Исследована взаимосвязь между интенсивностью зона-зонной фотолюминесценции в монокристаллическом кремнии и плотностью поверхностных состояний на границе кремний--<диоксид кремния> вSi--SiO2-структурах, изготовленных по технологии, используемой при промышленном изготовлении приборов с зарядовой связью. Для измерения плотности поверхностных состояний использовались отжиг Si--SiO2-структур в водороде иgamma-облучение.
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Pizzini S. Влияние плотности поверхностных состояний нафотолюминесценцию Si--SiO2-структур прикомнатной температуре вобласти зона-зонной рекомбинации кремния // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1307

Исследована температурная зависимость спектров фотолюминесценции в области длин волн 1.1-1.4 мкм в интервале температур T=77-573 K в монокристаллических пленках Cr4+: Ca2GeO4, осажденных на поверхности(110) монокристалла Ca2GeO4. Анализ спектров, выполненный в рамках представлений о взаимодействии электронов излучающего центра с колебаниями, возбуждаемыми в пленке, позволяет заключить, что в пленках подавлено взаимодействие электронов с колебаниями кристаллической решетки и доминирует взаимодействие с колебаниями излучающего центра. Экспериментально наблюдаемый сдвиг бесфононной линии в спектрах пленок относительно таковой в спектрах объемных монокристаллов связывается с увеличением симметрии кислородного тетраэдра оливиновой кристаллической структуры, обусловленным наличием дефектов в пленках.
Горшков О.Н., Демидов Е.С., Дианов Е.М., Касаткин А.П., Лебедев В.Ф., Максимов Г.А., Тюрин С.А., Чигинева А.Б., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н. Температурные зависимости спектров фотолюминесценции монокристаллических пленок Cr4+: Ca2GeO4 // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1303

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии получены слои теллурида цинка, легированные иттербием. Проведены исследования фотолюминесценции. Установлено, что для активации излучения редкоземельных ионов требуется дополнительное легирование кислородом. Определены условия для получения интенсивного излучения ионов Yb3+. Экспериментально измерено штарковское расщепление уровней Yb3+ в кристаллическом поле.
Коннов В.М., Лойко Н.Н., Садофьев Ю.Г., Трушин А.С., Махов Е.И. Излучение редкоземельных центров всистеме ZnTe : (Yb + O)/GaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1297

Проведено моделирование образования донорных центров при отжиге слоев монокристаллического кремния FZ-Si (метод бестигельной зонной плавки) иCz-Si (метод Чохральского), имплантированных совместно ионами Er+ иO+. Решались численно диффузионно-кинетические уравнения, учитывающие образование эрбиевых донорных центров трех типов--- сучастием кислорода подложки или имплантированного кислорода, атакже собственных межузельных атомовI, образующихся при отжиге имплантационных нарушений, т. е. центров (Er--I), (Er--O) и(Er--O--I). Расчеты удовлетворительно описывают концентрационные профили донорных центров по глубине, атакже влияние кислорода подложки иимплантированного кислорода на зависимости коэффициента донорной активации эрбия от температуры отжига вдиапазоне 600--1200oC.
Александров О.В., Захарьин А.О. Модель образования донорных центров вслоях кремния, имплантированных ионами эрбия икислорода // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1291

Представлен обзор экспериментальных исследований по фуллереновой тематике на кафедре экспериментальной физики Санкт-Петербургского государственного политехнического университета, проводившихся под руководством профессора, доктора физ.-мат. наук В. Ф. Мастерова. Основное внимание уделяется исследованию обнаруженного в медь-фуллереновых структурах эффекта слабой сверхпроводимости.
Приходько А.В., Коньков О.И. Школа В. Ф. Мастерова и фуллереновые исследования на кафедре экспериментальной физики Санкт-Петербургского государственного политехнического университета // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1286

Исследовано влияние гидростатического сжатия (P=< 12 кбар) на электрофизические свойства n-Pb1-xSnxTe (x=0.22), облученного электронами (T~ 300 K, E=6 МэВ, Phi=7.7· 1017 см-2). Исследована перестройка энергетического спектра облученных электронами сплавов под действием давления. На основе полученных экспериментальных данных определены параметры модели энергетического спектра носителей заряда в n-Pb1-xSnxTe (x=0.22), облученном электронами.
Скипетров Е.П., Некрасова А.Н., Рязанов А.В. Энергетический спектр n-Pb1-xSnxTe (x=0.22), облученного электронами // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 1021

Экспериментально выявлены и исследованы электрическими и люминесцентными методами акцепторные дефекты, контролирующие проводимость и рекомбинацию в Cd1-xMnxTe (0=< x=<0.1). Определены их энергетические уровни и их зависимости от состава. Обсуждается физико-химическая природа этих дефектов.
Власенко А.И., Бабенцов В.Н., Власенко З.К., Свечников С.В., Раренко И.М., Захарук З.И., Никонюк Е.С., Шляховый В.Л. Акцепторы в Cd1-xMnxTe (x // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 1017

Исследованы центры свечения и их преобразование при электронном облучении и отжиге в специально не легированных и легированных медью монокристаллах CdS. Атомы Cu, взаимодействуя в основном с дефектами в кадмиевой подрешетке, образуют центры CuCd, ответственные за люминесценцию при длинах волн lambdam=0.98/1.00мкм. При температурах отжига, больших 50 oC, вследствие увеличения подвижности точечных дефектов как в кадмиевой, так и в серной подрешетках CdS : Cu происходит преобразование комплексов дефектов, ответственных за полосы зеленой (lambdam=0.514мкм), красной (lambdam=0.72мкм) и инфракрасной (lambdam=0.98мкм) люминесценции.
Давидюк Г.Е., Богданюк Н.С., Шаварова А.П., Федонюк А.А. Преобразование центров красной иинфракрасной люминесценции приэлектронном облучении иотжиге монокристалловCdS иCdS : Cu // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 1013

Синтезированы методом химической транспортной реакции монокристаллы Ga0.5In1.5S3 и исследованы вольт-амперные характеристики и температурные зависимости электропроводности. Показано, что механизм прохождения тока в структуре In--Ga0.5In1.5S3--In обусловлен монополярной инжекцией.
Аскеров И.М., Асадов Ф.Ю. Инжекционные токи в смешанослойных монокристаллах Ga0.5In1.5S3 // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 1011

Исследована динамика установления электрического поля и тока при освещении высокоомной слабо легированной (чистой) сильно смещенной симметричной структуры металл--полупроводник и металл--диэлектрик--полупроводник монохроматическим собственным светом. Численно решалась система транспортных уравнений в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах полупроводника учтена эмиссия носителей и их поверхностная рекомбинация. Показано, что при включении (выключении) освещения поле в структуре монотонно релаксирует к стационарному распределению. Время установления поля и тока при включении освещения примерно равно времени дрейфа для дырок tdr, рассчитанному по среднему полю Ee=V/d, и не зависит от интенсивности света Ii, коэффициента поглощения и туннельной прозрачности границ раздела Tn, p. Время восстановления темнового тока и поля при выключении света увеличивается с увеличением Ii и уменьшением Tn, p, однако остается порядка tdr. При сильном поглощении и интенсивности, превышающей характерный масштаб, определяющий область слабого экранирования поля, зависимость полного тока от времени немонотонна. При заполнении ловушек на поверхности вблизи электродов начинается аккумуляция носителей, что при достаточно больших Ii и низких Tn, p приводит к скачку поля у анода.
Резников Б.И. Нестационарный фотоэффект в высокоомных чистых сильно смещенных структурах металл--полупроводник иметалл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 1997, том 31, выпуск 8, Стр. 1003