Рассчитан отклик электронов (001) ГЦК-пленки кальция на внешнее электростатическое поле. Проведен сравнительный анализ с ранее полученными данными по соответствующему отклику для пленки Cu(001). Определена энергетическая локализация занятых и возбужденных поверхностных состояний пленки Ca(001).
Вольф Г.В., Федоров Д.В. Электростатический отклик иповерхностные электронные состояния ГЦК-пленкиCa(001) // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1913

Вычислены средние величины плотностей тока и заряда, наведенных слабым электромагнитным полем в случае пространственно неоднородных систем при конечной температуре. Формула Кубо для тензора электропроводности обобщена на случай неоднородных в пространстве систем и полей. Выделены вклады, содержащие электрические поля и производные от полей по координатам. В качестве пространственно неоднородных систем могут выступать полупроводниковые квантовые ямы, проволоки и точки.
Павлов С.Т., Ланг И.Г., Коровин Л.И. Аналог формулы Кубо для электропроводности вслучае пространственно неоднородных сред иэлектрических полей // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1903

Исследовались структурные и электрические свойства тонких гранулированных металлических пленок, полученных методом лазерной электродисперсии. Установлено, что такие структуры, состоящие из аморфных частиц меди размером 5 nm, крайне устойчивы к окислению. Так, при окислении на воздухе частицы меди покрываются окисными оболочками Cu2O толщиной около 1 nm за время порядка нескольких дней, после чего дальнейший рост толщины окисла прекращается. Проводимость окисленных плотноупакованных структур осуществляется за счет туннельных переходов электронов между отдельными частицами, в то время как в частично окисленных структурах протекание тока связано с туннельными прыжками электронов между проводящими ансамблями, состоящими из нескольких наночастиц. Показано, что размеры наночастиц, а также размеры проводящих ансамблей, могут быть определены с помощью анализа температурных зависимостей проводимости и независимо из вида вольт-амперных характеристик пленок. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-17827, 02-03-32609), МНТЦ (проект В N 678), программы МНПТ \glqq Технология низкоразмерных объектов и систем\grqq (ГК N 40.072.1.1.1178).
Кожевин В.М., Явсин Д.А., Смирнова И.П., Кулагина М.М., Гуревич С.А. Влияние окисления на электрические свойства гранулированных наноструктур меди // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 10, Стр. 1895

В аналитическом виде получены выражения для дисперсии и затухания волн Рэлея, распространяющихся в произвольном направлении вдоль статистически шероховатой свободной поверхности гексагонального кристалла (Z-срез). Рассматривается шероховатость --- канавки случайной решетки --- одномерного типа (функция профиля шероховатости зависит от одной координаты). Использовались результаты, полученные ранее при решении аналогичной задачи для шероховатости двумерного типа. Найденные выражения для дисперсии и затухания волн Рэлея исследованы аналитически и численно во всем диапазоне частот, достижимых в рамках теории возмущений. Показано, что характер дисперсии и затухания рэлеевских волн качественно совпадает со случаем изотропной среды.
Косачев В.В., Гандурин Ю.Н. Дисперсия и затухание волн Рэлея наодномерной статистической шероховатости свободной поверхности гексагонального кристалла // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1722

Измерены температурные зависимости интегральной интенсивности и сдвигов Найта сигналов ЯМР ядер 199Hg для жидкой и твердой ртути, введенной в пористые угли и силикагель. Обнаружены понижение температуры окончания кристаллизации и небольшой температурный гистерезис (от 4 до 9 K) между плавлением и кристаллизацией. Температура плавления ртути в порах совпадала с температурой плавления объемной ртути. Впервые наблюдался сигнал ЯМР 199Hg от кристаллической ртути в условиях ограниченной геометрии. Установлено, что сдвиг Найта для ртути в порах как в жидкой, так и в кристаллической фазе меньше, чем для объемной ртути. Работа выполнена при поддержке Федеральной целевой программы \glqq Интеграция\grqq (N A0142) и National Science Council of Taiwan (N 91-2112-M-006-017).
Касперович В.С., Чарная Е.В., Tien C., Wur C.S. ЯМP ртути впористых углях исиликагеле // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1717

Представлены результаты анализа спектров решеточного ИК отражения от многопериодных сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками CdTe, выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs с буферным слоем CdTe. Показано, что спектры изучаемых структур характеризуются тремя интенсивными полосами отражения, связанными с колебательными возбуждениями в подложке GaAs, в потенциальных барьерах ZnTe и в буферном слое CdTe. Анализ каждой из обнаруженных полос позволил по сдвигу фононных частот выявить наличие внутренних упругих напряжений в приповерхностном слое подложки GaAs, а также в потенциальных барьерах ZnTe. Установлена релаксация упругих напряжений в разделяющих слоях ZnTe при увеличении их толщины. Обнаружено отщепление дополнительной моды от основной полосы отражения, которую мы связываем с проявлением ZnTe-подобных колебаний образовавшегося сплава ZnCdTE за счет взаимодиффузии Cd и Zn на границах раздела. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-7110).
Водопьянов Л.К., Козырев С.П., Карчевски Г. Длинноволновая ИК спектроскопия сверхрешеток ZnTe/CdTe сквантовыми точками // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1713

Найдены распределение поля и спектр собственных плазменных колебаний на круглом отверстии в экране, который имеет форму гиперболоида вращения. Получен спектр плазмонов для плоского экрана с круглым отверстием. Симметричная мода с m=1 может возбуждаться под действием поля диполя, ориентированного вдоль плоскости экрана, а антисимметричная мода с m=0 --- диполем, перпендикулярным плоскости экрана. Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-18040 и 02-02-17937.
Ключник А.В., Курганов С.Ю., Лозовик Ю.Е. Плазмоны на отверстии вэкране // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 9, Стр. 1709

Представлена теория формы линий радиоспектроскопии (ЯМР, ЭПР) и диэлектрических спектров материалов, состоящих из частиц с размерами порядка нанометров (далее наноматериалы). Теория развита в рамках модели ядра и оболочки (сore and shell model), в которой предполагается, что наночастица состоит из двух областей, не подверженной и подверженной влиянию поверхностных эффектов соответственно. Принято во внимание смещение резонансной частоты, времени релаксации и статической проницаемости под действием поверхностного натяжения. Рассмотрены две формы однородно уширенных линий --- гауссова и лоренцова. Для нескольких типов распределения размеров наночастиц было исследовано неоднородное уширение спектральных линий. Показано, что расщепление исходных линий спектров объемной системы на пары линий с уменьшением размеров частиц является характеристическим свойством спектров наночастиц. Исследовано изменение интенсивностей и значений полуширины линий с изменением параметров функции распределения наночастиц и их размеров. Выполнено сравнение результатов теории с недавно полученными экспериментально ЯМР спектрами 17O и 25Mg нанокристаллического MgO. Предсказанные теорией зависимости интенсивностей, резонансных частот и значений полуширины линий достаточно хорошо совпадают с экспериментальными зависимостями. Теория объясняет поведение статической диэлектрической проницаемости керамики BaTiO3 с наноразмерными зернами.
Глинчук М.Д., Морозовская А.Н. Радиоспектроскопия идиэлектрические спектры наноматериалов // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8, Стр. 1510

Исследовано рамановское рассеяние для ряда сверхрешеток II типа BeTe/ZnSe, не имеющих общих катионов или анионов на интерфейсах. При возбуждении в резонансе с прямым экситонным переходом в слоях ZnSe наблюдались сложенные акустические фононы, LO-фононы первого, второго и третьего порядков в слоях ZnSe и электростатические интерфейсные фононы типа Кливера--Фукса. При нерезонансном возбуждении наблюдались LO-фононы в слоях ZnSe и BeTe и высокочастотная механическая интерфейсная мода, связанная предположительно с локальным колебанием связи BeSe на интерфейсе. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16997), гранта Министерства науки РФ N-95, гранта Министерства науки РФ \glqq Физика твердотельных наноструктур\grqq и гранта Российско-украинской научно-исследовательской программы \glqq Нанофизика и наноэлектроника\grqq.
Решина И.И., Иванов С.В., Кособукин В.А., Сорокин С.В., Торопов А.А. Акустические, оптические иинтерфейсные фононы всверхрешеткахBeTe/ZnSe // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 8, Стр. 1503

Измерены спектры характеристических потерь энергии электронов (ХПЭЭ) чистой поверхности металлического иттрия и их изменения на начальных стадиях окисления поверхности. Измерения проводились при энергиях первичного пуска электронов Ep от 200 до 1000 eV. На спектрах видны высокочастотные и низкочастотные пики. При окислении в спектрах ХПЭЭ наблюдаются большие сдвиги положений основных особенностей. Пики, соответствующие объемным потерям энергии, смещаются при окислении в область больших энергий. Так же сдвигается пик, соответствующий низкочастотным поверхностным колебаниям, но сдвиг осуществляется в область малых энергий с монотонным уменьшением интенсивности пика по мере увеличения дозы окисления. Различие между спектрами при разных Ep объясняется увеличением глубины выхода электронов из образца при увеличении Ep. Работа поддержана проектом Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-17307.
Михеева М.Н., Назин В.Г., Кипароидзе А.С. Исследование начальной стадии окисления иттрия методом спектроскопии характеристических потерь энергии электронов // ФТТ, 2003, том 45, выпуск 7, Стр. 1329