Дихроизм пропускания света (зависимость пропускания от направления поляризации) был обнаружен в гофрированных сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенныx на нанофасетированной поверхности (311)А. Наблюдаемый эффект связывается со структурной анизотропией --- формированием массива квантовых проволок ...
Дихроизм пропускания света (зависимость пропускания от направления поляризации) был обнаружен в гофрированных сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенныx на нанофасетированной поверхности (311)А. Наблюдаемый эффект связывается со структурной анизотропией --- формированием массива квантовых проволок GaAs, что было подтверждено данными высокоразрешающей электронной микроскопии. В сверхрешетках GaAs/AlAs, содержащих квантовые проволоки, была обнаружена также поляризационная анизотропия фотолюминесценции, наблюдаемой в желто-красном диапазоне длин волн.
Володин В.А., Ефремов М.Д., Матвиенко Р.С., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Леденцов Н.Н., Сошников И.Р., Литвинов Д., Розенауэр А., Герцен Д. Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)A // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 354