Обнаружен эффект изменения размеров ионисторной конденсаторной структуры при процессах накопления-рассасывания на ней электрического заряда. Особенностью данного эффекта, отличающего его от других известных эффектов изменения размеров под действием электрических и магнитных полей (пьезоэффекта и стрикций), является полный гистерезис, т. е. сохранение размера, достигнутого при воздействии, после снятия этого воздействия.
Компан М.Е., Кузнецов В.П., Розанов В.В., Якубович А.В. Гистерезисный гальвано-механический эффект при процессах заряда-разряда ионисторных структур // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6, Стр. 1078

Исследуются особенности хемосорбции на размерно-квантованной нити. Показано, что энергия электрона адатома, хемосорбированного на размерно-квантованной нити, скачком изменяется при изменении радиуса нити.
Мейланов Р.П., Абрамова Б.А., Мусаев Г.М., Гаджиалиев М.М. Хемосорбция на размер но-квантованной нити // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 6, Стр. 1076

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована структура поверхностного слоя сплава состава Al --- mass.7% Si подвергнутого лазерному легированию. Обнаружено, что основной объем исследуемого слоя составляет алюминиевая матрица, имеющая жгутоподобную структуру. Зафиксировано появление новых фаз, выяснен их состав, форма и пространственное расположение. Работа выполнена при частичной поддержке Научной программы Санкт-Петербургского научного центра РАН-2003 и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-07-90108).
Сорокин Л.М., Ефименко Л.П., Калмыков А.Е., Смолин Ю.И. Электронно-микроскопическое исследование поверхностного слоя сплава алюминий-кремний после лазерного легирования карбидом вольфрама // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5, Стр. 953

Выход атомов европия и самария измерен при электронно-стимулированной десорбции из слоев редкоземельных металлов (РЗМ), адсорбированных на поверхности окисленного вольфрама, в зависимости от энергии бомбардирующих электронов, покрытия поверхности РЗМ, степени окисления вольфрама и температуры подложки. Измерения выполнены с помощью времяпролетного метода и детектора на основе поверхностной ионизации в интервале температур подложки от 140 до 600 К. Выход в зависимости от энергии бомбардирующих электронов имеет резонансный характер. Перекрывающиеся резонансные пики атомов Sm наблюдаются при энергиях электронов 34 и 46 eV, а атомов Eu --- при энергиях электронов 36 и 41 eV. Эти энергии хорошо коррелируют с энергиями возбуждения остовных уровней РЗМ 5p и 5s. Выход атомов РЗМ является сложной функцией покрытия РЗМ и температуры подложки. Пики атомов РЗМ видны только при малых покрытиях РЗМ, и их интенсивность обычно с ростом степени покрытия и температуры подложки проходит через максимум. На форму концентрационной зависимости выхода атомов РЗМ оказывает влияние напыление медленных ионов Ba+, причем только в случае напыления их после адсорбции РЗМ. При более высоких степенях покрытия РЗМ наблюдаются дополнительные пики при энергиях электронов 42, 54 и 84 eV, которые связаны с возбуждением уровней вольфрама 5p и 5s и являются результатом десорбции молекул SmO и EuO. Температурная зависимость интенсивности этих пиков объясняется фазовым переходом порядок--беспорядок. Десорбция атомов РЗМ является результатом реверсивного движения через адсорбированный слой РЗМ, а десорбция молекул SmO и EuO происходит в результате образования антисвязанного состояния между молекулами окислов РЗМ и ионами вольфрама. Работа выполнена в рамках Российской государственной программы \glqq Поверхностные атомные структуры\grqq (ГК N 1152) и при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17523).
Агеев В.Н., Кузнецов Ю.А., Потехина Н.Д. Электронно-стимулированная десорбция атомов редкоземельных металлов // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5, Стр. 945

Получено выражение для поверхностной энергии sigma как функции размера и формы нанокристалла. Показано, что чем больше величина параметра формы f отклоняется от единицы, тем заметнее уменьшается sigma с уменьшением числа атомов N в нанокристалле. Зависимость среднего координационного числа, зависимость sigma(N) и зависимость температуры плавления от N имеют осциллирующий вид с максимумами в точках, соответствующих такому числу атомов, из которых можно построить бездефектный куб. Поверхностная энергия уменьшается с температурой T, причем величина --- (dsigma/dT) тем больше, чем меньше размер нанокристалла либо чем больше форма нанокристалла отклоняется от наиболее термодинамически устойчивой --- кубической --- формы. Показано, что нанокристалл плавится, когда его поверхностная энергия уменьшается до определенной, не зависящей от размера и формы величины. Обсуждены условия, при которых реализуются фрагментация и дендритизация кристалла. Показано, что при N>1000 можно с хорошей точностью считать, что функция sigma(N) тождественна зависимости поверхностного натяжения нанокристалла от N. Отмечается наличие эффекта биморфизма нанокристалла, суть которого состоит в том, что для нанокристалла равновероятны как пластинчатая, так и стержневидная форма. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-03-33301).
Магомедов М.Н. О зависимости поверхностной энергии отразмера иформы нанокристалла // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5, Стр. 924

Предложено использовать полумагнитные полупроводниковые двойные квантовые ямы для разделения зарядов экситона с помощью внешнего магнитного поля. Расчеты энергии и волновых функций экситона, а также его силы осциллятора проведены для двойных квантовых ям (Zn, Be, Mg)Se/ZnSe/(Zn, Be, Mg)Se/(Zn, Mn)Se/(Zn, Be, Mg)Se при различных значениях ширины межъямного барьера и внешнего магнитного поля. Показано, что в определенном интервале магнитных полей самое низкое значение энергии имеет межъямный (непрямой) экситон. При этом его время жизни может быть на несколько порядков больше, чем время жизни экситона, локализованного в одной яме. Работа частично финансировалась программой \glqq Нанофизика и наноэлектроника\grqq Национальной академии наук Украины.
Верцимаха А.В., Лев С.Б., Сугаков В.И. Межъямные экситоны в полумагнитных полупроводниковых двойных квантовых ямах во внешнем магнитном поле // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5, Стр. 919

Обсуждается возможность формирования массивов одномерных квантовых проводников на базе пористых многослойных структур InxGa1-xAs/GaAs с двумерным газом носителей заряда в слоях InxGa1-xAs. Переход от монокристаллической матрицы к пористой прослеживается методом сканирующей атомно-силовой микроскопии. Понижение размерности электронно-дырочного газа в формируемых объектах, т. е. переход от двумерной системы к одномерной, устанавливается из анализа зависимостей положения и ширины спектральной линии в спектрах фотолюминесценции от времени травления образца. Подобная процедура осуществлена как на многослойных периодических сверхрешетках, так и на структуре с одиночным слоем InxGa1-xAs, расположенным в приповерхностном слое арсенида галлия. Выполнены измерения электрофизических характеристик электронов в пористых сверхрешетках в зависимости от температуры, подтверждающие не только формирование новой структуры вещества, но и показывающие смену механизма рассеяния электронов в квазиодномерных транспортных каналах, формируемых в системе. Работа выполнена в рамках гранта Министерства образования Российской Федерации (грант N E02-3.4-347) и при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-16778).
Орлов Л.К., Ивина Н.Л. Формирование структуры квантовых нитей InGaAs вматрице арсенида галлия // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 5, Стр. 913

Методом эллипсометрии на отражение исследована анизотропия в плоскости структуры показателей преломления и поглощения света в сине-зеленой области спектра в гетероструктурах типа II без общего атома на интерфейсах --- ZnSe/BeTe. Установлено, что относительная разность (анизотропия) показателей преломления и поглощения света остается ненулевой во всем исследованном диапазоне и достигает 0.6% для показателя преломления и 85% для показателя поглощения света. Обнаружено, что в отличие от экситонных переходов с участием тяжелой дырки для экситона с легкой дыркой анизотропия показателя поглощения больше по величине и имеет противоположный знак. Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-17758-a и Министерства науки России.
Гуревич А.С., Кочерешко В.П., Платонов А.В., Вааг А., Яковлев Д.Р., Ландвер Г. Анизотропия оптических констант гетероструктур ZnSe/BeTe безобщего атома наинтерфейсах // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 4, Стр. 759

В модели свободных электронов и потенциальной ямы конечной глубины для протяженной пластины толщиной L проведено разложение энергетических характеристик по степеням 1/L. Дан анализ ошибок, возникающих в каждом порядке разложения. По точным формулам рассчитаны размерные зависимости работы выхода электронов и электронной силы для пластинок Al, Au, Ag и Na. Утверждается, что работа выхода электронов из низкоразмерных металлических структур всегда меньше работы выхода из полубесконечного металла. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Украины (проект N 06113).
Курбацкий В.П., Погосов В.В. Аналитическая модель размерных осцилляций энергетических исиловых характеристик субатомных металлических пластинок // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 3, Стр. 526

Предложена теория, позволяющая рассчитывать кинетику фотолюминесценции (ФЛ) пористого кремния (ПК) и являющаяся распространением предложенного ранее авторами подхода на случай конечных температур. В ее основе --- представление об электронно-дырочной рекомбинации, происходящей в структурных единицах ПК как по туннельному (имеющему место уже при T=0) механизму, так и путем термоактивированной диффузии фотовозбужденных носителей. Кинетика ФЛ анализируется для двух обсуждаемых в литературе моделей, трактующих ПК как случайную совокупность сферических нанокристаллитов или квантовых нитей. Полученные результаты применены к интерпретации экспериментов по кинетике и мгновенным спектрам ФЛ ПК. Хотя обе модели в принципе позволяют дать адекватное количественное описание экспериментальных данных как при низких, так и при комнатных температурах, модель сферических нанокристаллитов все же представляется предпочтительной.
Бондарев В.Н., Пихица П.В., Зеленин С.В. Флуктуационная теория фотолюминесценции пористого кремния // ФТТ, 2004, том 46, выпуск 3, Стр. 520