Исследовано магнитное упорядочение в слоистых структурах типа Cr/X(1 ML) со встроенными в матрицу хрома моноатомными слоями (ML) ряда немагнитных металлов (X=Sn, V, Ag, Au). Проанализирован механизм индуцирования или модификации волны спиновой плотности (ВСП) в этих системах, связанный с перераспределением зарядовой и спиновой плотностей вблизи интерфейса Cr/X. Подробно рассмотрена полуфеноменологическая модель, позволяющая в рамках функционала Гинзбурга--Ландау качественно описать изменение структуры ВСП в окрестности плоского одиночного немагнитного дефекта. Рассчитана пространственная конфигурация ВСП в сверхрешетке типа [Cr(t)/X(1 ML)] и установлены зависимости параметров ВСП от температуры T, типа металла X и периода сверхрешетки t. Но основе полученных результатов интерпретируются эксперименты по мессбауэровской спектроскопии. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (проект N 04-02-16938). PACS: 75.70.Cn; 75.30.Fv
Меньшов В.Н., Тугушев В.В. Контактно-индуцированный магнетизм внаноструктурах наоснове хрома смонослоями немагнитных металлов // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10, Стр. 1883

It is demonstrated that the micro-photoluminescence (muPL) spectrum of a single InAs/GaAs self-assembled quantum dot (QD) undergoes considerable changes when the primary laser excitation is complemented with an additional infrared laser. The primary laser, tuned slightly below the GaAs band gap, provides electron-hole pairs in the wetting layer (WL), as well as excess free electrons from ionized shallow acceptors in the GaAs barriers. An additional IR laser with a fixed energy, well below the QD ground state transition, generates excess free holes from deep levels in GaAs. The excess electron and hole will separately experience a diffusion, due to the time separation between the two events of their generation, to eventually become captured into the QD. Although the generation rates of excess carries are much lower than that of the electron-hole pairs generation in the WL, they influence considerably the QD emission at low temperatures. The integrated PL intensity increases by several times compared to single laser excitation and the QD exciton spectrum is redistributed in favor of a more neutral charge configuration. The dependence of the observed phenomenon on the powers of the two lasers and the temperature has been studied and is in consistence with the model proposed. The concept of dual excitation could be successfully applied to different low-dimensional semiconductor structures in order to manipulate their charge state and emission intensity. This work was supported by grants from the Swedish Foundation for Strategic Research (SSR) and Swedish Research Council (VR). Financial support from the Wenner-Gren Foundation and the program \glqq Low-Dimensional Quantum Structures\grqq of the Russian Academy of Sciences is achnowledged by E.S.M. V.D. is thankful for financial support from the Swedish Foundation for International Cooperation in Research and Higher Education (STINT) and from the Bulgarian National Science Fund. PACS: 78.67.Hc, 71.55.Eq, 73.50.Gr
Donchev V., Moskalenko E.S., Karlsson K.F., Holtz P.O., Monemar B., Schoenfeld W.V., Garcia J.M., Petroff P.M. Enhancement of thephotoluminescence intensity of asingle InAs/GaAs quantum dot by separate generation ofelectrons and holes // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10, Стр. 1877

Развитая ранее теория образования конденсированных фаз экситонов в двумерной системе применена к анализу зависимости ряда параметров системы от температуры. Построена фазовая диаграмма интенсивность накачки--температура, выяснены некоторые ее особенности, характерные для непрямых экситонов, обладающих дипольным моментом, рассчитаны зависимости интенсивности полосы излучения конденсированной фазы от интенсивности накачки и температуры, проведено сравнение с экспериментальными данными. Работа финансировалась частично грантом ИНТАС N 03-51-5266. PACS: 71.35Lk, 73.21Fg, 78.67De.
Сугаков В.И. Конденсация экситонов вквантовых ямах: температурные эффекты // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10, Стр. 1868

Получена формула для термоэлектрической эффективности решеток из слабо связанных кластеров. Результат выражен через фундаментальные константы и зависит, таким образом, только от геометрии системы, а не от ее химического состава (в пределах применимости использованного подхода). PACS: 72.15.Jf, 73.21.-b
Ктиторов С.А., Зайцев В.К., Федоров М.И. Термоэлектрическая эффективность кластерных решеток // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10, Стр. 1865

Теоретически исследованы эффекты одноэлектронной туннельной зарядки и кулоновской блокады в кластерной структуре (молекулярном транзисторе) с учетом квантования электронных уровней в островковом электроде. Спектр электронов рассчитан для малых кластеров сферической и дискообразной формы. При условии сохранения полной энергии конструкции с учетом контактной разности потенциалов получены уравнения для анализа ее вольт-амперной характеристики. В теорию введены ограничения, связанные с кулоновской неустойчивостью кластера и релаксацией электронов. Для одноэлектронных транзисторов на малых кластерах золота рассчитаны величина щели тока и ее асимметрия по напряжению. С увеличением размера кластера токовая щель меняется немонотонно. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины и корпорации Samsung. PACS: 72.20.Fr, 73.22.Dj, 73.23.Hk
Погосов В.В., Васютин Е.В., Курбацкий В.П., Коротун А.В. Эффекты одноэлектронной зарядки втуннельной структуре наметаллическом кластере // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 10, Стр. 1849

С помощью сканирующей туннельной микроскопии in situ исследованы начальные стадии роста Ge на вицинальных поверхностях Si(111), отклоненных в направлениях [112] и [112], в интервале температур 350-500oC. Показано, что на поверхностях, отклоненных в направлении [112], при низких потоках Ge в диапазоне 10-2-10-3 BL/min возможно формирование упорядоченных нанопроволок Ge в режиме ступенчато-слоевого роста. Высота нанопроволок Ge составляет одно и три межплоскостных расстояния и задается высотой исходной ступени кремния. Установлено, что в процессе эпитаксии ступени с фронтом по направлению [112] заменяются на ступени с фронтом по направлению [112], в результате чего край ступени принимает зубчатую форму. Поэтому на ступенчатых поверхностях Si(111), отклоненных в направлении [112], формирование ровных и однородных по ширине нанопроволок Ge затруднено. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-16138) и Федеральной программы Министерства образования и науки РФ. PACS: 61.30.Hn, 61.46.Hk, 68.37.Ef
Романюк К.Н., Тийс С.А., Ольшанецкий Б.З. Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии процессов роста исамоорганизации наноструктурGe навицинальных поверхностяхSi(111) // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9, Стр. 1716

Теоретически исследованы спектры оптического отражения от резонансных брэгговских структур с квантовыми ямами. Дано аналитическое объяснение наличия в спектрах двух особых частот, на которых коэффициент отражения слабо зависит от числа квантовых ям в структуре. Проанализировано влияние нерадиационного затухания экситона на спектры отражения вблизи особых частот. Показано, что учет диэлектрического контраста приводит к появлению в спектрах третьей особой частоты, на которой взаимно компенсируются вклады в отражение, связанные с диэлектрическим контрастом и экситонным резонансом. Работа поддержана программами РАН и грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 05-02-17778. PACS: 73.21.Fg, 78.67.De, 71.35.-y
Воронов М.М., Ивченко Е.Л., Поддубный А.Н., Чалдышев В.В. Особые частоты в спектрах оптического отражения отрезонансных брэгговских структур // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9, Стр. 1710

Рассмотрено многократное рассеяние низкоэнергетических электронов на наноструктуре из плоских кристаллических пленок. Показано, что при определенном соотношении между геометрическими и потенциальными параметрами системы возникают резонансные состояния рассеивающихся электронов, характеризующиеся резким относительным увеличением коэффициента прохождения электронов. При определенных значениях межпленочных расстояний резонансной структуры образуются узкие окна прозрачности, отвечающие почти полному прохождению электронного пучка. Предложен способ квантово-механического расчета параметров резонансной структуры. Работа выполнена в рамках программы Президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые наноструктуры\grqq. PACS: 61.14.Hg, 61.46.-w, 03.65.Nk
Вольф Г.В., Чубурин Ю.П. Резонансные явления врассеянии низкоэнергетических электронов напланарных кристаллических наноструктурах // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9, Стр. 1704

Вычислены спектры отражения и поглощения монохроматического света полупроводниковыми квантовыми ямами (КЯ), ширина которых сравнима с длиной волны возбуждающего излучения. Рассмотрен случай резонанса с двумя близко расположенными возбужденными уровнями. Эти уровни могут возникнуть благодаря расщеплению энергии электронно-дырочной пары из-за магнетополяронного эффекта, если КЯ помещена в сильное магнитное поле, направленное перпендикулярно плоскости КЯ. Показано, что в отличие от случая узких КЯ коэффициенты отражения и поглощения света зависят от ширины КЯ. Теория применима при любых соотношениях величин обратных радиационных и нерадиационных времен жизни электронных возбуждений. PACS: 78.67.De, 78.20.Ci, 73.21.Fg
Ланг И.Г., Коровин Л.И., Павлов С.Т. Отражение и поглощение света широкой квантовой ямой приналичии двух близких уровней возбуждения // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9, Стр. 1693

Обсуждаются особенности парапроцесса в магнитоупорядоченных частицах различной дисперсности. Показано, что в случае систем наночастиц анализ парапроцесса будет существенно более полным, если в дополнение к обычной полевой восприимчивости ввести в рассмотрение еще одну восприимчивость --- ту, которая связана с ростом релаксирующего магнитного момента частицы, вызванным внешним магнитным полем. PACS: 75.20.-g, 75.40.Cx, 75.40.Mg, 75.50.Tt
Николаев В.И., Род И.А. Об особенностях парапроцесса всистеме наночастиц // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 9, Стр. 1690