Проанализированы физические свойства квантовых точек селенида цинка в оболочке лактозы, как потенциальных биомаркеров, полученных в результате низкотемпературного коллоидного синтеза в водной среде. Наличие на поверхности полученных наночастиц адсорбированной лактозы способствует использованию их для визуализации раковых клеток. Показано наличие уширения запрещённой зоны квантовых точек по сравнению с шириной запрещённой зоны объёмного полупроводника. Выявлено, что увеличение содержания лактозы приводит к уменьшению размера получаемых наночастиц, но слишком большое содержание покрывающего агента может препятствовать их образованию.
Биотехнология и общество в XXI веке: сборник статей. – Барнаул: Издательство Алтайского государственного университета, 2015. – С. 18-22

На основе математической модели описана простая в использовании методика совместных измерений коэффициента Холла и электропроводности прямоугольных полупроводниковых пластин зондовым методом. В результате анализа полученных математических выражений для потенциала электрического поля образца, помещенного в поперечное магнитное поле, даны рекомендации по использованию предложенной методики измерений. Приведены некоторые практические советы по контролю однородности полупроводниковых образцов. Математические выражения для распределения потенциала получены без каких-либо упрощающих предположений, что увеличивает их практическую значимость.
Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - М.: Тест-зл. - Т. 80. - №6. - 2014. - С. 41-44

На основе определенной математической модели рассмотрен способ измерения и контроля свойств контактов металл – полупроводник. Предложенная математическая модель не требует создания специальной тестовой структуры и может быть использована для определения концентрации и подвижности носителей заряда по результатам измерений удельного сопротивления и коэффициента Холла, а также для оценки однородности пластин и пленок по удельному сопротивлению. Расчетные формулы получены без приближений путем решения краевых задач, адекватных физическим условиям. Проанализированы условия, при которых сопротивление растекания двух контактов складывается из сопротивлений растекания каждого контакта в отдельности.
Издательство "Тест-зл", Т. 79, №9, 2013, с. 36-40

Рассмотрен механизм использования потенциала Доннана и внутренней контактной разности потенциалов для производства полезной работы за счет теплоты среды на примере анализа работы электрохимического элемента специальной конструкции
Бузмаков И.В. Полезная работа за счет теплоты среды. // Современные научные исследования и инновации. – Декабрь, 2012 [Электронный ресурс]. URL: http://web.snauka.ru/issues/2012/12/19241

На примере монокристаллов Si(As,P,B) и GaSb(Si) показаны возможности рентгенодифракционной диагностики сильнолегированных кристаллов полупроводников в отношении характеризации состояния примеси – находится ли она в виде твердого раствора или на разных стадиях его распада. Найдено оптимальное сочетание методов для получения информации о микросегрегации и структурной неоднородности в кристаллах со слабым и сильным поглощением рентгеновских лучей. Основой являются более чувствительные, чем традиционно используемые методы рентгеновской дифракционной топографии и дифрактометрии. // Using Si(As, P, B) and GaSb(Si) single crystals the possibilities of X-ray diffraction techniques for diagnostics of heavily doped semiconductor crystals in characterization of impurity state – whether it is in the crystals in the form of solid solution or under various stages of its decomposition - are shown. The best combination of techniques for receiving information about the microsegregation and structural inhomogeneity in the crystals with slight and strong absorption of X-rays has been found. The more sensitive methods of X-ray diffraction topography and diffractometry than traditionally used ones form a basis for this combination.

Разработана воспроизводимая технология выращивания вискеров таких полупроводников как: Si, Ge, GaAs, InAs и InSb методом химических транспортных реакций в галогенидной системе. Показано, что воспроизводимых результатов можно достичь только поэтапной технологией. Ее основными элементами являются: (і) формирование кластеров нанопроволок в кинетическом режиме по механизму “пар - жидкость - кристалл”; (іі) создание технологических условий для конкурирующего роста нанопроволок путем оствальдового созревания; (ііі) эпитаксиальное наращивание нанопроволок до размеров вискеров в диффузионном режиме. Предложена модель, обосновывающая необходимость поэтапного технологического режима получения вискеров. // Renewable technology of whiskers of such semiconductors as Si, Ge, GaAs, InAs and InSb with chemical transport reactions technique at halogenide system is developed. The model, which grounds a necessity of step-by-step technological regime of whiskers formation, is proposed.