Исследован электродинамический отклик электронного газа на поверхности наносферы. Найдено аналитическое выражение для поглощения электромагнитного излучения наносферой. Показано, что при низкой температуре на кривой поглощения имеются два резонансных пика. Исследовались форма, положение и интенсивность пиков. Зависимость поглощения от частоты излучения имеет изломы, связанные с вырождением электронного газа. Исследованы число и положение изломов, а также величины скачков на изломах. Рассматривались случай изолированной сферы и случай сферы, обменивающейся электронами с резервуаром. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16564), DFG(грант N 436 RUS 113/572) и Программы \glqq Университеты России\grqq (грант N 015.01.01.049).
Булаев Д.В., Маргулис В.А. Поглощение электромагнитного излучения электронами наносферы // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1557

Исследуется поляризационная зависимость спонтанного излучения горячих электронов, связанная с междолинным перераспределением их в многодолинных полупроводниках. Показано, что излучение поляризовано в основном перпендикулярно электрическому полю, но может изменять направление поляризации и ее глубину в зависимости от степени перераспределения электронов, их концентрации и величины греющего электрического поля.
Бондар В.М., Сарбей О.Г., Томчук П.М. Поляризационная зависимость спонтанного излучения горячих электронов // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 9, Стр. 1540

Рассмотрена модель эффекта генерации электродвижущей силы в SmS при нагревании образца в условиях отсутствия внешних градиентов температуры. На основании анализа данных по плотности монокристаллов SmS при отклонениях от стехиометрического состава в области гомогенности покaзано, что избыточные ионы самария располагаются в вакансиях подрешетки серы. Определены возможные концентрации дефектных ионов самария (до 2.8·1021 cm-3). Расчетным путем оценен интервал температур начала генерации электродвижущей силы в различных образцах SmS (440-640 K), а также критические концентрации электронов проводимости, при которых начинается генерация (6-8.5)·1019 cm-3. Предложена формула, позволяющая оценить величину наблюдаемого эффекта. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 00-02-16947.
Каминский В.В., Голубков А.В., Васильев Л.Н. Дефектные ионы самария иэффект генерации электродвижущей силы вSmS // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 8, Стр. 1501

Исследуются особенности возбуждения нестационарной фотоэдс в молекулярных кристаллах дисульфида олова. Обнаружено существенное уширение зависимости фототока от пространственной частоты интерференционной картины. Наблюдаемый ход зависимости объяснен в рамках модели фотопроводника с несколькими типами носителей заряда одного знака. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16890) и грантов НАТО (HTEH.LG 970314, CNS 972900).
Брюшинин М.А., Дубровский Г.Б., Петров А.А., Соколов И.А., Vainos N.A., Kalpouzos C. Нестационарная фотоэдс в кристаллах дисульфида олова вусловиях сильного приповерхностного возбуждения // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 7, Стр. 1203

Дан анализ нелинейного экранирования ионизованного донора вырожденным газом электронов проводимости кристаллического полупроводника. При нелинейном экранировании плотность заряда экранирующего ион электронного облака не пропорциональна суммарному электростатическому потенциалу иона и облака. В результате потенциал слабее спадает с расстоянием от иона, чем в линейном приближении, и величина энергии электростатической корреляции иона с экранирующим облаком меньше. Работа поддержана грантом Белорусского государственного университета.
Поклонский Н.А., Вырко С.А. Нелинейное экранирование иона легирующей примеси наметаллической стороне фазового перехода Мотта вполупроводниках // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 7, Стр. 1185

Двумя независимыми методами --- ЭПР и нерезонансного парамагнитного поглощения в параллельных полях --- измерены ширины линий delta H и времена спин-спиновой релаксации T2 ионов Gd3+, Mn2+ и Cr3+ в водных, водно-глицериновых и водно-полиэтиленгликолевых растворах при концентрациях парамагнитных ионов, обеспечивающих диполь-дипольный механизм релаксации. Экспериментальные данные позволили выявить плавный переход от чисто жидкостного (диффузионного) к квазитвердотельному (режим жесткой решетки) проявлению спиновой релаксации. Установлено, что стандартные и хорошо апробированные формулы для диполь-дипольных взаимодействий в жидкостном (время корреляции трансляционного движения tauc<< T2) и в твердотельном (tauc>> T2) приближениях хорошо описывают предельные случаи. Для полного теоретического описания экспериментальных зависимостей, в том числе и наблюдаемого плавного перехода, использована развитая одним из авторов немарковская теория спиновой релаксации в неупорядоченных средах. Теория учитывает коллективные эффекты памяти спиновых и молекулярных (решеточных) переменных с помощью функций памяти первого и второго порядка для взаимодействий спинов между собой и с решеткой. Найдена корреляция между величинами спинов и температурно-вязкостными границами перехода к немарковской релаксации. Выявлены случаи, когда твердотельному переходу в спиновой релаксации способствуют структурные преобразования в растворах. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-03-32915а) и фонда НИОКР РТ (грант 14-78/2000(Ф)).
Вишневская Г.П., Фролова Е.Н., Юльметьев Р.М. Проявление жидкостных итвердотельных свойств растворов поданным электронной релаксации парамагнитных ионов. Немарковские процессы // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1011

Представлены результаты теоретического анализа встречного двухпучкового взаимодействия света на отражательных решетках в оптически активных кубических кристаллах класса симметрии  23 при произвольной ориентации образцов. В приближении неистощимой накачки проанализировано влияние неоднонаправленного энергообмена на эффективность взаимодействия в кристалле Bi12TiO20 срезов (100), (111) и (11 2).
Мартьянов А.Г., Шандаров С.М., Литвинов Р.В. Взаимодействие световых волн наотражательной голографической решетке вкубических фоторефрактивных кристаллах // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1006

Экспериментально проведено разделение механизмов спин-решеточной релакскции 69,71Ga в чистом и легированных медью и хромом кристаллах GaAs, 23Na в номинально чистом NaCl и 27Al в чистом и слаболегированном хромом кристаллах Al2O3 в диапазоне температур 80-300 K. Выделение вклада в релаксацию примесей осуществлялось путем дополнительного стационарного насыщения линии ЯМР резонансными магнитным и электрическим полями. Показано, что в условиях подавления примесного механизма релаксации температурная зависимость T1 в кристаллах арсенида галлия и хлористого натрия описывается в рамках модели рамановских двухфононных процессов в приближении Дебая, тогда как зависимость T1 от температуры в кристаллах корунда отклоняется от теоретических предсказаний для релаксации за счет спин-фононного взаимодействия.
Микушев В.М., Уляшев А.М., Чарная Е.В., Chandoul A. Температурная зависимость времени спин-решеточной релаксации квадрупольных ядер вусловиях насыщения линииЯМР // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 1001

Измерены теплопроводность varkappa (в интервале 4--300 K) и электропроводность sigma (в интервале 80--300 K) поликристаллического образца Sm3S4 с параметром решетки a=8.505 Angstrem (с небольшим отступлением от стехиометрии в сторону Sm2S3). Показано, что при T>95 K, как и в стехиометрических образцах Sm3S4, наблюдается перескоковый механизм переноса заряда (sigma~exp(-Delta E/kT) с Delta E~ 0.13 eV). В области низких температур (до максимума теплопроводности кристаллической решетки varkappaph(T) ) varkappaph~ T2.6, в интервале температур 20--50 K varkappaph~ T-1.2, а при T>95 K, когда появляется перескоковый механизм переноса заряда, varkappaph~ T-0.3 и наблюдается заметное остаточное тепловое сопротивление. Делается вывод, что в соединениях с негомогенной переменной валентностью редкоземельных ионов, к которым относится Sm3S4, при перескоках электронов с Sm2+ (ион с большим ионным радиусом) на Sm3+ (ион с меньшим ионным радиусом) и обратно возникают локальные напряжения в кристаллической решетке, приводящие к изменению температурной зависимости varkappaph с T-1.2 на T-0.3 и появлению заметного остаточного теплового сопротивления. Работа проводилась в рамках двустороннего соглашения между Российской и Польской академиями наук и выполнялась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-18078) и Польского комитета научных исследований (грант N 2РОЗВ 129-19).
Голубков А.В., Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Мисиорек Х., Муха Я., Ежовский А. Теплопроводность кристаллической решетки соединений снегомогенной переменной валентностью редкоземельных ионов // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 6, Стр. 988

Определены полные комплексы из двенадцати фундаментальных оптических функций кристаллов флюорита в области 5-39 eV и корунда в области 2-30 eV с помощью экспериментальных и теоретических спектров, известных для некоторых из них. Установлены их основные особенности и общие закономерности. На основе известных теоретических схем зон и спектров varepsilon2 выполнены теоретический анализ полученных оптических спектров. Работа выполнена при поддержке Центра фундаментального естествознания (С.-Петербургский государственный университет.
Соболев В.В., Калугин А.И., Соболев В.Вал., Смирнов С.В. Оптические свойства иэлектронная структура флюорита икорунда // ФТТ, 2002, том 44, выпуск 5, Стр. 836