Цель: определить острую токсичность новых металлокомплексов железа производных винилимидазола и исследовать их антигипоксическое действие в сравнении с Ацизолом и известными антигипоксантами: это-мерзолом и гипоксеном. Материал и методы. Антигипоксическая активность изучена в опытах на белых нелинейных мышах-самцах на четырех моделях острой гипоксии (гипобарическая, гипоксия с гиперкапнией, ге-мическая, гистотоксическая). Показатели острой токсичности (ЛД^ ЛД50 ЛД84) вычисляли графически по методу Миллера и Тейнтера. Изменения окислительного обмена у мышеи'под влиянием наиболее активного соединения оценивали по величинам потребления кислорода и ректальной температуры. Результаты. Исследованные металлокомплексы железа относятся к мало- и умеренно токсичным. Соединение под шифром Тетравим по степени выраженности антигипоксического действия (увеличение продолжительности жизни подопытных мышей по сравнению с контрольными группами на 20-127%) в диапазоне исследуемых доз (5-250 мг/кг, в/б) превосходит другие производные винилимидазола и известные антигипоксанты: этомерзол (25-100 мг/кг, в/б) и гипоксен (50-150 мг/кг, в/б). Заключение. Полученные данные по фармакологической активности Тетравима требуют дальнейшего выяснения механизма антигипоксического действия и проведения клинических исследований с целью внедрения его на фармакологический рынок в качестве перспективного антигипоксанта.
Шахмарданова С.А. Исследование острой токсичности и антигипоксической активности новых металлоком-плексов железа // Саратовский научно-медицинский журнал, Vol. 11, Issue 1, 2015, pp. 146-150

Исследовано влияние давления кислорода на фотохимическое окисление фенола. Показано, что повышение давления кислорода от 0.1 до 0.7 МПа приводит к увеличению скорости фотохимического окисления фенола примерно в 3.7 раз.
ЖУРНАЛ ФИЗИЧЕСКОЙ ХИМИИ, 2012, том 86, № 3, с. 569–571

Рассмотрены современные модели формирования микродефектов в высокосовершенных монокристаллах кремния. Показано, что их основным недостатком является то, что выводы о механизмах зарождения и начальных стадиях роста делаются на основе изучения достаточно крупных микродефектов, прошедших несколько стадий трансформации.Уточнена возможная роль кислорода и других примесей в процессах зарождения и роста микродефектов.
Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы. Сборник докладов 9 Международного симпозиума/ Под ред. В.М. Ажажи, В.И. Лапшина, И.М. Неклюдова, В.М. Шулаева. Харьков: ННЦ ХФТИ, 2003.- С. 97-101

Показано, что процесс образования, роста и коалесценции преципитатов во время охлаждения кристалла после выращивания является определяющим этапом в формировании ростовой дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния. Предложена кинетическая модель распада твердых растворов примесей, с помощью которой возможно моделирование процессов преципитации во время охлаждения кристалла кремния после выращивания в температурном диапазоне 1682 ... 1403 К. // It is shown that the process of formation, growth and coalescence of precipitates at crystal cooling after growth is a controlling factor of the growth defect structure formation at dislocation-free silicon single crystal. A kinetic model of decomposition of impurity solid solutions which gives an opportunity to simulate the precipitation during the silicon crystal cooling after the growth for the temperature range 1682 ... 1403 K.