Исследовано влияние состава и ближнего порядка типа кластерообразования на локализацию оптических фононов в двумерных псевдобинарных твердых растворах замещения. Проведены прямые численные расчеты так называемой \glqq обратной доли участия\grqq (IPR), исследован \glqq скейлинг\grqq этой величины для основных мод, определяющих спектральную плотность состояний в центре зоны Бриллюэна усредненного кристалла. Показано, что кластерообразование способствует делокализации фононов, хотя природа этой тенденции различна для резонансных и локальных (в низкоконцентрационном пределе) мод. Рассмотрено влияние степени ионности твердого раствора на локализацию и показано, что кулоновское взаимодействие нейтрализует эффект кластерообразования, одновременно снижая наблюдаемую величину IPR. Предложен новый физический критерий, связанный с видом функции распределения локальных узельных поглощений внешнего электромагнитного поля, позволяющий судить о степени локализации фононных мод в ионнных сплавах. Работа выполнена при поддержке Министерства науки и техники Португалии (FCT) (грант РОСТI / FIS / 10128 / 1998) и Министерства образования России (НИР 1.4.99).
Василевский М.И., Вихрова О.В., Ершов С.Н. Влияние кластерообразования на локализацию оптических фононов вдвумерных псевдобинарных твердых растворах замещения // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1099

Представлена теория андерсоновской локализации света случайно расположенными ультратонкими слоями (квантовыми ямами), которые однородны в латеральных направлениях и обладают собственными оптическими резонансами. Для решения задачи многократного рассеяния предложена модель слоев с дельта-функционной резонансной диэлектрической поляризацией, являющаяся электромагнитным аналогом электронной модели \glqq потенциалов нулевого радиуса\grqq. При учете межслоевого беспорядка в приближении малой средней концентрации одинаковых слоев вычислены в аналитической форме одно- и двухфотонные характеристики электромагнитного переноса, в частности, средняя плотность энергии и длина андерсоновской локализации света. Анализ проведен применительно к структуре со случайно расположенными квантовыми ямами, в которой квазидвумерные экситоны разных ям находятся в резонансе, но их волновые функции не перекрываются. Показано, что в неупорядоченной структуре среднее электромагнитное поле распространяется в форме поляритонов, которые образуются вследствие переизлучения экситонов между квантовыми ямами. Длина локализации света в поляритонной области спектра существенно уменьшается вследствие того, что вблизи экситонного резонанса рассеяние (отражение) света отдельными квантовыми ямами увеличивается. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17601).
Кособукин В.А. Экситонные поляритоны ииходномерная локализация внеупорядоченных структурах сквантовыми ямами // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1091

Проведено аналитическое исследование стационарных локализованных состояний нелинейных волн, распространяющихся в фокусирующей среде вдоль двух плоскопараллельных, отталкивающих волновой поток интерфейсов. Установлена возможность локализации нелинейного волнового пучка в области между такими интерфейсами.
Герасимчук И.В., Ковалев А.С. Локализация нелинейных волн между интерфейсами // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 6, Стр. 1088

Выход атомов самария (Sm) измерен при электронно-стимулированной десорбции из слоев Sm, адсорбированных на поверхности окисленного вольфрама, в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, покрытия поверхности самарием, степени окисления вольфрама и температуры подложки. Измерения выполнены с помощью времяпролетного метода и детектора на основе поверхностной ионизации в интервале температур подложки от 140 до 600 K. Выход в зависимости от энергии бомбардирующих электронов имеет резонансный характер. Перекрывающиеся резонансные пики атомов Sm наблюдаются при энергиях электронов 34 и 46 eV, что может быть связано с возбуждением уровней Sm 5p и 5s. Выход атомов Sm является сложной функцией покрытия самария и температуры подложки. Пики атомов Sm видны только в диапазоне покрытий Sm от 0 до 0.2 монослоя (ML), в котором выход атомов проходит с ростом покрытия через максимум. Форма температурной зависимости выхода зависит от покрытия Sm. При низких покрытиях Sm (
Агеев В.Н., Кузнецов Ю.А., Потехина Н.Д. Выход атомов самария при электронно-стимулированной десорбции споверхности окисленного вольфрама // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 929

В рамках гамильтониана Андерсона--Ньюнса рассмотрено влияние температуры на адсорбционную систему. Учитывались как статические, связанные с тепловым расширением, эффекты, так и рост с температурой амплитуды колебаний атомов субстрата и адсорбата. Для малых покрытий в линейном по температуре приближении получены аналитические выражения для изменения работы выхода системы в зависимости от температуры. Результаты теории сопоставлены с экспериментальными данными по адсорбции атомов европия на поверхности (100) вольфрама.
Давыдов С.Ю. Красчету температурной зависимости работы выхода адсорбционной системы // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 925

Рассматривается возбуждение фемтосекундным импульсом когерентных акустических фононов в сверхрешетках или слоистых материалах. В сверхрешетках когерентные акустические фононы могут возбуждаться с волновым вектором Q=2pi/a, где a --- период сверхрешетки. Приведены оценки числа и статистических свойств когерентных фононов. Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований и Минпромнауки.
Лозовик Ю.Е., Шарапов В.А. Возбуждение когерентных акустических фононов фемтосекундным импульсом // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 922

В интервале 100--300 K измерена эффективная теплопроводность varkappaeff семи образцов нанокомпозита опал + эпоксидная смола при 100% заполнении пустот первого порядка эпоксидной смолой. Для исследованного нанокомпозита выполняется условие: теплопроводность матрицы (аморфные сферы SiO2) больше теплопроводности наполнителя (эпоксидная смола). Показано, что поведение varkappaeff(T) нанокомпозита опал + эпоксидная смола в области средних температур (100--300 K) аналогично поведению теплопроводности чистого опала. Приводится объяснение обнаруженного эффекта. Работа выполнена в рамках двустороннего соглашения между Российской и Польской академиями наук и при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-0216883).
Богомолов В.Н., Картенко Н.Ф., Курдюков Д.А., Парфеньева Л.С., Смирнов И.А., Шаренкова Н.В., Мисиорек Х., Ежовский А. Теплопроводность нанокомпозита опал + эпоксидная смола // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 910

Получено выражение для энергии связи (Eb) N атомов в параллелепипеде с произвольной формой поверхности и микроструктурой. Отношение длины бокового ребра к длине ребра основания (f) определяет форму системы. Показано, что функция Eb(f) для любого N имеет экстремум при f=1, что соответствует системе в форме куба. При этом если внешнее давление (P) ниже некоторого \glqq граничного\grqq значения (P0), то функция Eb(f) имеет минимум, а если P>P0, то максимум при f=1. Это приводит к тому, что при P>P0 должно происходить экзотермическое дробление кристалла на фрагменты тем меньшего размера, чем больше разность P-P0. При этом образующиеся фрагменты стремятся иметь максимально возможную площадь поверхности. Указаны экспериментальные работы, результаты которых подтверждают существование экзотермической фрагментации кристалла под давлением. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-03-33301).
Магомедов М.Н. Обарической фрагментации кристалла // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 907

Предложен механизм самоформирования регулярной системы пор в пористом кремнии. В соответствии с предложенным механизмом процесс самоформирования основан на общих законах кинетики системы носителей заряда. На основе предложенного механизма сделана оценка для среднего расстояния между порами пористого кремния, получаемого из кремния p-типа, и для плотности тока анодизации, необходимого для получения пористого кремния при анодном травлении. Полученные величины находятся в хорошем согласии с величинами, известными из эксперимента. Предсказана зависимость среднего расстояния между порами от концентрации носителей в исходном кремнии, близкая к L(n)~ n-1/2. Действенность предложенного механизма подтверждена результатами компьютерного моделирования.
Компан М.Е. Механизм первичной самоорганизации регулярной структуры пористого кремния // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 5, Стр. 902

Выполнены новые измерения и проведен подробный анализ экспериментальных данных по зависимости равновесной степени покрытия углерода theta на поверхности вольфрама от температуры и степени предварительной науглероженности. Показано, что в случае свободного от углерода объема изменение theta при T>=q 1400 K может быть приближенно описано условием равновесия потоков углерода через границу при энергии активации перехода в объем E1=4.6 eV и энергии сегрегации Delta E=1.7 eV. Для предварительно науглероженного вольфрама со степенью науглероживания ~ 10-2 at.% зависимость theta(T) не может быть описана условиями равновесия с постоянными значениями E1 и Delta E --- эти величины зависят от степени науглероживания. E1 растет от 4.6 до 6.8 eV, a Delta E --- от 1.7 до 2.3 eV при изменении степени науглероживания от 0 до 10-2 at.%. Эти изменения интерпретируются как упрочение связей в науглероженном вольфраме с увеличением количества внедренного углерода. Работа поддержана программой МН РФ \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (проект N 4.6.99).
Потехина Н.Д., Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Особенности сегрегации углерода наповерхности вольфрама // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 4, Стр. 742