С учетом диполь-дипольного отталкивания адатомов и эффектов металлизации рассчитано изменение работы выхода поверхности (111) Si при нанесении на нее субмонослойных пленок Sm, Eu и Yb. Результаты расчетов удовлетворительно согласуются с данными эксперимента.
Давыдов С.Ю., Павлык А.В. Адсорбция редкоземельных металлов на кремнии: изменение работы выхода // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1325

При T=300 K исследованы спектры резонансного рамановского рассеяния (РР) в образце ZnCdSe / ZnSe, в котором одновременно присутствуют одиночная квантовая яма и открытые нанопроволоки, изготовленные на ее основе. Энергии продольных оптических (LO) фононов, принимающих участие в формировании наблюдаемых спектров, в области квантовой ямы и в области образца с нанопроволоками заметно различаются. Выполнен расчет энергии LO-фононов в исследованных структурах с учетом влияния композиционного эффекта (введение Cd в ZnSe) и эффекта биаксиального напряжения. Показано, что при возбуждении в области экситонного резонанса РР происходит через свободные (протяженные) экситонные состояния на LO-фононах напряженного слоя ZnCdSe с конечными волновыми векторами вблизи центра зоны Бриллюэна. При возбуждении ниже экситонного резонанса слоя ZnCdSe заметный вклад в наблюдаемые линии РР вносят процессы резонансного рассеяния через состояния локализованных экситонов. В таких процессах рассеяния за счет конечных размеров локализованного состояния принимают участие фононы с большими волновыми векторами. При возбуждении в экситонной области толстых слоев барьера наблюдаемые линии PP формируются за счет рассеяния на фононах барьера ZnSe.\labelp254
Кайбышев В.Х., Травников В.В., Давыдов В.Ю. Спектры резонансного рамановского рассеяния вструктуре ZnCdSe / ZnSe сквантовой ямой иоткрытыми нанопроволоками // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1311

Экспериментально и теоретически исследовано поведение сигнала оптической ориентации при резонансном оптическом возбуждении локализованных экситонов в квантовых ямах с полумагнитными слоями. Основное экспериментальное наблюдение работы --- аномальное возрастание степени поляризации излучения из квантовой ямы в условиях эффекта Ханле. Необычно также поведение магнитоиндуцированной циркулярной поляризации люминесценции в слегка скошенном поле (в квазифойхтовской геометрии). Обсуждаются специфические вклады в оптическую ориентацию экситонов, возможные в полумагнитных наноструктурах. Предложена теоретическая модель, основанная на известных представлениях о коллективной спиновой динамике магнитных ионов в обменном поле фотодырки, но учитывающая также флуктуации локальной намагниченности. Расчет дает количественное согласие с экспериментом при разумных значениях параметров. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 00-02-16941 и 01-02-17906), а также Министерства промышленности, науки и технологий Российской Федерации.
Кудинов А.В., Кусраев Ю.Г., Меркулов И.А., Кавокин К.В., Аксянов И.Г., Захарченя Б.П. Аномальный эффект Ханле вквантовых ямах наоснове полумагнитных полупроводников // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1297

Представлены результаты исследований нелинейного поглощения в наночастицах меди, содержащихся в стеклянных матрицах, методом Z-сканирования на длине волны излучения Nd : YAG-лазера (lambda=1064 nm) в поле пикосекундных импульсов. Впервые на основе анализа экспериментальных данных, полученных на образцах с наночастицами меди, синтезированными ионной имплантацией, показано, что в условиях лазерного облучения вне области плазменного резонанса нелинейное поглощение в металлических частицах может быть обусловлено двухфотонным эффектом. Обсуждается характер протекания процесса оптического ограничения в образцах с медными частицами при участии двухфотонного поглощения. Р.А. Ганеев и Т. Усманов благодарят за частичную финансовую поддержку УНТЦ (грант N Uzb-29). А.И. Ряснянский благодарит за поддержку Государственный комитет по науке и технике Узбекистана (грант N 7/01). А.Л. Степанов благодарит за финансовую поддержку Немецкий научный фонд имени Александра Гумбольдта, а также Российский фонд фундаментальных исследований (N 00-15-96615).
Ганеев Р.А., Ряснянский А.И., Степанов А.Л., Усманов Т. Нелинейное поглощение вдиэлектрических слоях, содержащих наночастицы меди // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1292

Рассмотрено влияние однородного внешнего электрического поля на состояния носителей заряда в квантованном сферическом слое. Получена явная зависимость величины энергетического сдвига от напряженности внешнего поля и геометрических размеров образца. Рассчитан коэффициент электрооптического поглощения для внутризонных дипольных переходов.
Арутюнян В.А. Размерный эффект Штарка ивнутризонные переходы вполупроводниковом сферическом слое // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1280

Получены аналитические выражения для дисперсионных кривых плазмонов в металлическом цилиндре и цилиндрической пoлости в металле при малых радиусах цилиндра. Сделаны оценки длины пробега плазмонов и передачи энергии плазмонами в таких структурах. Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17852 и 02-02-17937).
Ключник А.В., Курганов С.Ю., Лозовик Ю.Е. Плазменная оптика наноструктур // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1267

Описаны особенности структуры и механических свойств наноструктурных тонких пленок на основе карбидов, нитридов и боридов переходных металлов. Выполнен сравнительный анализ механизмов локализованной деформации пленок при наноиндентировании. Показано, что для прогнозирования склонности материала к образованию полос сдвига при деформации может использоваться параметр H3/E2, описывающий сопротивление материала пластической деформации. Установлено, что столбчатая природа пленок играет важную роль при деформации, осуществляемой путем скольжения столбчатых элементов структуры параллельно приложенной нагрузке. Работа выполнена при поддержке программы МНТЦ (проект N 1852).
Штанский Д.В., Кулинич С.А., Левашов Е.А., Moore J.J. Особенности структуры ифизико-механических свойств наноструктурных тонких пленок // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1122

Микрокристаллы иодатов ртути, свинца, таллия и висмута выращены в порах стеклянных и полимерных матриц из растворов или методом возгонки в вакууме. С помощью электронного микроскопа получены изображения этих микрокристаллов в матрицах. По спектрам экситонного поглощения и люминесценции микрокристаллов установлено, что температурные области устойчивости различных структурных модификаций для объемных кристаллов и микрокристаллов некоторых иодатов сильно отличаются. Спектры поглощения и люминесценции неоднородно уширены вследствие значительной размерной дисперсии микрокристаллов, в них наблюдаются квантово-размерные эффекты. Спектры экситонного излучения свидетельствуют о том, что вследствие эффективного переноса возбуждения из матрицы взаимодействие экситонов в микрокристаллах становится актуальным при очень низких уровнях оптической накачки образца. Работа поддержана грантом Минобразования России N E00-3.4-526.
Агекян В.Ф., Акаи И., Карасава Т. Морфология иоптические спектры микрокристаллов иодатов металлов впористых матрицах // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1115

Получено решение уравнения зернограничной диффузии в режиме, который характеризуется отсутствием \glqq отсоса\grqq диффузанта от границ в зерна, при условиях, когда коэфициент диффузии уменьшается со временем от некоторого повышенного значения до значения, характерного для равновесных границ зерен. На основе этого решения качественно исследованы особенности зернограничной диффузии в нанокристаллах. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16083 и грант \glqq Ведущая научная школа\grqq N 00-15-99093) и Комплексной программы РАН \glqq Нанокристаллы и супрамолекулярные системы\grqq (грант \glqq Структура и свойства нанокристаллических материалов, полученных интенсивной пластической деформацией\grqq).
Назаров А.А. Зернограничная диффузия внанокристаллах призависящем отвремени коэффициенте диффузии // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1112

Для прецессионного механизма спиновой релаксации электронов проводимости в прямоугольной квантовой яме рассчитана зависимость времени спиновой релаксации от ширины квантовой ямы и высоты ее барьеров в случае когда электрон-электронные столкновения доминируют над другими процессами рассеяния носителей. Работа частично поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований и программами Министерства Науки и Президиума РАН.
Глазов М.М. Механизм спиновой релаксации Дьяконова--Переля при частых электрон-электронных столкновениях вквантовой яме конечной ширины // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1108