Исследовано влияние упругой деформации изгиба на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор и с различными свойствами обедненных областей вокруг пор. Пористые слои были сформированы методом анодного электрохимического травления на кремниевых пластинах p- иn-типа проводимости и обладали пористостью 5-68%. Показано, что характер наблюдаемых изменений электропроводности пористого кремния при деформации зависит от структурных особенностей пористого материала. Для объяснения полученных результатов использованы различные физические модели переноса носителей заряда в пористом кремнии.

Приводятся результаты экспериментов по исследованию процессов электроформовки в открытых \glqq сaндвич\grqq-структурах Si--SiO2--W с толщиной SiO2 около20 нм. Отмечается их принципиальное различие для Si p- и n-типов проводимости: в первом случае наблюдается обычная для электроформовки N-образная вольт-амперная характеристика, во втором--- типичная для электрического пробоя с тепловой неустойчивостью S-образная зависимость. Обсуждаются механизмы процессов. Отмеченное различие может быть связано с тем, что только поток электронов (но не дырок) через структуру приводит к деструкции молекул на поверхности изолирующей щели и образованию из них частиц проводящей фазы.

Исследована фотолюминесценция при комнатной температуре в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слояхGaN, имплантированных ионами эрбия с энергией1 МэВ и дозой3·1015 см-2 и отожженных в аргоне. Интенсивность фотолюминесценции ионовEr3+ всверхрешетке выше, чем в эпитаксиальном слое при температурах отжига700-1000oC. Максимальное различие в интенсивностях для эпитаксиального слоя и сверхрешетки (~2.8раза) имаксимальная интенсивность фотолюминесценции сверхрешетки наблюдаются после отжига при900oC. При увеличении температуры отжига до1050oC интенсивность излучения, связанного с эрбием, в сверхрешетке существенно уменьшается, что может быть связано с термодеструкцией сверхрешетки.

Рассмотрены проблемы формирования потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках. На примере контакта металл--аморфный гидрогенизированный кремний рассмотрена обобщенная модель формирования потенциальных барьеров в таких структурах. Показано, что свойства барьеров в неупорядоченных полупроводниках определяются характером распределения по энергии локализованных состояний в щели подвижности. Это позволило получить аналитическое выражение для электрического поля и потенциала в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника и предложить новый способ формирования поверхностных квазиомических контактов.

Исследована температурная зависимость электропроводности на постоянном токе в интервале110-400 K слоев мезопористого кремния, сформированных на(111)-ориентированных пластинах p+-Si<B> судельным сопротивлением0.03 Ом·см. Величина весовой пористости находилась в интервале18-30%. Показано, что в области температур ниже200 K выполняется классический закон прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка вблизи уровня Ферми. Анализ температурной зависимости удельного сопротивления в области более высоких температур (200-400 K) свидетельствует о наличии двух активационных участков с энергиями активации200-800 и600-1200 мэВ. Описанная температурная зависимость проводимости исследуемых образцов в широком интервале температур соответствует модели разупорядоченных полупроводников с мелкомасшабными флуктуациями. PACS: 72.20.Ee, 72.80.Ng

Предлагается схема работы мозга в общем виде. Каждый орган чувств создает в мозгу свое собственное описание окружающего мира. Одновременная запись на различных языках мозга должна вестись одним механизмом, одним записывающим импульсом. Этот механизм можно отыскать, исследуя мышечную речь - движения. Человеческий скелет рассматривается как открытый многозвенник, и анализ ведется методами механики. Психические и социальные процессы находят более рациональное объяснение.

Рассмотрены особенности знания с точки зрения таких категрий как ресурс и товар

В статье описывается модель представления знаний о проекте программной системы и алгоритмы ее проверки.

В статье анализируется потенциал взаимодействия региональных институтов власти и бизнес-элиты для социально-экономического развития региона.

СУБСТАНДАРТНЫЕ ЛЕКСИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ В НЕМЕЦКОМ И РУССКОМ ВОЕННЫХ ПОДЪЯЗЫКАХ (контрастивно-социолектологическое описание)