Методом численного решения системы кинетических уравнений исследуется кинетика кластерообразования в процессе вакуумной конденсации тонких пленок. Получены графики распределения по размерам кластеров от единиц до нескольких сотен атомов. В координатах температура-скорость конденсации определены области преимущественного зарождения на активных центрах --- точечных дефектах кристаллической подложки --- и статистического зарождения и показана возможность разделения областей псевдослоевого и трехмерного (шероховатого) роста. Показано, что причиной экспериментально наблюдаемой двухмодальности распределения островков по размерам может быть различие в скоростях роста кластеров на стадии, предшествующей коалесценции. Работа поддержана грантом Министерства образования и науки РФ \glqq Ведущие научно-педагогические коллективы\grqq. PACS: 68.03.Fg, 68.03.Hj
Иевлев В.М., Шведов Е.В. Кинетика формирования дискретных наноструктур впроцессе вакуумной конденсации из однокомпонентного пара // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1, Стр. 133

Путем закалки из жидкого состояния на наружной поверхности вращающегося медного диска синтезированы образцы композитов из несмешиваемых в твердом состоянии элементов Cu и Pb. Методом рентгеновской дифракции установлено, что полученные композиты Cu--Pb представляют собой вкрапления наночастиц Pb определенного размера в медной матрице. Определен средний размер нанокристаллических блоков Pb вдоль нормалей к отражающим плоскостям (111) и (200) и выявлено их распределение по размерам. Исследованы колебательные, электронные и сверхпроводящие свойства композитов Cu85Pb15 и Cu50Pb50 с помощью измерений низкотемпературной теплоемкости, магнитной восприимчивости и сопротивления и выделен вклад в теплоемкость наночастиц Pb. Обнаружено увеличение плотности низкочастотных возбуждений в нанокристаллах Pb по сравнению с кристаллическим Pb. Наблюдаемые уменьшения Tc коррелируют с изменением размера наночастиц Pb, что является следствием влияния размерного эффекта на свойства нанокристаллов Pb. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 02-16803-a). PACS: 61.10.Nz, 65.40.Ba, 73.63.Bd
Землянов М.Г., Панова Г.Х., Сырых Г.Ф., Шиков А.А. Влияние размерного эффекта на колебательные иэлектронные свойства нанокомпозитов Cu--Pb // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 1, Стр. 128

Показано, что при магнитном стоахстическом резонансе у суперпарамагнитных частиц с кубической анизотропией отношение сигнал--шум проявляет сильную зависимость от коэффициента alpha затухания ларморовой прецессии. Указанный эффект обусловлен взаимосвязью релаксационных и прецессионных мод и может быть использован для определения alpha. Зависимость отношения сигнал--шум от alpha характерна только для частиц, не обладающих аксиальной анизотропией, так как для одноосных частиц эффект отсутствует. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке INTAS (проект N 01-2341) и CRDF (проект N PE-009).
Калмыков Ю.П., Райхер Ю.Л., Коффи У.Т., Титов С.В. Стохастический резонансв однодоменных наночастицах скубической анизотропией // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 12, Стр. 2232

Исследована динамика изменения спектральных характеристик излучения лазерной гетероструктуры под влиянием переменной деформации, обусловленной поверхностной акустической волной. Выполнены исследования спектрального распределения интенсивности лазерного излучения с целью выявления механизмов взаимодействия в исследуемых структурах. Предложена модель и проведен теоретический анализ полученных экспериментальных результатов. Показано, что определяющую роль при воздействии поверхностными волнами играет акустоэлектронное взаимодействие. Из сравнения теоретических расчетов с экспериментальными данными получены значения девиации наблюдающейся частотной модуляции излучения. Работа поддержана программой \glqqФундаментальные исследования в области физических наук\grqq Министерства науки и образования РФ (N 37.029.1.1.0029/1) и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 04-02-16205).
Кулакова Л.А. Акустоэлектронное взаимодействие влазерных гетероструктурах InGaAsP/InP // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 12, Стр. 2228

С помощью методов полевой эмиссионной микроскопии и полевой десорбционной микроскопии непрерывного режима изучены изменения формы вольфрамового острия радиуса 500-1000 nm при нагревании в электричеком поле. Наблюдения проводились непосредственно после термополевой обработки без сглаживания микровыступов прогревом или полевым испарением. Ребра перестроенного в многогранник острия состоят из моноатомных ступеней шириной ~1 nm и длиной ~100 nm. Микровыступы размером ~10 nm имеют форму пирамиды или клина с вершиной в виде единичного атома или моноатомного ребра и боковыми гранями, продолжающими боковые грани перестроенного острия или нароста, на которых они находятся. Наросты имеют форму ступенчатых усеченных пирамид с моноатомными ребрами. Предложено объяснение наблюдаемых явлений, основанное на рассмотрении конкурирующих процессов поверхностной диффузии, кристаллического роста в электрическом поле и полевого испарения.
Павлов В.Г. Полевая десорбционная микроскопия термополевых формоизменений // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11, Стр. 2091

Исследовались особенности электрического сопротивления в сильных электрических полях в гранулированных структурах с ферромагнитными и неферромагнитными металлическими наночастицами, находящихся ниже порога перколяции: аморфной двуокиси кремния с наночастицами сплава (Co41Fe39B20) (структура (a-SiO2)100-x(Co41Fe39B20)x ) и аморфном гидрогенезированном углероде с наночастицами меди a-C : H(Cu). В структурах (a-SiO2)100-x(Co41Fe39B20)x обнаружены изменения сопротивления и магнитосопротивления после воздействия сильного электрического поля. Изменения носили как обратимый, так и необратимый характер и зависели от электрической предыстории образца. После воздействия сильного электрического поля наряду с уменьшением электрического сопротивления наблюдалось уменьшение величины магнитосопротивления, хотя намагниченность образца оставалась при этом неизменной. В пленках a-C : H(Cu) на температурных зависимостях тока обнаружены пики проводимости при понижении температуры в сильных электрических полях, переходы из изолирующего состояния в проводящее и обратные переходы при снятии поля, релаксация проводимости, а также значительные изменения диэлектрической проницаемости и увеличение диэлектрических потерь с ростом температуры. Для объяснения экспериментальных фактов предложена модель кластерных электронных состояний (КЭС). Эти состояния образуются электронами частиц металла и дефектов матрицы вблизи поверхности Ферми. Наблюдаемые особенности объясняются изменением структуры КЭС. При этом сильное электрическое поле не приводит к делокализации d-электронов и доля волновых функций d-электронов в КЭС мала. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 05-02-16713, 02-02-12102, 03-02-96486) и Министерства образования в рамках программы поддержки ведущих научно-педагогических коллективов.
Луцев Л.В., Копытин М.Н., Ситников А.В., Стогней О.В. Свойства наногранулированных композитов металл--диэлектрик всильных электрическиx полях икластерные электронные состояния // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11, Стр. 2080

Individual and multi quantum dots of InAs are studied by means of microphotoluminescence in case when, in addition to the principal laser exciting photoluminescence, second infrared laser is used. It is demonstrated that the absorption of the infrared photons effectively creates free holes in the sample, which leads to both change in the charge state of a quantum dot and to the considerable reduction of their photoluminescence signal. The later effect is explained in terms of an effective screening of the internal electric field, facilitating the carrier transport along the plane of a wetting layer, by the surplus holes from the infrared laser. It is shown that the effect of quenching of quantum dot photoluminescence gradually disappears at increased sample temperature (T) and / or dot density. This fact is due to the essentially increased value of quantum dot collection efficiency which could be achieved at elevated sample temperatures for the individual quantum dots or even at low T for the case of multi quantum dots. It is suggested that the observed phenomena can be widely used in practice to effectively manipulate the collection efficiency and the charge state of quantum dot-based optical devices. E.S.M. gratefully acknowledges financial support from the Wenner--Gren Foundations and partial support from the program \glqq Low-Dimensional Quantum Structures\grqq of the Russian Academy of Sciences. V.D. is thankful to the Swedish Foundation for International Cooperation in Research and Higher Education (STINT) for financial support.
Moskalenko E.S., Karlsson K.F., Donchev V., Holtz P.O., Schoenfeld W.V., Petroff P.M. Effect of the electric field on the carrier collection efficiency of InAs quantum dots // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 11, Стр. 2066

Методом эллипсометрии исследовались спектральные зависимости латеральной оптической анизотропии периодических нелегированных гетероструктур типа II ZnSe/BeTe с неэквивалентными интерфейсами. В спектрах обнаружено два вида особенностей, отвечающих оптическим переходам с энергиями, лежащими в запрещенной зоне. Положение особенностей первого типа не зависит от периода гетероструктур. Особенности второго типа смещаются в область низких энергий при уменьшении периода гетероструктур. Наблюдаемое поведение объясняется в рамках модели, учитывающей существование электронных и дырочных интерфейсных состояний, а также интерфейсного состояния смешанного типа. Работа поддержана грантом N 04-02-16674-a Российского фонда фундаментальных исследований. Работа А.С.Г. и А.В.П. частично поддержана грантом НШ N 2199.2003.2 программы поддержки ведущих научных школ.
Гуревич А.С., Кочерешко В.П., Платонов А.В., Зякин Б.А., Вааг А., Ландвер Г. Таммовские интерфейсные состояния впериодических гетероструктурах ZnSe/BeTe // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10, Стр. 1886

Исследовано влияние поперечного электрического поля на многофононное поглощение света в размерно-квантованных системах в однородном магнитном поле, направленном вдоль оси пространственного квантования. Показано, что при учете взаимодействия электрона с длинноволновыми колебаниями полуширина линии поглощения не зависит от напряженности  E постоянного электрического поля. С ростом  E максимум поглощения сдвигается в длинноволновую область и уменьшается. Рассмотрено влияние электрического поля на форму бесфононной линии (БФЛ) и первых колебательных спутников при учете взаимодействия носителей с оптическими фононами. В частности, показано, что полуширина БФЛ существенным образом зависит от  E и при E=2· 104 V/cm может достигать нескольких meV.
Синявский Э.П., Хамидуллин Р.А. Многофононное поглощение света вразмерно-квантованных системах воднородных электрическом имагнитном полях // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10, Стр. 1881

Проведено исследование собственных оптических состояний в одномерных разупорядоченных фотонных кристаллах. Установлено, что существует предельно допустимый уровень разупорядочения, до достижения которого вероятность появления собственного состояния в центре фотонной запрещенной зоны исчезающе мала. Порог достигается, когда относительная флуктуация оптических длин периодов структуры соответствует корню квадратному из одной трети относительной ширины запрещенной зоны. В зависимости коэффициента пропускания, усредненного по ансамблю структур, от флуктуации оптических длин периодов структуры имеется излом, соответствующий пороговой флуктуации.
Калитеевский М.А., Николаев В.В., Abram R.A. Статистика собственных состояний иоптические свойства одномерных разупорядоченных фотонных кристаллов // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 10, Стр. 1871