Показано, что процесс образования, роста и коалесценции преципитатов во время охлаждения кристалла после выращивания является определяющим этапом в формировании ростовой дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния. Предложена кинетическая модель распада твердых растворов примесей, с помощью которой возможно моделирование процессов преципитации во время охлаждения кристалла кремния после выращивания в температурном диапазоне 1682 ... 1403 К. // It is shown that the process of formation, growth and coalescence of precipitates at crystal cooling after growth is a controlling factor of the growth defect structure formation at dislocation-free silicon single crystal. A kinetic model of decomposition of impurity solid solutions which gives an opportunity to simulate the precipitation during the silicon crystal cooling after the growth for the temperature range 1682 ... 1403 K.