Сиспользованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения вобласти P-L2,3-краев зонного спектра, отражающие локальную плотность состояний взоне проводимости вследующих объектах: наноструктурах сквантовыми точками InP, выращенных на подложках GaAs<100> методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, ивпористых слоях InP, полученных анодным импульсным электрохимическим травлением монокристаллических пластин InP< 100>. Во всех наноструктурах обнаружены квантово-размерные эффекты ввиде появления дополнительного уровня на расстоянии 3.3 эВ от дна зоны проводимости, атакже изменение ширины запрещенной зоны исследуемых материалов при размерном квантовании электронного спектра. Высказаны предположения озона-зонном происхождении спектров люминесценции висследованных наноструктурах.
Домашевская Э.П., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Турищев С.Ю., Молодцов С.Л., Вялых Д.В., Винокуров Д.А., Улин В.П., Конников С.Г., Шишков М.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Синхротронные исследования энергетического спектра электронов внаноструктурах на основе A IIIB V // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 1017

Предложена модель, позволяющая описать кинетику увеличения характерного размера октаэдрических ипластинчатых кислородных преципитатов вкремнии. Показано, что экспериментальные данные различных авторов по кинетике роста преципитатов хорошо описываются вприближении, что рост лимитирован диффузией, агеометрия преципитатов характеризуется постоянным эксцентриситетом.
Светухин В.В., Гришин А.Г., Приходько О.В. Моделирование кинетики роста октаэдрических ипластинчатых кислородных преципитатов вкремнии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 871

Предложена кинетическая модель легирования магнием нитрида галлия, выращиваемого спомощью молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота, иопределены параметры модели. Предполагая конкурентное квазиравновесное вхождение Mg иGa вподрешетку IIIгруппы, теория объясняет основные экспериментально наблюдаемые закономерности легирования--- зависимость эффективности вхождения Mg от температуры иV / III-отношения впадающих потоках.
Воробьев А.А., Кораблев В.В., Карпов С.Ю. Легирование магнием вмолекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия изактивированного азота // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 866

Для создания электронных приборов, использующих полупроводниковые материалы, технология эпитаксиального наращивания которых достаточно хорошо отработана, желательно иметь набор подложек, базирующихся наSi и обеспечивающих выращивание гетероструктур с различными параметрами решетки. Такие подложки принято называть искусственными (artificial substrates). В данной работе проведен сравнительный анализ различных методов получения искусственных подложек--- гетероструктур, принцип релаксации напряжений в которых базируется на введении дислокаций несоответствия. Наоснове литературных и оригинальных данных анализируются механизмы реализации малой плотности прорастающих дислокаций в пластически релаксированных пленках на примере гетероструктурGeSi / низкотемпературный буферный слойSi. Анализируются проблемы и результаты другой группы методов получения искусственных подложек, завоевавших в последнее время популярность так называемых \glqq податливых\grqq и \glqq мягких\grqq подложек. Рассмотрены основные электрофизические параметры пленокSi иGeSi, выращенных на искусственных подложках.
Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Чикичев С.И. Искусственные подложки GeSi длягетероэпитаксии--- достижения ипроблемы // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 513

Продемонстрировано существование процессов самоорганизации в пленках a-Si(H) : Er: появление упорядоченной структуры кристаллитов [Er--O] в неупорядоченной структурной сетке a-Si(H) : Er. Показано, что основным параметром процесса самоорганизации является управляющий параметр, каковым в пленках a-Si(H) : Er является концентрация комплексов [Er--O]. Уменьшение размеров кристаллитов, увеличение плотности частиц приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции при lambda=1.54 мкм, т. е. кувеличению оптической активации ионов Er в пленках a-Si(H) : Er.
Мездрогина М.М., Трапезникова И.Н., Теруков Е.И., Насрединов Ф.С., Серегин Н.П., Серегин П.П. Природа примесных центров редкоземельных металлов ипроцессы самоорганизации вa-Si(H) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1337

Проведенные исследования показали, что структура пленки a-Si : H(Er), используемой в качестве рабочего слоя в электролюминесцентной структуре, является столбчатой. Диаметры столбов лежат в интервале60--100 Angstrem. Проводимость в такой структуре различается в зависимости от направления тока. При комнатной температуре в планарной геометрии транспорт осуществляется с помощью механизма перескоков по локализованным состояниям вблизи края зоны проводимости, в пределах \glqq хвоста\grqq зоны. Всэндвич-геометрии проводимость осуществляется по границам столбов, где проводимость выше, по механизму прыжковой проводимости на уровне Ферми.
Коньков О.И., Теруков Е.И., Границына Л.С. Проводимость иструктура пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием a-Si : H(Er) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1332

Проведены комплексные исследования спектрального распределения фотолюминесценции, спектров ее возбуждения и спектров оптического пропускания встеклах состава La2S3·2Ga2O3 и (La0.97Nd0.03)2S3· 2Ga2O3. Установлено, что при возбуждении стекол светом из полосы фундаментального поглощения основным каналом передачи энергии от матрицы ионам Nd3+ является излучательный. Центром-сенсибилизатором является кислород суровнем Ec-2.0 эВ. Структурное разупорядочение стеклянной матрицы увеличивает вариацию величин расщепления уровней мультиплетов 4f-электронных состояний иона Nd3+, что способствует ускорению процессов безызлучательной релаксации электронов из возбужденных состояний на лазерный уровень4F3/2. Стекла (La0.97Nd0.03)2S3· 2Ga2O3 можно отнести кперспективным лазерным материалам для получения стимулированного излучения ионов Nd3+ при оптической накачке вполосе фундаментального поглощения стекла.
Бабаев А.А., Зобов Е.М., Соколов В.В., Шарапудинова А.Х. Фотолюминесценция иособенности возбуждения ионов Nd3+ встеклах (La0.97Nd0.03)2S3&#183; 2Ga2O3 // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1327

Представлены результаты и проведен сравнительный анализ электролюминесцентных структур на длину волны1.54 мкм на базе аморфного гидрогенизированного кремния. Впервые демонстрируется возможность получения электролюминесценции при комнатной температуре в нормальных p-i-n-структурах на этом материале при прямом включении, что представляет интерес для разработки эффективных излучающих структур с токовой накачкой.
Теруков Е.И., Гусев О.Б., Коньков О.И., Ундалов Ю.К., Stutzmann M., Janotta A., Mell H., Kleider J.P. Электролюминесценция эрбия вp-i-n-структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1323

Впервые наблюдалось образование преципитатов beta-FeSi2 в пленках микрокристаллического кремния. Пленки аморфного кремния, легированные железом (a-Si<Fe>), были получены методом магнетронного распыления. Последующий кратковременный термический отжиг приводил к переходу аморфного кремния в микрокристаллический и образованию преципитатов beta-FeSi2. Показано, что синтезированные образцы излучали на длине волны lambda~1.54 мкм при100 K.
Теруков Е.И., Коньков О.И., Кудоярова В.Х., Гусев О.Б., Давыдов В.Ю., Мосина Г.Н. Образование преципитатов beta -FeSi2 вмикрокристаллическомSi // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1318

Проведено исследование скрытых наноразмерных дефектных слоев, сформированных вкристаллахSi иSiC имплантацией водорода сэнергией50 и100 кэВ. Показана высокая чувствительность использованного метода атомно-силовой микроскопии для обнаружения начальных стадий развития водородсодержащих пор имикротрещин вподповерхностных слоях облученных кристаллов, атакже для исследования процессов расслаивания кристаллов вдоль плоскости микротрещин. Врезультате были получены количественные критерии условий создания скрытых дефектных слоев висследованных кристаллах, необходимые для реализации процессов блистеринга и\glqq Smart-Cut\grqq.
Козлов В.А., Козловский В.В., Титков А.Н., Дунаевский М.С., Крыжановский А.К. Скрытые наноразмерные дефектные слои, сформированные вкристаллахSi иSiC высокодозной имплантацией протонов // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1310