Представлены результаты экспериментальных исследований особенностей и характера изменений электрических потенциалов (ЭП), регистрируемых между воздушными фурмами и кожухом доменной печи № 3 ПАО «Енакиевский металлургический завод». Выявлена связь уровня приращения сигнала ЭП и изменения содержания кремния в чугуне На основании полученных данных установлена возможность использования электрических сигналов для контроля тепловых процессов в горне доменной печи.

Рассмотрены особенности поведения примесей в монокристаллах кремния, основные механизмы формирования, физические свойства и структурное совершенство слаболегированных слоев кремниевых эпитаксиальных композиций.
Бахрушин В.Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций. - Запорожье: ГУ "ЗИГМУ", 2001.- 247 с.

Рассмотрены современные модели формирования микродефектов в высокосовершенных монокристаллах кремния. Показано, что их основным недостатком является то, что выводы о механизмах зарождения и начальных стадиях роста делаются на основе изучения достаточно крупных микродефектов, прошедших несколько стадий трансформации.Уточнена возможная роль кислорода и других примесей в процессах зарождения и роста микродефектов.
Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы. Сборник докладов 9 Международного симпозиума/ Под ред. В.М. Ажажи, В.И. Лапшина, И.М. Неклюдова, В.М. Шулаева. Харьков: ННЦ ХФТИ, 2003.- С. 97-101

В этой работе представлены основные результаты изучения аллювиального кремневого сырья в долине Нижнего Днестра, которое было начато В.Ф. Петрунем в 1960-е. Авторы дают геологические и петрографические характеристики основным кремневым месторождениям и описывают их связь с памятниками каменного века (от раннепалеолитических до неолитических), известными в этом регионе. Особое внимание уделяется материалам, собранным в 2005 – 2006 гг. на местах выхода кремня у Зелёного Хутора и Овидиополя.

Построены и исследованы эмпирические функции распределения для показателей неоднородности толщины эпитаксиальных слоев в группе кремниевых композиций. Для изученных показателей они могут быть представлены в виде суммы двух нормально распределенных величин или как однородная нормально распределенная выборка.
Сложные системы и процессы. – 2008. - № 1. – С. 3 – 8.

В работе проанализировано влияние высокотемпературных обработок в водороде на электрофизические свойства и образование поверхностных дефектов в монокристаллических пластинах и эпитаксиальных слоях кремния. Исследована кинетика и определены параметры формирования центров, отвечающих за снижение удельного электросопротивления n-Si. Систематизированы данные про глубокоуровневые центры, образующиеся при таких обработках.
Сложные системы и процессы. - 2005. - № 1. - С. 32 - 46.

В статье рассматриваются модели и основные характеристики образования низкотемпературных кислородных термодоноров в монокристаллах полупроводникового кремния, а также влияние легирования и внешних факторов на эти процессы.
Сложные системы и процессы, 2003. - № 1.- С. 40 – 51.

Актуальной прикладной проблемой механики является изучение закономерностей образования микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния большого диаметра как на стадии их выращивания, так и при последующих термообработках вырезаемых из них пластин. Это требует детального изучения сопряженных теплофизических процессов в тепловых узлах промышленных ростовых установок. С учетом тепловой истории и напряженного состояния монокристалла рассчитываются процессы переноса и рекомбинации собственных точечных дефектов и их последующая агломерация в микродефекты. // An actual applied problem of mechanics is studying of micro-defect formation in large diameter dislocation – free silicon single crystals both during its growing, and at the subsequent thermal annealing of produced wafers. It demands the detailed studying conjugated thermo-physical processes in hot zones of industrial growth furnaces. The transport and recombination processes of intrinsic point defects and its subsequent agglomeration in micro-defects are calculated with taking into account of a thermal history and strained state of single crystal.

Показано, что процесс образования, роста и коалесценции преципитатов во время охлаждения кристалла после выращивания является определяющим этапом в формировании ростовой дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния. Предложена кинетическая модель распада твердых растворов примесей, с помощью которой возможно моделирование процессов преципитации во время охлаждения кристалла кремния после выращивания в температурном диапазоне 1682 ... 1403 К. // It is shown that the process of formation, growth and coalescence of precipitates at crystal cooling after growth is a controlling factor of the growth defect structure formation at dislocation-free silicon single crystal. A kinetic model of decomposition of impurity solid solutions which gives an opportunity to simulate the precipitation during the silicon crystal cooling after the growth for the temperature range 1682 ... 1403 K.

Предложена новая альтернативная модель образования и трансформации ростовых микроде-фектов в бездислокационных монокристаллах кремния. Гетерогенная диффузионная модель включает одновременно физическое и математическое моделирование и является общим подхо-дом к решению проблемы описания реального механизма образования дефектов. Были рассмотре-ны принципы новой альтернативной математической модели образования вторичных ростовых микродефектов.