Найдено научных статей и публикаций: 250
21.
Изотермическая десорбция молекул водорода с поверхности W(110) при температуре $sim5,$К
Осовский В.Д., Птушинский Ю.Г., Сукретный В.Г., Чуйков Б.А.. Изотермическая десорбция молекул водорода с поверхности W(110) при температуре $sim5,$К // Письма в ЖЭТФ, том 67, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
22.
Возбуждение 2D плазмонов в системе Cs/W(110)
Исследована эволюция спектров поверхностной фотоэмиссии для системы Cs/W(110) при метастабильных Cs покрытиях больших, чем монослой. Доказана возможность наблюдения 2D плазмонов методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии. Обнаружено три фотоэмиссионных пика, которые характеризуются сложным поведением в зависимости от дозы Cs адсорбции. Природа пиков может быть связана с фотоиндуцированным возбуждением плазмона в квази-2D Cs кластерах, поверхностного Cs плазмона и интерфейсного Cs-W плазмона.
23.
Признаки сверхпроводимости при 110 К на включениях фаз боридов TiBk в титановой матрице
Выполнена экспериментальная проверка теоретических прогнозов о возможности высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в боридах титана TiBk. Эти прогнозы были опубликованы ранее в форме теоретической фазовой диаграммы. В них предсказана возможность существования ВТСП фаз TiBk, соответствующих составам 1.43 < k < 2.57, а также для TiBi1.5{-}1.6. Установлено, что на образцах титана, поверхности которых покрыты диффузными слоями боридов переменного по глубине состава TiBk, имеет место скачкообразное изменение температурной зависимости электрического сопротивления R(T) при 110 К. Это свидетельствует о присутствии в слоях включений сверхпроводящих фаз. Диффузные боридные слои наносили на металлический титан обработкой его поверхности смесью газов B2H6+H2 при температурах 610--700 circС с последующим отжигом в вакууме. Состав боридных слоев исследован методом масс-спектрометрии.
24.
Many particle interaction in tunneling spectroscopy ofimpurity states on the InAs(110) surface
We report on the direct observation by low temperature scanning tunneling microscopy and scanning tunneling spectroscopy of the d-orbitals of a Mn p-type impurity appearing on a cleaved InAs(llO) surface. We show that the crucial interplay between non-equilibrium charging effects and many particle interaction leading to Coulomb singularities provides a consistent description of the experimental results.
25.
Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура CuI на поверхности Cu(110)
Методом сканирующей туннельной микроскопии исследована атомная структура тонких слоев йодида меди (7--20 {AA}), формируемых на поверхности Cu(110) в результате химической реакции с молекулярным йодом в условиях сверхвысокого вакуума. Обнаружена сверхструктура с периодом 90--100 {AA}, состоящая из сдвоенных полос. Предложена структурная модель поверхности йодида меди, учитывающая сжатие решетки CuI и формирование сдвоенных линейных доменных стенок.
26.
Адсорбционные и электронные свойства тонких пленок никеля на поверхности грани (110) кристалла вольфрама
В условиях сверхвысокого вакуума методами отражательной инфракрасной абсорбционной спектроскопии (ИКС) и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (УФЭС) исследованы изменения свойств упорядоченных пленок Ni на поверхности кристалла W (110) при увеличении их толщины от одного до трех моноатомных слоев. Структура пленок соответствует структуре грани (111) кристалла Ni. Метод ИКС применен для исследования колебательных свойств тестовых молекул NO, адсорбированных на поверхности формируемых пленок Ni. В процессе роста толщины пленки происходит весьма заметное видоизменение колебательных и фотоэмиссионных спектров, что указывает на изменение адсорбционных и электронных свойств пленки при увеличении ее толщины от одного до трех моноатомных слоев. Стабилизация ИК и фотоэлектронных спектров при толщине пленки, соответствующей трем моноатомным слоям, позволяет предположить, что завершение формирования основных адсорбционных и электронных свойств пленки происходит при этой толщине пленки. Наряду с этим молекулы NO, адсорбированные на моноатомной пленке, проявляют колебательные особенности, характерные при адсорбции на поверхности массивного кристалла W [110].
27.
Электронная структура и адсорбционные свойства системы Cs/O/W(110)
Проведены сравнительные исследования адсорбционных систем Cs/O/W(110) и Cs/W(110). Методом пороговой фотоэмиссионной спектроскопии исследованы работа выхода и электронная структура в энергетической области вблизи уровня Ферми в зависимости от степени субмонослойного цезиевого покрытия. Обнаружено значительное увеличение насыщающего цезиевого покрытия на поверхности O/W(110). В электронном спектре системы Cs/O/W(110) обнаружена новая индуцированная адсорбцией поверхностная зона с энергией связи ~0.7 eV. При покрытиях около монослоя наблюдалась металлизация адсорбированного слоя. Показано, что электронная структура систем Cs/O/W(110) и Cs/W(110) аналогична при малых покрытиях. Различие в процессах адсорбции для этих двух систем проявляется при покрытиях, близких к монослою, что объясняется возникновением новых центров взаимодействия адатомов Cs на поверхности W(110) в присутствии кислорода.
28.
Морфология поверхностей (001) и (110) кристаллических слоев твердых растворов соединений II--VI с большим содержанием ZnSe в атмосферных условиях
Методом атомно-силовой микроскопии исследовалось влияние атмосферных условий на морфологию ростовых поверхностей (001) и сколов (110) слоев соединений II--VI с высоким содержанием ZnSe. Впервые непосредственно показано, что формирование нанокластеров на таких поверхностях сопровождается коррозией всей поверхности и происходит за счет накопления продуктов коррозии. Коррозия поверхности насыщается на глубине уже в несколько монослоев (2--3 монослоя), что задает предел суммарного объема нанокластеров на поверхности. Дальнейшее увеличение размера нанокластеров во времени происходит за счет уменьшения их числа. Глубина коррозии может локально сильно возрастать в местах поверхности со значительными внутренними напряжениями и, в частности, развиваться глубоко внутрь напряженных интерфейсов в приборных структурах. Работа выполнена при поддержке Фонда Фольксваген и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16948).
29.
Квантовые электронные состояния ирезонансы втонких монокристаллических слоях благородных металлов наподложкеw(110)
Впервые в тонких монокристаллических слоях золота, серебра и меди, сформированных на поверхности монокристалла W(110), экспериментально наблюдались квантовые электронные состояния и резонансы sp-типа, возникающие вследствие пространственной локализации электронных волновых функций блоховского типа в квантовой яме с потенциальными барьерами, формируемыми границами вакуум/металл и металл/W(110). Для экспериментального исследования квантования электронной структуры валентной зоны в системах Au/W(110), Ag/W(110) и Cu/W(110) использовался метод фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. Работа выполнена в рамках программы ГНТП "Актуальные направления в физике конденсированных сред", направление "Поверхностные атомные структуры" (проект N 2.1.-99), гранта Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-02-17287) и грантов DFG Sfb 290/TPA 06; BMBF 05 SF8 KEC8 (Германия).
30.
Особенности процессов полигонизации впрокатанных (001)[110] монокристаллах вольфрама высокой чистоты
Методом электронной микроскопии исследованы изменения в дислокационной структуре прокатанных (001)[110] монокристаллов вольфрама высокой чистоты при кратковременных высокотемпературных отжигах. Исследовано влияние температуры и продолжительности отжига на особенности формирования малоугловых границ. Обнаружены образование и диссоциация \glqq локальных\grqq дефектов, аналогичных наблюдавшимся ранее при отжиге в структуре монокристаллических лент молибдена. Сделан вывод о дислокационной природе данных дефектов.