Проведено исследование полевой эволюции магнитных состояний в наноструктурах с конкурирующими поверхностной и объемной анизотропиями. Для пространственно однородных магнитных состояний функционал энергии сводится к энергии массивного магнетика, в котором эффективная анизотропия зависит от толщины ферромагнитного слоя. Эта зависимость приводит к эффектам спиновой переориентации при изменении толщины нанослоя. Определены линии фазовых переходов первого рода и равновесные параметры полидоменных структур и доменов конкурирующих фаз. Рассчитанные магнитные фазовые диаграммы используются для анализа магнитных состояний и построения кривых намагничивания. PACS: 64.70.Nd, 77.80.Bh
Драгунов И.Е., Бухтиярова С.В., Жихарев И.В., Богданов А.Н., Ресслер У.К. Фазовые переходы и полидоменные состояния вмагнитных наноструктурах сконкурирующими анизотропиями // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 8, Стр. 1504

Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и электронной микроскопии исследованы дефектная структура и механизм релаксации упругих напряжений в сверхрешетках AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире с предварительным нанесением буферного слоя GaN или AlGaN. На основе анализа полуширин трехкристальных мод сканирования рентгеновских рефлексов, измеренных в разных геометриях дифракции, определялась плотность различных семейств дислокаций. Показано, что для всех семейств дислокаций она растет с увеличением концентрации Al в слоях трведого раствора, но слабо зависит от периода сврехрешетки. По электронно-микроскопическим снимкам планарных и поперечных сечений определялись типы дислокаций и их распределение по глубине. Показано, что кроме большой плотности вертикальных краевых и винтовых дислокаций, зарождающихся в буферном слое и прорастающих сквозь слои сверхрешетки, наблюдаются наклонные прорастающие дислокации с большой горизонтальной проекцией и загибающиеся смешанные дислокации с вектором Бюргерса <1123> на границах между отдельными слоями сверхрешетки. Первые из них образуются на границе между буферным слоем и сверхрешеткой и снимают напряжения несоответствия между буфером и сверхрешеткой в целом, вторые способствуют частичной релаксации напряжений между отдельными слоями сверхрешетки. Для образцов с большой концентрацией Al в слоях AlGaN (>0.4) наблюдается образование трещин, окруженных большой плотностью горизонтальных хаотических дислокаций. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16164 и 05-02-16137) и программой ОФН \glqq Новые материалы и структуры\grqq. PACS: 81.07.-b; 61.10.Nz; 61.72.Dd; 61.72.Ff
Кютт Р.Н., Мосина Г.Н., Щеглов М.П., Сорокин Л.М. Дефектная структура сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD насапфире // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 8, Стр. 1491

В приближении статических флуктуаций вычисляются антикоммутаторные функции Грина, корреляционные функции, энергии основного состояния для наносистем, состоящих из 2, 3, 4 атомов. Проводится сравнение с результатами точных вычислений. PACS: 71.10.Fd, 75.10.Jm
Миронов Г.И. Наносистемы в модели Хаббарда в приближении статических флуктуаций // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7, Стр. 1299

The procedure of how to take the irreducible representations of subperiodic rod groups from Tables of irreducible representations of three-periodical space groups is derived. Examples demonstrating the use of this procedure and derivation of selection rules for direct and phonon assisted electrical dipole transitions are presented. PACS: 02.20.-a, 61.50.Ah
Smirnov V.P., Tronc P. Irreducible representations ofsubperiodic rodgroups // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7, Стр. 1295

Для различных углеродных материалов, свойства которых определяются неоднородностями нанометрового размера, выполнен анализ опубликованных экспериментальных данных по магнитосопротивлению в области прыжковой проводимости моттовского типа. Рассмотрена применимость механизма сжатия локализованного состояния в магнитном поле и спин-поляризационного механизма, учитывающего зависящий от спина вклад от прыжков по двукратно-занятым электронным состояниям. Для случая спин-поляризационного механизма предложена простая аналитическая модель, в рамках которой получено выражение для магнитосопротивления в слабом магнитном поле. Найдено, что только совместное влияние спин-поляризационного механизма и эффекта сжатия волновой функции позволяют адекватно описать магнитосопротивление углеродных наноматериалов. Рассматриваются возможные направления поиска объектов с большой величиной магнитосопротивления среди материалов данного класса. Работа выполнена в рамках проекта 2.8 Программы фундаментальных исследований президиума РАН \glqq Влияние атомно-кристаллической и электронной структуры на свойства конденсированных сред\grqq. Ряд аспектов исследования выполнен при поддержке проекта PD02-1.2-336 Министерства образования РФ и гранта МК-2188.2003.02 Президента РФ. PACS: 75.47.Pq, 72.20.Ee
Демишев С.В., Пронин А.А. Магнитосопротивление углеродных наноматериалов // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 7, Стр. 1285

Методом полевой десорбционной микроскопии непрерывного режима изучена форма термополевых наростов на грани (001) вольфрамового острия. Форма и огранка боковой поверхности нароста меняются при изменении его высоты. Это объясняется происходящей перестройкой боковой поверхности нароста из-за постепенного снижения напряженности поля в нижней части нароста при его росте. Перестройка происходит вследствие того, что при высокой напряженности поля форма и огранка определяются кинетикой роста, а при низкой --- минимумом свободной поверхности энергии. PACS: 68.37.Vj, 68.43.Vk
Павлов В.Г. Изменение формы термополевых наростов на вольфрамовом острие во время роста // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5, Стр. 912

Вычисляется частотная зависимость коэффициента межзонного магнетопоглощения слабой электромагнитной волны в постоянном электрическом поле и в поле резонансного лазерного излучения, частота которого равна циклотронной частоте (магнитоинфракрасный резонанс). Обсуждаются особенности межзонного поглощения света, вносимые однородным электрическим полем, когда частота лазерного излучения равна частоте размерного квантования в параболической квантовой яме (размерно-инфракрасный резонанс). PACS: 42.25.Bs, 78.20.Ls
Синявский Э.П., Карапетян С.А. Влияние электрического поля намагнетопоглощение вполе резонансного лазерного излучения // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5, Стр. 906

Исследованы спектры рамановского рассеяния света сверхрешеток из слоев самоорганизующихся квантовых точек CdTe, разделенных узкими барьерами ZnTe в 10 и 5 монослоев. В области колебательных мод CdTe кроме полос ~ 120 и 140 cm-1, наблюдавшихся ранее в спектрах образцов с более широкими барьерами (25 и 12 монослоев), присутствовала также полоса ~ 147 cm-1. Эта полоса объясняется симметричной модой колебаний пары квантовых точек, в которой колeбания их дипольных моментов происходят навстречу друг другу. Подобного типа модой колебаний материала, окружающего квантовую точку (ZnTe), можно объяснить сдвиг полосы ~ 200 cm-1 вблизи LO моды ZnTe в низкочастотную сторону. Работа выполнена при поддержке PФФИ (проект N 03-02-7110). PACS: 78.30.Fs, 78.67.Hc, 63.22.+m
Виноградов В.С., Водопьянов Л.К., Карчевски Г., Мельник Н.Н. Проявление эффектов взаимодействия вспектрах рамановского рассеяния слоев квантовых точек CdTe сузкими барьерами ZnTe // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5, Стр. 902

Теоретически исследовано поглощение электромагнитного излучения трехмерной анизотропной квантовой проволокой с учетом процессов, связанных с одновременным рассеянием на ионизованной примеси. Изучена зависимость коэффициента поглощения от частоты излучения и магнитного поля. Исследована форма кривой поглощения. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 05-02-16145). PACS: 73.21.Hb, 73.63.Nm, 73.90.+f
Маргулис В.А., Павлова Н.Ф., Шорохов А.В. Гибридно-примесный резонанс в трехмерной анизотропной квантовой проволоке // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 5, Стр. 880

Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней с использованием синхротронного излучения (hnu=140 eV) применена для изучения изменения зарядового состояния ионов Si+ в пленках кремния, осажденных на поверхность грани W(100), после термического отжига подложки. Исследования проводились с целью проверки механизма резкого увеличения выхода ионов Na+ при электронно-стимулированной десорбции (ЭСД) из слоя натрия, адсорбированного на поверхноcти Si/W(100), после ее выскотемпературного отжига. Изучена эволюция спектров W4f7/2 и Si2p и спектров валентной зоны при двух степенях покрытия кремнием (1 и 3 ML) грани W(100) в температурном интервале 300
Агеев В.Н., Потехина Н.Д., Пронин И.И., Соловьев С.М., Вялых Д.В., Молодцов С.Л. Применение синхротронного излучения дляисследования механизма увеличения выхода ионов щелочных металлов приэлектронно-стимулированной десорбции // ФТТ, 2006, том 48, выпуск 4, Стр. 742