Показано, что методом электроосаждения можно получить по крайней мере восемь видов кристаллов меди, имеющих одну или шесть осей пентагональной симметрии. Рассмотрены особенности их строения и возможные механизмы образования и роста. Предполагается, что различные пентагональные кристаллы, сформировавшиеся при электрокристаллизации, имеют одну дисклинационную природу.
Викарчук А.А., Воленко А.П. Пентагональные кристаллы меди: многообразие форм роста иособенности внутреннего строения // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 339

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована внутренняя структура сферических частиц SiO2, синтезированных методом гидролиза тетраэтоксисилана в спирто-водно-аммиачной среде. Установлено, что относительно крупные сферические частицы кремнезема являются \glqq третичными\grqq образованиями и состоят из более мелких сферических частиц (\glqq вторичных\grqq частиц), которые в свою очередь состоят из еще более мелких первичных сферических частиц диаметром 5--10 nm. Показано, что в исследованных условиях крупные частицы SiO2 могут содержать центральное ядро, состоящее из первичных частиц и окруженное несколькими слоями вторичных частиц меньшего, чем ядро, размера. Работа выполнена при поддержке ИНТАС (проект N 2002-796), Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-97263) и Минпромнауки РФ (контракт N 40.012.1.1.11.54).
Карпов И.А., Самаров Э.Н., Масалов В.М., Божко С.И., Емельченко Г.А. Овнутренней структуре сферических частиц опала // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 334

The freezing and melting phase transitions for gallium embedded into a porous glass with pore size of about 8 nm were studied using acoustic, NMR, and x-ray techniques. It was shown that the broadened solidification and melting transitions upon deep cooling until complete freezing at 165 K were due to formation of beta-Ga within pores. The offset of confined beta-Ga melting was lowered by about 21 K compared to the bulk beta-Ga melting point. Both melting and freezing in pores were irreversible. The fulfillment of some special thermal conditions led to gallium crystallization into other modifications. The role of heterogeneous crystallization in freezing of confined gallium is discussed. The present work was partially supported by the National Science Council of Taiwan under Grant 91-2112-M-006-017.
Borisov B.F., Charnaya E.V., Gartvik A.V., Tien Cheng, Kumzerov Yu.A., Lavrentev V.K. Peculiarities of gallium crystallization inconfined geometry // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 12, Стр. 2210

Теоретически и экспериментально исследованы особенности энергетического спектра разъединенного гетероперехода II типа во внешнем магнитном поле. Показано, что из-за гибридизации состояний валентной зоны одного полупроводника и зоны проводимости другого на гетерогранице происходят антипересечения уровней, которые приводят в ненулевом магнитном поле к возникновению квазищелей в плотности состояний. Продемонстрировано хорошее согласие экспериментальных результатов магнетотранспортных исследований для образцов GaInAsSb / p-InAs с различным уровнем легирования четверного твердого раствора с результатами модельных расчетов и установлены особенности энергетического спектра разъединенных гетеропереходов II типа. Работа выполнена при финансовой поддержке программ президиума РАН \glqq Низкоразмерные квантовые структуры\grqq и Министерства промышленности, науки и технологии, программ ОФН, INTAS, ведущей научной школы НШ-2200.2003.2, а также Российского фонда фундаментальных исследований.
Аверкиев Н.С., Березовец В.А., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Нижанковский В.И., Пар -феньев Р.В., Романов К.С. Особенности энергетического спектра иквантового магнетотранспорта вгетеропереходах IIтипа // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 11, Стр. 2083

Обоснован квазиклассический метод оценки структурных и энергетических параметров кристалла. В начальном приближении распределения плотности заряда и потенциала представляются ступенчатыми функциями, что позволяет энергию основного состояния кристалла и матричные элементы определяющего его электронное строение секулярного уравнения выразить конечными суммами. Погрешность такого подхода, позволяющего избежать появления неконтролируемых ошибок, которые возникают при обрыве бесконечных рядов, не превышает нескольких процентов. Посредством квазиклассических расчетов получены значения постоянной решетки и ширины запрещенной зоны двумерного нитрида бора: a=2.64 Angstrem и Eg=6.22 eV соответственно.
Чхартишвили Л.С. Квазиклассические оценки постоянной решетки иширины запрещенной зоны кристалла: двумерный нитрид бора // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 11, Стр. 2056

Для Z-среза гексагонального кристалла со свободной статически-шероховатой поверхностью в рамках теории возмущений с помощью модифицированного метода среднего поля в аналитическом виде получены выражения для дисперсии фазовой скорости и обратной длины затухания поверхностных акустических волн сдвиговой горизонтальной поляризации. Рассмотрены как двумерно-, так и одномерно-шероховатые поверхности. При этом одномерно-шероховатая поверхность рассматривается как частный случай двумерно-шероховатой. Показано, что на плоской поверхности Z-среза гексагонального кристалла существование сдвиговых поверхностных волн горизонтальной поляризации невозможно. Полученные выражения исследованы аналитически и численно во всем достижимом в теории возмущений диапазоне частот. Рассмотрен наиболее интересный с точки зрения эксперимента длинноволновый предел, когда длина волны много больше корреляционного радиуса шероховатости. Найдены условия существования волн SH-поляризации для обоих типов шероховатости. Показано, что характер дисперсии и затухания волн SH-поляризации качественно совпадает с рассмотренным нами ранее для изотропной среды.
Косачев В.В., Гандурин Ю.Н., Барсуков К.В. Дисперсия изатухание сдвиговых поверхностных акустических волн горизонтальной поляризации на свободной статистически-шероховатой поверхности гексагонального кристалла // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1886

Исследованы структуры и электронные свойства сурьмы на поверхности Mo(110) в широком диапазоне покрытий. В субмонослойной области при комнатной температуре формируются упорядоченные с подложкой решетки адсорбата p(2x 1), p(1x1), (1x 3) и (1x 2). При покрытиях, больших монослойного, на поверхности растут трехмерные кристаллы сурьмы, ориентация которых определяется подложкой. Отжиг системы до температур выше 1000 K приводит к образованию структур, не возникающих в процессе конденсации. Одновременный анализ спектров характеристических потерь энергии электронов и работы выхода поверхности позволяет предположить формирование поверхностных сплавов молибдена и сурьмы.
Городецкий Д.А., Мельник Ю.П., Проскурин Д.П., Усенко В.А. Структура иэлектронные свойства пленок сурьмы на Mo(110) // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1873

Рассмотрена схема кулоновской неустойчивости заряженных металлических кластеров, отличная от рэлеевской. Двухкомпонентная модель металлического кластера в квазиклассическом приближении дает различные предельные заряды в зависимости от сорта заряженных частиц. В случае небольших кластеров учтено квантование электронного спектра для кластера в форме параллелепипеда. На основании предложенной модели рассчитаны критические размеры кластеров Ag2-N и Au3-N, согласующиеся с наблюдаемыми. Дано качественное объяснение кулоновского взрыва положительно заряженных кластеров Nan+N с 3=<q n=<q 5. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины (проект N 06113).
Васютин Е.В., Погосов В.В. Окулоновской неустойчивости заряженных кластеров // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 10, Стр. 1861

Разработаны основы теории отражения и поглощения света полупроводниковыми объектами пониженной размерности (квантовыми ямами, проволоками и точками) как при монохроматическом, так и при импульсном облучении при любой форме импульса. Полупроводниковый объект может быть помещен в сильное стационарное магнитное поле. В качестве примера рассмотрен случай нормального падения света на поверхность квантовой ямы, ширина которой может быть сравнима с длиной световой волны, а число уровней электронных возбуждений --- произвольным. Для Фурье-компонент электрических полей получено интегральное уравнение, напоминающее уравнение Дайсона. Приведены решения этого уравнения в ряде частных случаев.
Ланг И.Г., Павлов С.Т., Коровин Л.И. Теория отражения и поглощения света полупроводниковыми объектами пониженной размерности, помещенными всильное магнитное поле, примонохроматическом иимпульсном возбуждении // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 9, Стр. 1706

Методами термодесорбционной спектрометрии и оже-электронной спектроскопии исследован рост тонких пленок Ti на грани (100)W, а также кинетика их окисления. Механизм роста пленки Ti на грани (100)W при комнатной температуре близок к послойному. Энергия активации десорбции атомов Ti уменьшается от 5.2 eV при степени покрытия theta=0.1 до 4.9 eV в многослойной пленке. При окислении тонкой (theta=6) титановой пленки сначала наблюдается растворение в ее объеме атомов кислорода до предельной для данной температуры концентрации, затем пленка окисляется до TiO, при дальнейшей экспозиции в кислороде наблюдается рост окисла TiO2. При термодесорбции окислы испаряются с нулевым порядком кинетики десорбции и следующими энергиями активации десорбции: 5.1 eV (TiO) и 5.9 eV (TiO2). Работа выполнена в рамках Российской государственной программы \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (ГК N 1152) и при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17523).
Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Потехина Н.Д. Кинетика окисления тонких пленок титана, выращенных наповерхности вольфрама // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 8, Стр. 1498