Установлены электротехнические факторы, обеспечивающие управление микротопографией и электронными свойствами графитоподобных углеродных пленок, полученных в плазме микроволнового газового разряда паров этанола. Показано влияние электронной бомбардировки на тонкую структуру графитоподобных нанокристаллитов и их эмиссионную способность, которая по своим свойствам приближается к эмиссионным характеристикам углеродных нанотрубок. Определен способ улучшения эмиссионных свойств \glqq слоевых\grqq графитоподобных пленок путем их легирования металлической примесью (кадмием). Получены токи эмиссии с нанокристаллических графитоподобных пленок с плотностью 0.3 A/cm2 при напряженнности электрического поля в зазоре менее 7 V/mum.
Суздальцев С.Ю., Яфаров Р.К. Микротопография иавтоэмиссионные свойства углеродных пленок, полученных вплазме микроволнового газового разряда // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 367

В сверхвакуумных условиях с помощью электронной Оже-спектроскопии высокого разрешения изучены начальные стадии взаимодействия серебра с поверхностью (111) Ir и двумерной графитовой пленкой (ДГП) на (111) Ir. Определены механизмы роста пленок серебра и величины потоков десорбции атомов Ag, оценены энергии их десорбции. Как оказалось, потоки десорбции атомов Ag с поверхности ДГП на Ir и из толстой пленки серебра на чистом металле близки и значительно (на порядок) меньше, чем потоки сублимации массивного серебра при тех же температурах. Для субмонослойной пленки энергия десорбции изменяется от E=3.2 eV при theta=1 до E=3.7 eV при theta~ 0. Показано, что во всем исследованном температурном интервале (300--1800 K) отсутствует проникновение атомов серебра в объем подложки. Работа поддержана Российской государственной программой \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq (проект N 8Г158).
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Взаимодействие атомов серебра сиридием и двумерной графитовой пленкой наиридии: адсорбция, десорбция, растворение // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 360

-1 Методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии проведены структурные исследования нитридных сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире с буферным слоем GaN и AlGaN, для которых в широком интервале варьировались: период СР (от 50 до 3500 Angstrem), содержание Al в слоях AlxGa1-xN (0.1 =<q x=<q0.5) и состав буферного слоя. Характерные для СР пики-сателлиты вплоть до третьего порядка хорошо выявляются на theta-2theta-кривых симметричных брэгговских отражений, theta-кривых симметричной Лауэ-геометрии. Соответствующие кривые хорошо моделируются на основе кинематических формул. С использованием комбинации симметричных брэгговского и лауэвского отражений определены как средние параметры СР, так и толщина, состав и деформация отдельных слоев. Показано, что все исследованные образцы являются частично релаксированными структурами с релаксацией упругих напряжений как между СР в целом и буферным слоем, так и между отдельными слоями. Слои AlGaN находятся в состоянии растяжения, а слои GaN --- в состоянии сжатия, при этом по абсолютной величине сжатие слоев GaN больше, чем растяжение слоев AlGaN, что обусловлено вкладом термоупругих напряжений. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16164 и 03-02-17562), Президиумом РАН (комплексная программа научных исследований \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq) и МО РФ (грант N E02-3.4-182).
Кютт Р.Н., Щеглов М.П., Давыдов В.Ю., Усиков А.С. Деформация слоев в сверхрешетках AlGaN/GaN поданным рентгенодифракционного анализа // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 353

В ближнем ультрафиолетовом спектральном диапазоне на длине волны 354.7 nm исследован нелинейный оптический отклик наночастиц сереба и меди, синтезированных ионной имплантацией в силикатных стеклах. Измерены действительная и мнимая составляющие нелинейной восприимчивости третьего порядка chi(3) композиционных материалов. Показано, что величина Imchi(3) обусловлена насыщенным поглощением, тогда как значение Rechi(3) определяется эффектом самодефокусировки в композиционных материалах. Работа выполнена при финансовой поддержке УНТЦ (грант N Uzb-29), Центра по науке и технологии Узбекистана (грант N 2.1.22), Немецкого научного фонда им. А. Гумбольдта, а также Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-15-96615).
Ганеев Р.А., Ряснянский А.И., Степанов А.Л., Усманов Т. Нелинейный оптический отклик наночастиц серебра и меди вближнем ультрафиолетовом спектральном диапазоне // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 341

С использованием синхротронного излучения впервые получены спектры ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения в области Si L2,3-краев для наноматериалов в виде пористого кремния и наноструктур с эпитаксиальными слоями кремния, легированными эрбием или содержащими квантовые точки германия. Модель фотолюминесценции пористого кремния на базе полученных данных позволяет объяснить ее появление вследствие зона-зонных переходов между уровнями крсталлической фазы и оксидных фаз, покрывающих нанокристаллы кремния. Напряжения в поверхностных нанослоях кремния, вызванные Ge-квантовыми точками или кластерами с внедренными атомами эрбия, являются причиной появления тонкой структуры спектров вблизи края зоны проводимости и могут приводить к возникновению люминесценции в этих наноструктурах.
Домашевская Э.П., Терехов В.А., Кашкаров В.М., Мануковский Э.Ю., Турищев С.Ю., Молодцов С.Л., Вялых Д.В., Хохлов А.Ф., Машин А.И., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю. Синхротронные исследования особенностей электронно-энергетического спектра кремниевых наноструктур // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 2, Стр. 335

Методом ЯМР показано, что скорость спиновой релаксации для изотопов галлия в расплаве значительно ускоряется при уменьшении размеров частиц галлия. Для галлия, введенного в матрицу искусственного опала, доминирующий механизм релаксации меняется от магнитного дипольного на электрический квадрупольный. Оценено увеличение времени корреляции атомного движения в частицах галлия при уменьшении их размеров. Получено, что для галлия в опале время корреляции возрастает более чем на порядок величины. Показано, что изменение атомной подвижности становится заметным уже при размерах частиц галлия порядка 5 mum, Работа поддерживалась программой Интеграция (грант N A0147) и Госкомитетом по науке Тайваня (грант N 91-2112-M-006-017).
Tien C., Чарная Е.В., Седых П., Кумзеров Ю.А. Размерный эффект вядерной спин-решеточной релаксации иатомной подвижности для расплавленных частиц галлия // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12, Стр. 2242

Предложен подход к учету влияния уширения энергетических уровней в полупроводниковом квантовом проводе на интенсивность межподзонного рассеяния электронов при их взаимодействии с полярными оптическими фононами. В качестве механизмов, ответственных за уширение, рассматривались тепловые колебания атомов и шероховатости поверхностей, ограничивающих квантовую систему. Показано, что в этом случае зависимость интенсивности межподзонного рассеяния электронов от их кинетической энергии не содержит особых точек.
Поздняков Д.В., Борздов В.М. Интенсивность межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических фононах вполупроводниковом квантовом проводе сучетом уширения энергетических уровней // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 12, Стр. 2238

Представлены экспериментальные результаты изучения процесса формирования и некоторых диэлектрических характеристик многослойных наноструктур, полученных на основе оксидов тантала и алюминия методом молекулярного наслаивания. Показано, что диэлектрическая проницаемость таких структур практически линейно зависит от состава композиции, а их проводимость --- от соотношения толщин каждого слоя, причем при di,j
Ежовский Ю.К., Клусевич А.И. Диэлектрические многослойные наноструктуры оксидов тантала иалюминия // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2099

Методами дифракции быстрых электронов на отражение, рассеяния ионов средних энергий и сканирующей электронной микроскопии исследованы процессы формирования гетероэпитаксиальных структур с InAs-нанокластерами в Si-матрице при молекулярно-пучковой эпитаксии, а также изменение параметров таких структур при термическом отжиге. Показано, что в определенном температурном диапазоне при осаждении InAs на Si(100)-поверхности происходит формирование четырехгранных нанопирамид с {111}-ориентацией боковых граней. Установлена возможность последующего эпитаксиального заращивания InAs-наноостровков кремнием с постепенным сглаживанием трехмерного рельефа. Определено, что при отжиге в вакууме структуры Si\backslashInAs\backslashSi(100) являются стабильными при температурах до 700oC. Настоящая работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ и Российского фонда фундаментальных исследований.
Денисов Д.В., Серенков И.Т., Сахаров В.И., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Молекулярно-пучковая эпитаксия исвойства гетероструктур сInAs нанокластерами вSi матрице // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2090

Условия возникновения спонтанной спиновой поляризации в двумерной системе в нулевом магнитном поле анализируются для случая слабого заполнения нижних подзон размерного квантования, когда обменное взаимодействие носителей тока доминирует над их кинетической энергией. В рамках приближения Хартри--Фока определяется критическая концентрация, выше которой происходит полная спиновая деполяризация двумерного газа носителей тока, что, возможно, связано с его переходом в металлическое состояние. Работа поддержана МНТЦ (грант N 2136).
Шелых И.А., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е. Спиновая деполяризация и переход металл--диэлектрик вдвумерной системе внулевом магнитном поле // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 11, Стр. 2085