Исследованы структуры и электронные свойства сурьмы на поверхности Mo(110) в широком диапазоне покрытий. В субмонослойной области при комнатной температуре формируются упорядоченные с подложкой решетки адсорбата p(2x 1), p(1x1), (1x 3) и (1x 2). При покрытиях, больших монослойного, на поверхности растут трехмерные кристаллы сурьмы, ориентация которых определяется подложкой. Отжиг системы до температур выше 1000 K приводит к образованию структур, не возникающих в процессе конденсации. Одновременный анализ спектров характеристических потерь энергии электронов и работы выхода поверхности позволяет предположить формирование поверхностных сплавов молибдена и сурьмы.

С применением методик комбинационного рассеяния света установлено, что впленках аморфного кремния при наносекундных воздействиях ультрафиолетового лазерного излучения сплотностями энергии от 75 до 150 мДж/см2 образуются нанокристаллы кремния сразмерами от 2 нм и свыделенной ориентацией (110) по нормали кпленке. Всистеме взаимно ориентированных нанокристаллов Si экспериментально обнаружена анизотропная зависимость интенсивности комбинационного рассеяния света вразличных поляризационных геометриях, что позволило определить объемную долю ориентированных нанокристаллов. Эффект ориентации предположительно обусловлен влиянием как макроскопических полей упругих напряжений впленке, так и локальных полей упругих напряжений вокруг нанокристаллов.

Методами электронной оже-спектроскопии и дифракции медленных электронов исследован механизм диффузии Cu вдоль атомарно-чистой поверхности кремния (110) вдиапазоне температур 500-650oC. Показано, что перенос меди вдоль поверхности кремния осуществляется путем ее диффузии через объем кремния исегрегации атомов меди на поверхность впроцессе диффузии. Получены зависимости эффективных коэффициентов диффузии Cu вдоль поверхности Si(110) от температуры. Проводится сравнение результатов, полученных на поверхностях Si(110) срезультатами, полученными ранее на поверхности Si(111).

Установлены характерные особенности изменений вольт-амперных характеристик тока медленных моноэнергетических электронов, проходящих из вакуума в монокристаллическийGaAs (110), при удалении слоя естественного окисла с поверхности. Показано, что работа выхода уменьшается, а коэффициент прозрачности поверхностного потенциального барьера увеличивается с температурой отжига кристалла в условиях высокого вакуума. Процесс удаления окисла параллельно контролировался эллипсометрически. Толщина удаляемого слоя, согласно расчетам по уравнениям Друдэ, не превышает20 Angstrem.

Исследованы электронные состояния взоне проводимости сверхрешеток (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N(110) при различных M иN. Показано, что электронные свойства этих структур восновном определяются электронами двух пар долин--- или Gamma-XZ, или XX-XY. Расчеты проведены на основе разработанной нами модели сшивания огибающих функций. Найдены ипроанализированы минизонные спектры, симметрия илокализация волновых функций, атакже вероятности межминизонного инфракрасного поглощения. Показано, что вслучае XX-XY-связки долин вероятности поглощения имеют значительную величину не только при поляризации света внаправлении оси роста сверхрешетки, но также ипри нормальном кповерхности структуры падении световой волны.

На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих функций дырок на гетерограницах GaAs/AlAs с ориентациями (111) и(110) как с учетом, так и без учета спин-орбитального взаимодействия для энергий в окрестности вершины валентной зоны. Они получены в результате упрощения описания электронных состояний методом псевдопотенциала. Полученные условия сшивания полностью согласуются с симметрией задачи. Вних присутствует смешивание огибающих функций с их нормальными производными и смешивание производных с функциями. Показано, что смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице не имеет места для границы(111), но существует для границы(110). Найдено, что для гетерограницы(110) имеется заметно большее, чем для границы(001), резонансное смешивание состояний. PACS: 73.50.Dn, 73.40.Kp

Пятков Ю.в., Маслов В.а., Осетров О.и., Пенионжкевич Ю.э., Рубченя В.а., Ямалетдинов С.р. Холодный бинарный распад сверхтяжелой системы 278-110 // Научная сессия МИФИ-2001. 2 Всероссийская конференция. Университеты России - фундаментальные исследования. Физика элементарных частиц и атомного ядра , стр. 64-65

Попов В.д. К 110-летию со дня рождения И.В.Обреимова (08.03.1894 - 02.12.1981) // Научная сессия МИФИ-2004. Т.6 Проблемы университетского образования. Актуальные проблемы гуманитарных наук, стр. 73-77

Данная статья представляет собой краткое изложение авторского подхода к оценке роли отечественной многопартийности в событиях Русской Революции начала XX века.

С. Есенин и современность: Материалы научно-практической конференции, посвященной 110 годовщине со дня рождения акад. С.А.Есенина – Ташкент, 2005