На примере монокристаллов Si(As,P,B) и GaSb(Si) показаны возможности рентгенодифракционной диагностики сильнолегированных кристаллов полупроводников в отношении характеризации состояния примеси – находится ли она в виде твердого раствора или на разных стадиях его распада. Найдено оптимальное сочетание методов для получения информации о микросегрегации и структурной неоднородности в кристаллах со слабым и сильным поглощением рентгеновских лучей. Основой являются более чувствительные, чем традиционно используемые методы рентгеновской дифракционной топографии и дифрактометрии. // Using Si(As, P, B) and GaSb(Si) single crystals the possibilities of X-ray diffraction techniques for diagnostics of heavily doped semiconductor crystals in characterization of impurity state – whether it is in the crystals in the form of solid solution or under various stages of its decomposition - are shown. The best combination of techniques for receiving information about the microsegregation and structural inhomogeneity in the crystals with slight and strong absorption of X-rays has been found. The more sensitive methods of X-ray diffraction topography and diffractometry than traditionally used ones form a basis for this combination.