Актуальной прикладной проблемой механики является изучение закономерностей образования микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния большого диаметра как на стадии их выращивания, так и при последующих термообработках вырезаемых из них пластин. Это требует детального изучения сопряженных теплофизических процессов в тепловых узлах промышленных ростовых установок. С учетом тепловой истории и напряженного состояния монокристалла рассчитываются процессы переноса и рекомбинации собственных точечных дефектов и их последующая агломерация в микродефекты. // An actual applied problem of mechanics is studying of micro-defect formation in large diameter dislocation – free silicon single crystals both during its growing, and at the subsequent thermal annealing of produced wafers. It demands the detailed studying conjugated thermo-physical processes in hot zones of industrial growth furnaces. The transport and recombination processes of intrinsic point defects and its subsequent agglomeration in micro-defects are calculated with taking into account of a thermal history and strained state of single crystal.

Разработана воспроизводимая технология выращивания вискеров таких полупроводников как: Si, Ge, GaAs, InAs и InSb методом химических транспортных реакций в галогенидной системе. Показано, что воспроизводимых результатов можно достичь только поэтапной технологией. Ее основными элементами являются: (і) формирование кластеров нанопроволок в кинетическом режиме по механизму “пар - жидкость - кристалл”; (іі) создание технологических условий для конкурирующего роста нанопроволок путем оствальдового созревания; (ііі) эпитаксиальное наращивание нанопроволок до размеров вискеров в диффузионном режиме. Предложена модель, обосновывающая необходимость поэтапного технологического режима получения вискеров. // Renewable technology of whiskers of such semiconductors as Si, Ge, GaAs, InAs and InSb with chemical transport reactions technique at halogenide system is developed. The model, which grounds a necessity of step-by-step technological regime of whiskers formation, is proposed.

Разработана технология выращивания микрокристаллов твердого раствора InAsSb из газовой фазы по механизму пар-жидкость-кристалл. Получаемые кристаллы перспективны для использования в качестве чувствительных элементов холловских сенсоров, работающих при высоких температурах и облучении реакторными нейтронами. // The technology of the growing of InAsSb solid solution microcrystals from gas phase by vapor –liquid – solid mechanism is worked out. Obtained crystals are perspective for using as detector elements of Hall sensors, working at high temperatures and reactor neutron irradiation.

В научно-популярной статье описан способ выращивания хризантемы садовой (Chrysanthemum x hortorum hort. Bailey) из семян. Автор описывает личный опыт по выращиванию семенников хризантем, сбору и хранению семян, посеву и уходу за сеянцами.
Галяс, А. В. Хризантемы из семян, или сам себе селекционер / А. В. Галяс // Огородник. – 2005. – № 11 (113). – С. 30—31