Описан метод оценки размеров наночастиц, основанный на реставрации функции распределения сверхтонких магнитных полей p(Hn) по данным о мессбауэровском спектре ядер 57Fe. Идея метода связана с тем, что благодаря обрыву обменных связей для "поверхностных" атомов можно выделить их вклад в суммарную площадь под кривой p(Hn) В качестве иллюстрации возможностей метода приводятся данные, полученные в опытах с наночастицами магнетита.

Исследована структура доменных границ в магнитных мультислоях с учетом одноосной анизотропии и биквадратичного обменного взаимодействия между слоями. Получены аналитические решения, соответствующие различным типам доменных границ. Большинство полученных решений не имеет аналогов в обычных магнитных материалах. Для доменных границ рассчитаны толщина и плотность энергии на единицу площади, выяснено, в какой области значений параметров полученные структуры доменных границ являются энергетически более выгодными. Работа поддержана грантом МНТ N 02.04.5.2.

Обсуждается вопрос о влиянии размеров магнитоупорядоченных наночастиц на их точку Кюри. На примере систем наночастиц Fe3O4 различной дисперсности показано, что чем меньше частицы по размерам, тем больше толщина поверхностного слоя, в котором имеются значительные нарушения регулярной структуры.

Рассчитаны сечения возбуждения и девозбуждения светоизлучающих нанокластеров в кремнии, легированном редкоземельными элементами. Рассмотрено два вида девозбуждения: процесс с излучением центром фотона и процесс с передачей энергии кластера рассеянному электрону. Показано, что сечения этих двух процессов значительны, поэтому девозбуждение играет важную роль в динамике концентрации возбужденных редкоземельных центров в кремнии.

Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоев Si : Er. Для сравнения исследовались люминесцентные свойства слоев Si, имплантированных ионами Er и O. Температурное гашение интенсивности фотолюминесценции Er-содержащих центров в МЛЭ- и имплантационных слоях хорошо описывается одинаковыми функциональными зависимостями с равными значениями энергий активации, но с различающимися более чем на два порядка коэффициентами перед экспоненциальными членами. Показано, что интенсивность электролюминесценции ионов Er3+ может быть увеличена путем дополнительной имплантации ионов эрбия и кислорода в МЛЭ-светоизлучающие диодные структуры и последующего отжига. При этом Er-содержащие центры продолжают оставаться доминирующими в спектре люминесценции. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы \glqq Новые материалы и структуры\grqq.

Определены оптические константы слоев пористого кремния в диапазоне 600/800 нм и исследовано влияние на них термического отжига в вакууме. Изменение комплексного показателя преломления связано с десорбцией реагентов и продуктов электрохимической обработки кремния. Установлено, что при нагреве до 600 oC температурный коэффициент изменения отражения слоя пористого кремния на длине волны 633 нм не превышает 10-6.

Исследована фотолюминесценция ионов Er в пленках a-Si : H, легированных фосфором. Наблюдаемое увеличение фотолюминесценции Er с увеличением концентрации дефектов в образцах, а также корреляция температурного хода интенсивностей фотолюминесценции Er и фотолюминесценции, связанной с дефектами, объясняются в рамках модели возбуждения ионов Er в результате оже-рекомбинации с участием дефектов.

Проведено исследование кинетики структурной релаксации в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : H, осажденном различными методами, с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии. Полученные экспериментальные результаты были использованы для анализа природы метастабильных состояний в a-Si : H и исследования связи между структурной релаксацией и светоиндуцированной метастабильностью (эффект Стеблера--Вронского).

Проведено изучение влияния кратковременного отжига при температурах 450/550oC на проводимость пористого кремния, закрытого пленкой металла. Пористый кремний сформирован на подложкахp- иn-типа проводимости и имел пористость 16/40% и5/10% соответственно. Показано, что при отжиге при температурах 500 и550oC пористый кремний на p-Si переходит в высокопроводящее состояние. Описано явление релаксации проводимости в закрытых слоях пористого кремния на p-Si после термообработки. Проведен анализ полученных результатов с точки зрения модели пассивации примесных атомов водородом. Показано, что переход алюминий--<пористый кремний> после отжига обладает выпрямляющим действием. Определены параметры потенциального барьера для контактов Al--<пористый кремний> на подложкахp- иn-типа.

На основе различий в структуре пористого кремния и в процессах формирования в нем областей, обедненных носителями тока, проведена классификация электрических свойств пористого материала. Показано, что пористый кремний может быть поделен на 4группы, каждая из которых обладает своим набором отличительных черт. Для каждой группы описаны наиболее вероятные свойства переходов металл/<пористый кремний> и <пористый кремний>/<монокристаллический кремний>. Показано, что многообразие электрических свойств пористого кремния и его контактов с металлическим электродом и кремниевой подложкой приводят к экспериментально наблюдаемому широкому набору характеристик многослойных структур с пористыми слоями.