 nm пикосекундного излучения Nd:YAG-лазера. Проанализирован процесс оптического ограничения, обусловленный керровскими нелинейностями. Р.А. Ганеев и Т. Усманов благодарят за частичную финансовую поддержку УНТЦ (грант N Uzb-20). А.И. Ряснянский благодарит за поддержку Государственный Комитет по науке и технике Узбекистана (грант N 7/01).
Ганеев Р.А., Ряснянский А.И., Усманов Т. Влияние нелинейной рефракции идвухфотонного поглощения напроцессы оптического ограничения впленках аморфных халькогенидов // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 198

Полурелятивистский самосогласованный расчет электронной структуры MoSi2 проводился в рамках метода линеаризованных присоединенных плоских волн в локальном приближении функционала плотности. Представлены результаты исследования зонной структуры, поверхности Ферми и электрофизических характеристик (эффективных циклотронных масс, коэффициента анизотропии электропроводности, длины свободного пробега и коэффициента gamma при линейном по температуре члене теплоемкости). Поверхность Ферми состоит из двух листов: электронного и дырочного. Площади экстремальных сечений поверхности Ферми достаточно хорошо согласуются с экспериментом по изучению эффекта де Гааза--ван Альфена. Данные первопринципных расчетов не потребовали дополнительной корректировки.
Курганский С.И., Переславцева Н.С., Левицкая Е.В. Поверхность Ферми иэлектрофизические характеристики дисилицида молибдена // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 2, Стр. 193

В интервале температур 5-300 K измерена теплопроводность кристаллического хризотилового асбеста, состоящего из полых трубчатых волокон Mg3Si2O5(OH)4. Обсуждается возможность использования этого материала в качестве диэлектрической матрицы для исследования теплопроводности тонких нитей, образующихся при введении металлов или полупроводников в каналы \glqq трубок\grqq кристаллического хризотилового асбеста. Работа выполнена в рамках соглашения между Российской и Польской академиями наук при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17657).
Кумзеров Ю.А., Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Мисиорек Х., Муха Я., Ежовский А. Теплопроводность кристаллического хризотилового асбеста // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1, Стр. 56

Проведен анализ механизмов неоднородного уширения спектра ЭПР обменно-связанных димеров меди, высокоспиновых центров железа в германате лития и нецентральных ионов Tl2+ в сульфате калия. Показано, что дополнительные сигналы, наблюдаемые в этих материалах в районе совпадения резонансных положений двух переходов, качественно могут быть объяснены усреднением части спиновых пакетов исходных переходов. Работа выполнена при поддержке Американского фонда гражданских исследований и развития для независимых государств бывшего Советского Союза (грант N REC-005).
Важенин В.А., Гусева В.Б., Артемов М.Ю. Особенности спектра ЭПР врайоне случайного совпадения положений взаимодействующих переходов // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1, Стр. 46

На основе теории функционала локальной плотности вычислены самосогласованные валентный электронные плотности кристаллов CaO с решеткой каменной соли, CaF2 с решеткой флюорита, K2O с решеткой антифлюорита и составляющих их подрешеток. Показано, что в случае кристаллов с различающимися подрешетками Браве анионная подрешетка представляет собой квалентно связанный каркас, в который помещается подрешетка металла. В качестве величины, характеризующей связь подрешеток, использована разностная плотность, полученная как результат вычитания из кристаллической электронной плотности плотностей отдельных подрешеток. Разностная плотность исследованных кристаллов оказывается на порядок меньше кристаллической и подрешеточных, что свидетельствует о слабой гибридизации подрешеток и преимущественно ионном характере связи между ними.
Журавлев Ю.Н., Поплавной А.С. Распределение валентной электронной плотности впреимущественно ионных кристаллах сразличающимися подрешетками Браве // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1, Стр. 37

Получены уравнения, которым должна следовать зависимость температуры Дебая от температуры (Theta(T) ), чтобы вычисляемые на ее основе термодинамические функции удовлетворяли как третьему началу термодинамики, так и закону о равнораспределении энергии по степеням свободы. Получено общее выражение для функции Theta(T), которое удовлетворяет данным термодинамическим закономерностям. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-03-33301).
Магомедов М.Н. Об определении температуры Дебая изэкспериментальных данных // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1, Стр. 33

Квантовая интерференция процессов упругого и неупругого рассеяния быстрого электрона в канале возбуждения поверхностного плазмона является причиной изменения формы линии спектра этой характеристической потери энергии. Интенсивность генерации плазмонов в окрестности частоты omegap/sqrt(2)sqrt подавлена. Указанное подавление возрастает с увеличением длин волн поверхностных плазменных возбуждений и связано с усилением интерференционного гашения амплитуд процессов рассеяния быстрого электрона, различающихся последовательностью актов упругого и неупругого рассеяния. Подавление роста высоты спектра в окрестности максимума приводит к недиссипативному уширению формы линии. Кроме того, квантовая интерференция является причиной появления азимутально-угловой особенности у спектральной интенсивности по мере увеличения энергетической потери в пределах небольшой спектральной расстройки.
Либенсон Б.Н. Интерференция упругого и неупругого рассеяния быстрого электрона при его отражении отнеупорядоченной среды спотерей энергии навозбуждение поверхностного плазмона // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 1, Стр. 22

Приводятся результаты исследования теплопроводности вдоль трех кристаллографических направлений в кристаллах теллурита висмута. Обнаружено, что теллурит висмута имеет низкую теплопроводность, характерную для стекол и неупорядоченных твердых растворов. При температурах ниже температуры Дебая коэффициенты теплопроводности зависят от температуры как sqrt(T)sqrt, что характерно для неупорядоченных твердых растворов. Проведен расчет температурной зависимости теплопроводности теллурита висмута в рамках модели Дебая.
Доморацкий К.В., Ризак В.М., Садовская Л.Я. Теплопроводность теллурита висмута // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 12, Стр. 2133

С использованием методики химического жидкофазного осаждения (chemical bath deposition technique) в поры синтетического опала введены соединения эрбия: оксид и силикаты. Электронно-микроскопическими исследованиями установлено, что синтезированные вещества преимущественно осаждаются тонким однородным слоем на внутренней поверхности пор. Из исследований спектров пропускания показано, что полученный композит опал-эрбий сохраняет фотонно-кристаллические свойства (photonic band gap properties) исходной упорядоченной матрицы опала. Ионы Er3+ в составе композита люминесцируют на нескольких длинах волн в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах (550, 860, 980, 1240 и 1530 nm) при температуре 80 K. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 02-02-16502a), Минпромнауки (\glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq) и гранта NATO (PST.CLG.978079).
Алиев Г.Н., Голубев В.Г., Дукин А.А., Курдюков Д.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Сорокин Л.М., Хатчисон Дж. Структурные, фотонно-кристаллические илюминесцентные свойства композита опал-эрбий // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 12, Стр. 2125

Проведен анализ причин аномального возрастания термоэдс в боридах металлов в области высоких температур. Показано, что в рамках существующих моделей переноса зарядов в неупорядоченных полупроводниках такое поведение термоэдс не имеет объяснения. Аномальное возрастание термоэдс в полярных материалах может быть объяснено при учете температурной зависимости константы упругой связи или поляризуемости. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 99-02-16697).
Гудаев О.А., Малиновский В.К. Температурная зависимость термоэдс вполярных некристаллических материалах // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 12, Стр. 2120