Для впервые синтезированного интеркалированного материала AgxZrSe2 получены изотемпературные разрезы фазовой диаграммы в интервале 423-523 K и при комнатной температуре. Обнаружено существование двух соединений с химической формулой Ag1/8ZrSe2 и Ag1/4ZrSe2, из которых при комнатной температуре стабильно только второе. Изучены структура и электрические свойства этого материала. Полученные результаты указывают на поляронную форму локализации носителей заряда. Сравнение с изоструктурными интеркалатными соединениями указывает на то, что основную роль в экранировке потенциала примеси играют свободные носители заряда. Работа поддержана Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-03-32620 и 01-03-96502).
Титов А.Н., Ягафарова З.А., Биккулова Н.Н. Исследование диселинида циркония, интеркалированного серебром // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 1968

Развита электростатическая модель, описывающая зависимость термической энергии ионизации (ТЭИ) примесей от их концентрации, степени компенсации и температуры. Модель учитывает экранирование ионов прыгающими по примесям дырками (электронами), изменение ширины примесной зоны, а также смещение ее положения относительно края v-зоны для акцепторов (c-зоны для доноров). Смещение примесной зоны обусловлено функциональной зависимостью энергии сродства ионизированного акцептора к дырке (донора к электрону) от экранирования кулоновских полей ионов. Пространственное распределение ионов примесей по кристаллу принималось пуассоновским, а энергетическое --- нормальным (гауссовым). Для исследованных (относительно невысоких) уровней легирования ход плотности состояний на краях v- и c-зон предполагался таким же, как и у нелегированного кристалла. Результаты численного моделирования согласуются с наблюдаемым на умеренно компенсированном Ge : Ga уменьшением энергии ионизации с температурой и уровнем легирования. При малых степенях компенсации предсказывается существование небольшого аномального максимума в температурной зависимости ТЭИ. Работа поддержана Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант Ф01-199) и Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-17813 и 00-15-96750).
Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г., Егоров С.В. Моделирование температурной зависимости энергии ионизации водородоподобных примесей вполупроводниках: применение ктрансмутационно легированному Ge : Ga // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 1954

Рассмотрена теория явлений, возникающих при оптическом методе возбуждения собственных мод колебаний электронного газа в полупроводниках с падающим участком вольт-амперной характеристики в сильном электрическом поле. Исследована зависимость величины тока через образец от частоты колебаний интерференционной картины, освещающей образец. Нестационарная и неоднородная засветка образца создает внутреннее электрическое поле, взаимодействие которого с собственными колебаниями имеет резонансный характер при совпадении частот колебаний интерференционной картины с частотами колебаний электронного газа. При приближении к максимуму вольт-амперной характеристики это взамодействие принимает нелинейный характер. Работа выполнена при финансовой поддержке Deutsches Zentrum fur Luft- und Raumfahrt и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17603).
Брыксин В.В., Кляйнерт П., Петров М.П. Теория волн пространственного заряда вполупроводниках сотрицательной дифференциальной проводимостью // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 1946

Методом тепловых импульсов как при оптической генерации фононов, так и при генерации металлическим нагревателем исследовано распространение неравновесных акустических фононов в крупнозернистом ZnTe, полученном вакуумной сублимацией. Показано, что в исследованных образцах длины свободного пробега фононов составляют 14 mum и определяются в основном рассеянием на двойниковых границах. Данная работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 02-02-17392 и 01-02-16500) и Комиссией РАН по работе с молодыми учеными (грант N 24 6-го конкурса-экспертизы).
Багаев В.С., Галкина Т.И., Шарков А.И., Клоков А.Ю., Мартовицкий В.П., Зайцев В.В., Клевков Ю.В. Распространение неравновесных акустических фононов ввысокочистом крупнозернистом ZnTe // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 1941

Electronic structure and capturing properties of three-fold coordinated silicon atom (=Si·) and the Si--Si bond in silicon nitride (Si3N4) were studied using the ab initio density functional theory. The results show that the previously proposed negative correlation energy (NCE) model is not applicable to Si3N4. The NCE model was proposed for interpreting the absence of the ESR signal for three-fold coordinated silicon defects and suggested that an electron can transfer between two silicon defects. We proposed that the absence of this ESR signal is due to the creation of neutral diamagnetic Si--Si defects in Si3N4. This model offers the most fundamental theory for explaining the hole localization (memory) effect in silicon nitride. This work is partially supported by research project N 7001134 of City U.
Gritsenko V.A., Novikov Yu.N., Shaposhnikov A.V., Wong Hei, Zhidomirov G.M. Capturing properties of three-fold coordinated silicon atom in silicon nitride: apositive correlation energy model // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 1934

В пористом кремнии (ПК) наблюдается несколько полос излучения, спектральное положение и интенсивность которых зависят от условий приготовления ПК, его обработки и последующей истории. Исследована полоса излучения ПК с максимумом около 1.8 eV, которую обычно относят к собственному излучению кремниевых нанокристаллов. Показано, что температурное изменение кинетики излучения в интервале 80-300 K имеет сложный характер и  заметно зависит от точки на контуре полосы. Температурные свойства затухания фотолюминесценции в полосе 1.8 eV определяются скоростью электронно-дырочной рекомбинации в пределах одного нанокристалла и каскадными переходами носителей заряда из малых нанокристаллов в большие с понижением энергии. Работа частично поддержана грантом Минобразования РФ Е 02-3.4-426.
Агекян В.Ф., Степанов А.Ю. О механизме излучения вкрасной полосе фотолюминесценции пористого кремния // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1800

Сформулирована и решена в изотропном приближении трехмерная задача определения поля напряжений и деформаций в бездислокационных пластинах кремния диаметром 200 и 300 mm, располагающихся горизонтально на трех симметрично расположенных опорах, в условиях действия гравитационных сил и термических напряжений. Показано, что в случае действия гравитационных сил пластина в целом наименее напряжена при расположении опор на расстоянии 0.6-0.7R от центра пластины. Рассчитаны поля сдвиговых напряжений для всех возможных систем скольжения. Установлено, что для пластин диаметром 300 mm даже при радиальном перепаде температуры 10 K решающую роль в формировании поля упругих напряжений играют гравитационные силы. В пластинах диаметром 200 mm при таком перепаде температур вклад термических напряжений соизмерим с вкладом гравитационных сил. При радиальных перепадах температур менее 5 K вкладом термических напряжений можно пренебречь и в случае пластин диаметром 200 mm. Исходя из полученных значений максимальных сдвиговых напряжений, нельзя исключать возможность генерации дислокаций в пластинах в области контакта с опорами в процессах высокотемпературного отжига пластин диаметром 200 mm и особенно пластин диаметром 300 mm. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 01-02-16816).
Меженный М.В., Мильвидский М.Г., Простомолотов А.И. Моделирование напряженного состояния пластин кремния большого диаметра впроцессе термического отжига // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1794

Рассмотрены возможные последовательности чередования тройных слоев X-M-X в дихалькогенидах металлов MX2, не противоречащие условиям плотной упаковки, и установлены структура и симметрия элементарных ячеек основных политипных модификаций этих соединений. Молекулярное строение этих кристаллов и тот факт, что минимальной структурной единицей в них является молекула MX2, позволили предложить сокращенную форму записи положения каждого тройного слоя, при которой указываются только положение центрального атома металла и ориентация молекулы. При этом учитывается существование двух видов координации атомов металла в молекуле: октаэдрическая, при которой ближайшие слои X занимают различное положение, образуя плотную упаковку, и тригональная призматическая, в которой оба слоя X занимают одинаковое положение. Использование такой сокращенной (молекулярной) формы записи значительно упростило рассмотрение политипных структур и позволило выделить среди кристаллов с элементарными ячейками в два, три и четыре слоя нескольких групп структур, различающихся как по строению, так и по симметрии. Автор выражает благодарность Российскому фонду фундаментальных исследований за финансовую поддержку (грант N 00-02-16890).
Дубровский Г.Б. Закономерности образования политипных структур вслоистых дихалькогенидах металлов // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1590

Исследованы профили редиоактивных трансмутационных изотопов, образованных в результате ядерных реакций при облучении германия протонами и ядрами 4He. Профили использованы для определения энергетической зависимости сечения ядерных реакций, приводящих к образованию трансмутационных изотопов.
Дидик В.А., Козловский В.В., Малкович Р.Ш., Скорятина Е.А. Профили трансмутационных изотопов, образованных вгермании облучением протонами иядрами гелия // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1576

Показано, что оптическая ориентация электронных спинов в полупроводниках позволяет реализовать чувствительный метод измерения зависимости времени жизни носителей от их концентрации. Эксперименты, проведенные в стационарном режиме при малой интенсивности возбуждения на гетероструктуре GaAs / AlGaAs, позволили исследовать безызлучательную рекомбинацию электронов и дырок, разделенных встроенным в интерфейс электрическим полем.
Джиоев Р.И., Кавокин К.В. Безызлучательная рекомбинация икинетика оптически ориентированных электронов наинтерфейсе GaAs / AlGaAs // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1566