Найдено научных статей и публикаций: 250
11.
Поверхностные электронные состояния субмонослойных пленок Cs на гранях (110) и (100) W
Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н.. Поверхностные электронные состояния субмонослойных пленок Cs на гранях (110) и (100) W // Письма в ЖЭТФ, том 45, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
12.
Особенности осцилляций Шубникова - де Гааза в двумерных системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием. Дырки на поверхности Si(110)
Дорожкин С.И., Ольшанецкий Е.Б.. Особенности осцилляций Шубникова - де Гааза в двумерных системах с сильным спин-орбитальным взаимодействием. Дырки на поверхности Si(110) // Письма в ЖЭТФ, том 46, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
13.
Исследование заполнения второй подзоны размерного квантования двумерного дырочного газа на поверхности Si (110)
Дорожкин С.И., Ольшанецкий Е.Б.. Исследование заполнения второй подзоны размерного квантования двумерного дырочного газа на поверхности Si (110) // Письма в ЖЭТФ, том 48, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
14.
Аномалии векторного фотоэффекта системы W(110) - Cs при субмонослойных покрытиях
Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н.. Аномалии векторного фотоэффекта системы W(110) - Cs при субмонослойных покрытиях // Письма в ЖЭТФ, том 49, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
15.
Адсорбция н_2 и d_2 на поверхности w(110) при температуре жидкого гелия
Двуреченских В.В., Осовский В.Д., Птушинский Ю.Г., Сукретный В.Г., Чуйков Б.А.. Адсорбция Н_2 и D_2 на поверхности W(110) при температуре жидкого гелия // Письма в ЖЭТФ, том 54, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
16.
О возможности дерелаксации p-InP(110)
Аристов В.Ю., Болотин И.Л.. О возможности дерелаксации p-InP(110) // Письма в ЖЭТФ, том 54, вып. 5, http://www.jetpletters.ac.ru
17.
О доменной структуре кислорода на поверхности Cu(110)
Марченко В.И.. О доменной структуре кислорода на поверхности Cu(110) // Письма в ЖЭТФ, том 55, вып. 1, http://www.jetpletters.ac.ru
18.
Спектры поверхностной фотоэмиссии системы w(110) - ва
Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н.. Спектры поверхностной фотоэмиссии системы W(110) - Ва // Письма в ЖЭТФ, том 58, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
19.
Вероятность прилипания молекул дейтерия на поверхности w(110) при низких температурах (до 5 к)
Осовский В.Д., Птушинский Ю.Г., Сукретный В.Г., Чуйков Б.А.. Вероятность прилипания молекул дейтерия на поверхности W(110) при низких температурах (до 5 К) // Письма в ЖЭТФ, том 60, вып. 8, http://www.jetpletters.ac.ru
20.
Сильная поляризация фотолюминесценции In_xGa_{1-x}P выращенного на плоскости (110) GaAs
Алешкин В.Я., Звонков Б.Н., Линькова Е.Р., Малкина И.Г., Сафьянов Ю.Н.. Сильная поляризация фотолюминесценции In_xGa_{1-x}P выращенного на плоскости (110) GaAs // Письма в ЖЭТФ, том 62, вып. 4, http://www.jetpletters.ac.ru