В работе проанализировано влияние высокотемпературных обработок в водороде на электрофизические свойства и образование поверхностных дефектов в монокристаллических пластинах и эпитаксиальных слоях кремния. Исследована кинетика и определены параметры формирования центров, отвечающих за снижение удельного электросопротивления n-Si. Систематизированы данные про глубокоуровневые центры, образующиеся при таких обработках.
Сложные системы и процессы. - 2005. - № 1. - С. 32 - 46.