Рассмотрены особенности поведения примесей в монокристаллах кремния, основные механизмы формирования, физические свойства и структурное совершенство слаболегированных слоев кремниевых эпитаксиальных композиций.
Бахрушин В.Е. Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций. - Запорожье: ГУ "ЗИГМУ", 2001.- 247 с.

В работе проанализировано влияние высокотемпературных обработок в водороде на электрофизические свойства и образование поверхностных дефектов в монокристаллических пластинах и эпитаксиальных слоях кремния. Исследована кинетика и определены параметры формирования центров, отвечающих за снижение удельного электросопротивления n-Si. Систематизированы данные про глубокоуровневые центры, образующиеся при таких обработках.
Сложные системы и процессы. - 2005. - № 1. - С. 32 - 46.

В статье рассматриваются модели и основные характеристики образования низкотемпературных кислородных термодоноров в монокристаллах полупроводникового кремния, а также влияние легирования и внешних факторов на эти процессы.
Сложные системы и процессы, 2003. - № 1.- С. 40 – 51.

Актуальной прикладной проблемой механики является изучение закономерностей образования микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния большого диаметра как на стадии их выращивания, так и при последующих термообработках вырезаемых из них пластин. Это требует детального изучения сопряженных теплофизических процессов в тепловых узлах промышленных ростовых установок. С учетом тепловой истории и напряженного состояния монокристалла рассчитываются процессы переноса и рекомбинации собственных точечных дефектов и их последующая агломерация в микродефекты. // An actual applied problem of mechanics is studying of micro-defect formation in large diameter dislocation – free silicon single crystals both during its growing, and at the subsequent thermal annealing of produced wafers. It demands the detailed studying conjugated thermo-physical processes in hot zones of industrial growth furnaces. The transport and recombination processes of intrinsic point defects and its subsequent agglomeration in micro-defects are calculated with taking into account of a thermal history and strained state of single crystal.

На примере монокристаллов Si(As,P,B) и GaSb(Si) показаны возможности рентгенодифракционной диагностики сильнолегированных кристаллов полупроводников в отношении характеризации состояния примеси – находится ли она в виде твердого раствора или на разных стадиях его распада. Найдено оптимальное сочетание методов для получения информации о микросегрегации и структурной неоднородности в кристаллах со слабым и сильным поглощением рентгеновских лучей. Основой являются более чувствительные, чем традиционно используемые методы рентгеновской дифракционной топографии и дифрактометрии. // Using Si(As, P, B) and GaSb(Si) single crystals the possibilities of X-ray diffraction techniques for diagnostics of heavily doped semiconductor crystals in characterization of impurity state – whether it is in the crystals in the form of solid solution or under various stages of its decomposition - are shown. The best combination of techniques for receiving information about the microsegregation and structural inhomogeneity in the crystals with slight and strong absorption of X-rays has been found. The more sensitive methods of X-ray diffraction topography and diffractometry than traditionally used ones form a basis for this combination.

Показано, что процесс образования, роста и коалесценции преципитатов во время охлаждения кристалла после выращивания является определяющим этапом в формировании ростовой дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния. Предложена кинетическая модель распада твердых растворов примесей, с помощью которой возможно моделирование процессов преципитации во время охлаждения кристалла кремния после выращивания в температурном диапазоне 1682 ... 1403 К. // It is shown that the process of formation, growth and coalescence of precipitates at crystal cooling after growth is a controlling factor of the growth defect structure formation at dislocation-free silicon single crystal. A kinetic model of decomposition of impurity solid solutions which gives an opportunity to simulate the precipitation during the silicon crystal cooling after the growth for the temperature range 1682 ... 1403 K.