Исследованиями импульсной автоэлектронной эмиссии в электронном проекторе было установлено, что при приближении к предельно высоким плотностям тока происходит характерное изменение эмиссионной картины, состоящее в появлении яркого кольца, окружающего обычное эмиссионное изображение. При исследованиях плоских автоэмиссионных катодов не однократно было замечено появление колец. Для объяснения их появления была предложена модель, в основе которой лежит предположение о том, что вторичные электроны, эмитируемые с анода, под действием электрического поля возвращаются на анод, образуя наблюдаемое кольцо. Рассмотрены возможности использования этого явления при создании автоэмиссионных приборов.

Изучено влияние напыления калия на эмиссионные характеристики острийных полевых эмиттеров с фуллереновыми покрытиями. Выявлена возможность снижения в 3-4 раза характерных напряжений U1, необходимых для получения фиксированных токов при быстром нанесения на поверхность покрытия атомов калия в количествах, превышающих монослой. Обнаружена и исследована дезактивировка эмиттеров, происходящая при комнатной температуре в отсутствие электрического поля. Указаны возможные причины дезактивировки, обусловленные перераспределением калия в покрытии острия и/или образованием связей калия с молекулами фуллерена. Дезактивировка такого типа практически прекращается по истечении 1-2 суток. Установлено, что нанесение калия на фуллереновое покрытие позволяет заметно (до 50%) снизить значения U1 для исследованных полевых эмиттеров, даже после длительной (около 5 суток) дезактивировки.

Исследовано взаимодействие прямых объемных магнитостатических волн, распространяющихся в структуре, состоящей из двух планарных пленок, разделенных немагнитной прослойкой. Обнаружено, что при наличии фазовой расстройки и двухмодовом возбуждении структуры возникают различные по форме (симметричные, несимметричные и \glqq раздвоенные\grqq), биения амплитуды магнитосвязанных мод. Показана возможность управления параметрами биений за счет изменения величины магнитного поля и соотношения начальных амплитуд возбуждаемых в структуре мод. PACS: 11.10.-z

Исследованы пленки a-Si : H с фоточувствительностью до 106, повышенной по сравнению с фоточувствительностью "стандартного" a-Si : H на 2 порядка. Пленки имели энергию активации темновой проводимости (sigmad) Delta E=0.85/ 1.1 эВ. Фотопроводимость sigmaph измерялась при скорости генерации фотоносителей 1019 см-3· c-1, энергии квантов varepsilon=2 эВ. Установлен ряд особенностей поведения sigmaph и и sigmad в зависимости от Delta E, а таже особенности спектральной характеристики и кинетики спада sigmaph при длительной засветке. Сделано заключение о перспективности использования исследованного материала в фотовольтаических приборах.

Предложена модель переноса носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участием ловушек в диэлектрике. Моделирование вольт-амперных характеристик таких структур показало, что участие ловушек в токопереносе на 2--3 порядка увеличивает общий переносимый заряд и может стать причиной немонотонной вольт-амперной характеристики. При этом на величину переноса по уровням ловушек оказывают влияние положение энергетического уровня, соответствующего ловушкам, число состояний в ловушке на траектории движения носителей заряда, величина отклонения траектории движения от прямолинейной, толщина диэлектрика и высота потенциального барьера.

Оптическими методами исследовано взаимодействие фуллерена C60 споли(2.6-диметил)-фениленоксидом (ПФО) впленках. Показано наличие двух состояний электронной структуры C60 вэтих пленках, при этом энергетическое состояние связанного сПФО C60 не зависит от его концентрации. Сопоставление спектров фотолюминесценции для систем ПФО-C60 иполистирол--C60 позволяет утверждать, что взаимодействие между компонентами систем осуществляется за счет pi-электронов фуллерена ибензольных колец полимеров. Предполагается, что C60 вполимерах существует вдвух состояниях, различающихся электронной структурой: молекулярно-диспергированном (ввиде комплекса сполимером) иввиде кристаллов (агрегатов) фуллерена.

Михайлов А.с. Автоматизация криптоанализа многопетлевых систем Вижинера // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 108-110

Садчиков С.м. Автоматизированные системы обеспечения принятия решений // Научная сессия МИФИ-1998. Т.9 Конференция студентов и молодых ученых. Компьютерные науки. Информационные технологии, стр. 110-113

Ремизович В.с. Принцип парциальных потоков в теории переноса излучения в неупорядоченных средах // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 108-110

Маринюк В.в., Ремизович В.с., Тишин И.в. Отражение светового излучения от плоско-параллельного слоя вещества с модельной двухнаправленной индикатрисой рассеяния при наличии отражающей нижней границы // Научная сессия МИФИ-1998. Ч.2 Астрономия и исследование космического пространства. Оптика и лазерная физика. Теоретические проблемы физики. Лазерная физика и взаимодействие излучения с веществом, стр. 110-112